Barca per wafer SiC
Barchetta per wafer in carburo di silicioè un dispositivo portante per wafer, utilizzato principalmente nei processi di diffusione solare e di semiconduttori. Ha caratteristiche come resistenza all'usura, resistenza alla corrosione, resistenza agli urti ad alta temperatura, resistenza al bombardamento di plasma, capacità portante alle alte temperature, elevata conduttività termica, elevata dissipazione del calore e uso a lungo termine che non è facile da piegare e deformare. La nostra azienda utilizza materiale in carburo di silicio di elevata purezza per garantire la durata e fornisce progetti personalizzati, inclusi. vari verticali e orizzontalibarca per wafer.
Paletta SiC
ILpala a sbalzo in carburo di silicioviene utilizzato principalmente nel rivestimento (per diffusione) di wafer di silicio, che svolge un ruolo cruciale nel caricamento e nel trasporto di wafer di silicio ad alta temperatura. È una componente chiave diwafer semiconduttoresistemi di carico ed ha le seguenti principali caratteristiche:
1. Non si deforma in ambienti ad alta temperatura e ha un'elevata forza di carico sui wafer;
2. È resistente al freddo estremo e al caldo rapido e ha una lunga durata;
3. Il coefficiente di dilatazione termica è ridotto, estendendo notevolmente il ciclo di manutenzione e pulizia e riducendo significativamente gli inquinanti.
Tubo del forno SiC
Tubo di processo in carburo di silicio, realizzato in SiC di elevata purezza senza impurità metalliche, non inquina il wafer ed è adatto a processi come la diffusione di semiconduttori e fotovoltaici, la ricottura e il processo di ossidazione.
Braccio robotico SiC
Braccio robotico SiC, noto anche come effettore finale di trasferimento wafer, è un braccio robotico utilizzato per trasportare wafer semiconduttori ed è ampiamente utilizzato nei settori dei semiconduttori, dell'optoelettronica e dell'energia solare. L'utilizzo di carburo di silicio di elevata purezza, con elevata durezza, resistenza all'usura, resistenza sismica, uso a lungo termine senza deformazioni, lunga durata, ecc., può fornire servizi personalizzati.
Grafite per la crescita dei cristalli
Scudo termico in grafite
Tubo dell'elettrodo in grafite
Deflettore in grafite
Mandrino in grafite
Tutti i processi utilizzati per la crescita dei cristalli di semiconduttori operano in ambienti corrosivi e ad alta temperatura. La zona calda del forno di crescita dei cristalli è solitamente dotata di elevata purezza resistente al calore e alla corrosione. componenti in grafite, come riscaldatori in grafite, crogioli, cilindri, deflettori, mandrini, tubi, anelli, supporti, dadi, ecc. Il nostro prodotto finito può raggiungere un contenuto di ceneri inferiore a 5 ppm.
Grafite per l'epitassia dei semidonduttori
Base in grafite
Canna epitassiale in grafite
Base epitassiale in silicio stallino monocrino
Parti in grafite MOCVD
Dispositivo in grafite per semiconduttori
Il processo epitassiale si riferisce alla crescita di un materiale monocristallino su un substrato monocristallino con la stessa disposizione reticolare del substrato. Richiede molte parti in grafite ad altissima purezza e una base in grafite con rivestimento SIC. La grafite ad elevata purezza utilizzata per l'epitassia dei semiconduttori ha un'ampia gamma di applicazioni, che possono eguagliare le apparecchiature più comunemente utilizzate nel settore. Allo stesso tempo, è estremamente elevata. purezza, rivestimento uniforme, eccellente durata e resistenza chimica e stabilità termica estremamente elevate.
Materiale isolante e altro
I materiali di isolamento termico utilizzati nella produzione di semiconduttori sono feltro duro di grafite, feltro morbido, lamina di grafite, materiali compositi in carbonio, ecc. Le nostre materie prime sono materiali di grafite importati, che possono essere tagliati secondo le specifiche dei clienti e possono anche essere venduti come Totale. Il materiale composito di carbonio viene solitamente utilizzato come supporto per il processo di produzione di celle solari monocristalline e in polisilicio.