L’industria dei semiconduttori sta assistendo a una crescita senza precedenti, soprattutto nel campo dellacarburo di silicio (SiC)elettronica di potenza.Con molti su larga scalawaferFabbri in fase di costruzione o espansione per soddisfare la crescente domanda di dispositivi SiC nei veicoli elettrici, questo boom presenta notevoli opportunità di crescita dei profitti.Tuttavia, presenta anche sfide uniche che richiedono soluzioni innovative.
Al centro della crescente produzione globale di chip SiC c’è la produzione di cristalli, wafer e strati epitassiali SiC di alta qualità.Qui,Grafite per semiconduttorii materiali svolgono un ruolo fondamentale, facilitando la crescita dei cristalli di SiC e la deposizione di strati epitassiali di SiC.L'isolamento termico e l'inerzia della grafite ne fanno un materiale preferito, ampiamente utilizzato in crogioli, piedistalli, dischi planetari e satelliti all'interno dei sistemi di crescita dei cristalli e di epitassia.Tuttavia, le dure condizioni di processo rappresentano una sfida significativa, portando a un rapido degrado dei componenti di grafite e successivamente ostacolando la produzione di cristalli SiC e strati epitassiali di alta qualità.
La produzione di cristalli di carburo di silicio comporta condizioni di processo estremamente severe, comprese temperature superiori a 2000°C e sostanze gassose altamente corrosive.Ciò spesso provoca la corrosione completa dei crogioli di grafite dopo diversi cicli di processo, aumentando così i costi di produzione.Inoltre, le condizioni difficili alterano le proprietà superficiali dei componenti in grafite, compromettendo la ripetibilità e la stabilità del processo produttivo.
Per combattere queste sfide in modo efficace, la tecnologia del rivestimento protettivo è emersa come un punto di svolta.Rivestimenti protettivi a base dicarburo di tantalio (TaC)sono stati introdotti per affrontare i problemi del degrado dei componenti di grafite e della carenza di approvvigionamento di grafite.I materiali TaC presentano una temperatura di fusione superiore a 3800°C e un'eccezionale resistenza chimica.Sfruttando la tecnologia di deposizione chimica in fase vapore (CVD),Rivestimenti TaCcon uno spessore fino a 35 millimetri possono essere depositati senza soluzione di continuità su componenti in grafite.Questo strato protettivo non solo migliora la stabilità del materiale, ma prolunga anche significativamente la durata dei componenti in grafite, riducendo di conseguenza i costi di produzione e migliorando l'efficienza operativa.
Semicera, fornitore leader diRivestimenti TaC, è stato determinante nel rivoluzionare l'industria dei semiconduttori.Grazie alla sua tecnologia all'avanguardia e al costante impegno per la qualità, Semicera ha consentito ai produttori di semiconduttori di superare sfide critiche e raggiungere nuovi traguardi di successo.Offrendo rivestimenti TaC con prestazioni e affidabilità senza pari, Semicera ha consolidato la sua posizione di partner di fiducia per le aziende di semiconduttori in tutto il mondo.
In conclusione, la tecnologia del rivestimento protettivo, alimentata da innovazioni comeRivestimenti TaCdi Semicera, sta rimodellando il panorama dei semiconduttori e aprendo la strada a un futuro più efficiente e sostenibile.
Orario di pubblicazione: 16 maggio 2024