Carburo di silicio (SiC)è un composto inorganico noto per le sue proprietà eccezionali. Il SiC naturale, noto come moissanite, è piuttosto raro. Nelle applicazioni industriali,carburo di silicioè prodotto prevalentemente attraverso metodi sintetici.
Noi di Semicera Semiconductor sfruttiamo tecniche avanzate di produzionepolveri SiC di alta qualità.
I nostri metodi includono:
Metodo Acheson:Questo tradizionale processo di riduzione carbotermica prevede la miscelazione di sabbia di quarzo di elevata purezza o minerale di quarzo frantumato con coke di petrolio, grafite o polvere di antracite. Questa miscela viene quindi riscaldata a temperature superiori a 2000°C utilizzando un elettrodo di grafite, ottenendo la sintesi della polvere di α-SiC.
Riduzione carbotermica a bassa temperatura:Combinando la polvere fine di silice con polvere di carbonio e conducendo la reazione a una temperatura compresa tra 1500 e 1800 °C, produciamo polvere β-SiC con maggiore purezza. Questa tecnica, simile al metodo Acheson ma a temperature più basse, produce β-SiC con una struttura cristallina distintiva. Tuttavia, è necessaria la post-elaborazione per rimuovere il carbonio residuo e il biossido di silicio.
Reazione diretta silicio-carbonio:Questo metodo prevede la reazione diretta della polvere di silicio metallico con polvere di carbonio a 1.000-1.400 °C per produrre polvere β-SiC di elevata purezza. La polvere α-SiC rimane una materia prima fondamentale per le ceramiche in carburo di silicio, mentre il β-SiC, con la sua struttura simile al diamante, è ideale per applicazioni di levigatura e lucidatura di precisione.
Il carburo di silicio presenta due forme cristalline principali:α e β. Il β-SiC, con il suo sistema cristallino cubico, presenta un reticolo cubico a facce centrate sia per il silicio che per il carbonio. Al contrario, l’α-SiC comprende vari politipi come 4H, 15R e 6H, di cui 6H è quello più comunemente utilizzato nell’industria. La temperatura influenza la stabilità di questi politipi: il β-SiC è stabile al di sotto di 1600°C, ma al di sopra di questa temperatura passa gradualmente ai politipi α-SiC. Ad esempio, il 4H-SiC si forma intorno ai 2000°C, mentre i politipi 15R e 6H richiedono temperature superiori a 2100°C. In particolare, il 6H-SiC rimane stabile anche a temperature superiori a 2200°C.
Noi di Semicera Semiconductor ci dedichiamo al progresso della tecnologia SiC. La nostra competenza inRivestimento SiCe i materiali garantiscono qualità e prestazioni di prim'ordine per le vostre applicazioni di semiconduttori. Scopri come le nostre soluzioni all'avanguardia possono migliorare i tuoi processi e prodotti.
Orario di pubblicazione: 26 luglio 2024