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Processo di produzione dei semiconduttori: tecnologia Etch
Per trasformare un wafer in un semiconduttore sono necessari centinaia di processi. Uno dei processi più importanti è l'incisione, ovvero l'incisione di sottili motivi circuitali sul wafer. Il successo del processo di incisione dipende dalla gestione di varie variabili all'interno di un intervallo di distribuzione prestabilito e da ogni incisione...Per saperne di più -
Materiale ideale per gli anelli di messa a fuoco nelle apparecchiature di incisione al plasma: carburo di silicio (SiC)
Nelle apparecchiature di incisione al plasma, i componenti ceramici svolgono un ruolo cruciale, compreso l'anello di messa a fuoco. L'anello di messa a fuoco, posizionato attorno al wafer e a diretto contatto con esso, è essenziale per focalizzare il plasma sul wafer applicando tensione all'anello. Ciò migliora l'un...Per saperne di più -
Effetto della lavorazione del cristallo singolo di carburo di silicio sulla qualità della superficie del wafer
I dispositivi di potenza a semiconduttore occupano una posizione fondamentale nei sistemi elettronici di potenza, soprattutto nel contesto del rapido sviluppo di tecnologie come l'intelligenza artificiale, le comunicazioni 5G e i nuovi veicoli energetici, i requisiti prestazionali per loro sono stati...Per saperne di più -
Materiale principale fondamentale per la crescita del SiC: rivestimento in carburo di tantalio
Attualmente, la terza generazione di semiconduttori è dominata dal carburo di silicio. Nella struttura dei costi dei suoi dispositivi, il substrato rappresenta il 47% e l'epitassia il 23%. Insieme rappresentano circa il 70%, che è la parte più importante della produzione di dispositivi in carburo di silicio...Per saperne di più -
In che modo i prodotti rivestiti in carburo di tantalio migliorano la resistenza alla corrosione dei materiali?
Il rivestimento in carburo di tantalio è una tecnologia di trattamento superficiale comunemente utilizzata che può migliorare significativamente la resistenza alla corrosione dei materiali. Il rivestimento in carburo di tantalio può essere attaccato alla superficie del substrato attraverso diversi metodi di preparazione, come deposizione chimica da vapore, fisica...Per saperne di più -
Ieri, il Consiglio per l'innovazione scientifica e tecnologica ha pubblicato un annuncio secondo cui Huazhuo Precision Technology ha terminato la sua IPO!
Ho appena annunciato la consegna della prima apparecchiatura di ricottura laser SIC da 8 pollici in Cina, che è anche la tecnologia di Tsinghua; Perché hanno ritirato loro stessi i materiali? Solo poche parole: in primo luogo, i prodotti sono troppo diversi! A prima vista, non so cosa facciano. Allo stato attuale, H...Per saperne di più -
Rivestimento in carburo di silicio CVD-2
Rivestimento CVD in carburo di silicio 1. Perché esiste un rivestimento in carburo di silicio Lo strato epitassiale è una specifica pellicola sottile monocristallina cresciuta sulla base del wafer attraverso il processo epitassiale. Il wafer di substrato e la pellicola sottile epitassiale sono chiamati collettivamente wafer epitassiali. Tra questi, il...Per saperne di più -
Processo di preparazione del rivestimento SIC
Attualmente, i metodi di preparazione del rivestimento SiC includono principalmente il metodo gel-sol, il metodo di inclusione, il metodo di rivestimento a spazzola, il metodo di spruzzatura al plasma, il metodo di reazione chimica del vapore (CVR) e il metodo di deposizione chimica da vapore (CVD). Metodo di incorporamentoQuesto metodo è una sorta di fase solida ad alta temperatura...Per saperne di più -
Rivestimento in carburo di silicio CVD-1
Cos'è CVD SiC La deposizione chimica da fase vapore (CVD) è un processo di deposizione sotto vuoto utilizzato per produrre materiali solidi di elevata purezza. Questo processo viene spesso utilizzato nel campo della produzione di semiconduttori per formare pellicole sottili sulla superficie dei wafer. Nel processo di preparazione del SiC mediante CVD, il substrato viene esposto...Per saperne di più -
Analisi della struttura delle dislocazioni nel cristallo SiC mediante simulazione del ray tracing assistita da imaging topologico a raggi X
Background della ricerca Importanza applicativa del carburo di silicio (SiC): essendo un materiale semiconduttore ad ampio gap di banda, il carburo di silicio ha attirato molta attenzione grazie alle sue eccellenti proprietà elettriche (come un bandgap più ampio, una maggiore velocità di saturazione degli elettroni e conduttività termica). Questi oggetti di scena...Per saperne di più -
Processo di preparazione dei cristalli di seme nella crescita del singolo cristallo SiC 3
Verifica della crescitaI cristalli seme di carburo di silicio (SiC) sono stati preparati seguendo il processo delineato e convalidati attraverso la crescita dei cristalli SiC. La piattaforma di crescita utilizzata era un forno di crescita a induzione SiC sviluppato internamente con una temperatura di crescita di 2200 ℃, una pressione di crescita di 200 Pa e un...Per saperne di più -
Processo di preparazione dei cristalli di seme nella crescita di cristalli singoli SiC (Parte 2)
2. Processo sperimentale 2.1 Indurimento della pellicola adesiva È stato osservato che la creazione diretta di una pellicola di carbonio o l'incollaggio con carta di grafite su wafer SiC rivestiti con adesivo ha portato a diversi problemi: 1. In condizioni di vuoto, la pellicola adesiva sui wafer SiC ha sviluppato un aspetto scaglioso dovuto firmare...Per saperne di più