PART/1 Metodo CVD (Chemical Vapour Deposition): a 900-2300 ℃, utilizzando TaCl5 e CnHm come fonti di tantalio e carbonio, H₂ come atmosfera riducente, gas di trasporto Ar₂as, film di deposizione di reazione.Il rivestimento preparato è compatto, uniforme e di elevata purezza.Tuttavia ci sono alcuni problemi...
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