Nel campo della produzione di semiconduttori, ilPaletta SiCgioca un ruolo cruciale, in particolare nel processo di crescita epitassiale. Come componente chiave utilizzato inMOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition), sistemiPagaie SiCsono progettati per resistere alle alte temperature e agli ambienti chimicamente difficili, rendendoli indispensabili per la produzione avanzata. Noi di Semicera siamo specializzati nella produzione ad alte prestazioniPagaie SiCprogettato per entrambiSi EpitassiaEEpitassia SiC, offrendo eccezionale durata e stabilità termica.
L'uso delle palette SiC è particolarmente diffuso in processi come la crescita epitassiale, dove il substrato necessita di condizioni termiche e chimiche precise. I nostri prodotti Semicera garantiscono prestazioni ottimali in ambienti che richiedono aSuscettore MOCVD, dove strati di carburo di silicio di alta qualità vengono depositati sui substrati. Ciò contribuisce a migliorarewaferqualità e maggiore efficienza dei dispositivi nella produzione di semiconduttori.
Di SemiceraPagaie SiCnon sono progettati solo perSi Epitassiama anche su misura per una gamma di altre applicazioni critiche. Ad esempio, sono compatibili con i PSS Etching Carriers, essenziali nella produzione di wafer LED, eSupporti per incisione ICP, dove è necessario un controllo preciso degli ioni per modellare i wafer. Queste palette sono parte integrante di sistemi similiOperatori RTP(Rapid Thermal Processing), dove la necessità di rapide transizioni di temperatura e di elevata conduttività termica è fondamentale.
Inoltre, i paddle SiC fungono da suscettori epitassiali LED, facilitando la crescita di wafer LED ad alta efficienza. La capacità di gestire diversi stress termici e ambientali li rende estremamente versatili nei diversi processi di fabbricazione dei semiconduttori.
Nel complesso, Semicera si impegna a fornire paddle SiC che soddisfino i rigorosi requisiti della moderna produzione di semiconduttori. Dall'epitassia SiC ai suscettori MOCVD, le nostre soluzioni garantiscono affidabilità e prestazioni migliorate, soddisfacendo le richieste all'avanguardia del settore.
Orario di pubblicazione: 07 settembre 2024