Braccio meccanico personalizzato in carburo di silicio

Breve descrizione:

WeiTai Energy Technology Co., Ltd. è un fornitore leader specializzato in wafer e materiali di consumo per semiconduttori avanzati.Ci impegniamo a fornire prodotti di alta qualità, affidabili e innovativi alla produzione di semiconduttori,settore fotovoltaicoe altri campi correlati.

La nostra linea di prodotti comprende prodotti in grafite rivestita SiC/TaC e prodotti ceramici, che comprendono vari materiali come carburo di silicio, nitruro di silicio e ossido di alluminio ecc.

In qualità di fornitore affidabile, comprendiamo l'importanza dei materiali di consumo nel processo di produzione e ci impegniamo a fornire prodotti che soddisfino i più elevati standard di qualità per soddisfare le esigenze dei nostri clienti.

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Il carburo di silicio è un nuovo tipo di ceramica con prestazioni ad alto costo ed eccellenti proprietà del materiale.Grazie a caratteristiche quali elevata resistenza e durezza, resistenza alle alte temperature, ottima conduttività termica e resistenza alla corrosione chimica, il carburo di silicio può resistere quasi a tutti i mezzi chimici.Pertanto, il SiC è ampiamente utilizzato nell'estrazione petrolifera, nella chimica, nei macchinari e nello spazio aereo, anche nell'energia nucleare e l'esercito ha le sue esigenze speciali sul SIC.Alcune normali applicazioni che possiamo offrire sono gli anelli di tenuta per pompe, valvole, armature protettive, ecc.

Siamo in grado di progettare e produrre secondo le vostre dimensioni specifiche con buona qualità e tempi di consegna ragionevoli.

Caratteristiche e vantaggi

1. Dimensioni precise e stabilità termica

2. Elevata rigidità specifica ed eccellente uniformità termica, l'uso a lungo termine non è facile da piegare la deformazione;

3. Ha una superficie liscia e una buona resistenza all'usura, gestendo così in sicurezza il chip senza contaminazione da particelle.

4. Resistività del carburo di silicio in 106-108Ω, non magnetico, in linea con i requisiti delle specifiche anti-ESD;Può prevenire l'accumulo di elettricità statica sulla superficie del chip

5.Buona conduttività termica, basso coefficiente di dilatazione.