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Processo di preparazione dei cristalli di seme nella crescita di cristalli singoli SiC
Il materiale in carburo di silicio (SiC) presenta i vantaggi di un ampio intervallo di banda, elevata conduttività termica, elevata intensità di campo di rottura critica ed elevata velocità di deriva degli elettroni saturi, che lo rendono altamente promettente nel campo della produzione di semiconduttori. I cristalli singoli SiC sono generalmente prodotti attraverso...Per saperne di più -
Quali sono i metodi per la lucidatura dei wafer?
Di tutti i processi coinvolti nella creazione di un chip, il destino finale del wafer è quello di essere tagliato in stampi individuali e confezionato in piccole scatole chiuse con solo pochi pin esposti. Il chip verrà valutato in base ai valori di soglia, resistenza, corrente e tensione, ma nessuno prenderà in considerazione...Per saperne di più -
L'introduzione di base del processo di crescita epitassiale SiC
Lo strato epitassiale è una specifica pellicola monocristallina cresciuta sul wafer mediante processo epitassiale, mentre il wafer del substrato e la pellicola epitassiale sono chiamati wafer epitassiale. Facendo crescere lo strato epitassiale di carburo di silicio sul substrato conduttivo di carburo di silicio, lo strato epitassiale omogeneo di carburo di silicio...Per saperne di più -
Punti chiave del controllo qualità del processo di confezionamento dei semiconduttori
Punti chiave per il controllo della qualità nel processo di imballaggio dei semiconduttoriAttualmente, la tecnologia di processo per l'imballaggio dei semiconduttori è notevolmente migliorata e ottimizzata. Tuttavia, da una prospettiva complessiva, i processi e i metodi per il confezionamento dei semiconduttori non hanno ancora raggiunto la perfezione...Per saperne di più -
Sfide nel processo di confezionamento dei semiconduttori
Le attuali tecniche per l’imballaggio dei semiconduttori stanno gradualmente migliorando, ma la misura in cui vengono adottate apparecchiature e tecnologie automatizzate nell’imballaggio dei semiconduttori determina direttamente la realizzazione dei risultati attesi. Gli attuali processi di confezionamento dei semiconduttori soffrono ancora di...Per saperne di più -
Ricerca e analisi del processo di confezionamento dei semiconduttori
Panoramica del processo dei semiconduttori Il processo dei semiconduttori prevede principalmente l'applicazione di tecnologie di microfabbricazione e pellicola per connettere completamente chip e altri elementi all'interno di varie regioni, come substrati e telai. Ciò facilita l'estrazione dei terminali del piombo e l'incapsulamento con un...Per saperne di più -
Nuove tendenze nel settore dei semiconduttori: l'applicazione della tecnologia del rivestimento protettivo
L’industria dei semiconduttori sta assistendo a una crescita senza precedenti, soprattutto nel campo dell’elettronica di potenza al carburo di silicio (SiC). Con molte fabbriche di wafer su larga scala in fase di costruzione o espansione per soddisfare la crescente domanda di dispositivi SiC nei veicoli elettrici, questo...Per saperne di più -
Quali sono le fasi principali della lavorazione dei substrati SiC?
Le fasi di produzione e lavorazione dei substrati SiC sono le seguenti: 1. Orientamento del cristallo: utilizzo della diffrazione dei raggi X per orientare il lingotto di cristallo. Quando un fascio di raggi X è diretto verso la faccia del cristallo desiderata, l'angolo del fascio diffratto determina l'orientamento del cristallo...Per saperne di più -
Un materiale importante che determina la qualità della crescita del silicio monocristallino: il campo termico
Il processo di crescita del silicio monocristallino viene effettuato completamente in campo termico. Un buon campo termico favorisce il miglioramento della qualità dei cristalli e presenta un'elevata efficienza di cristallizzazione. La progettazione del campo termico determina in gran parte le variazioni e i cambiamenti...Per saperne di più -
Cos'è la crescita epitassiale?
La crescita epitassiale è una tecnologia che fa crescere un singolo strato cristallino su un substrato monocristallino (substrato) con lo stesso orientamento cristallino del substrato, come se il cristallo originale si fosse esteso verso l'esterno. Questo strato monocristallino appena cresciuto può essere diverso dal substrato in termini di c...Per saperne di più -
Qual è la differenza tra substrato ed epitassia?
Nel processo di preparazione del wafer ci sono due collegamenti fondamentali: uno è la preparazione del substrato e l'altro è l'implementazione del processo epitassiale. Il substrato, un wafer realizzato con cura da materiale semiconduttore monocristallino, può essere inserito direttamente nel processo di produzione del wafer...Per saperne di più -
Presentazione delle caratteristiche versatili dei riscaldatori in grafite
I riscaldatori in grafite sono emersi come strumenti indispensabili in vari settori grazie alle loro eccezionali proprietà e versatilità. Dai laboratori agli ambienti industriali, questi riscaldatori svolgono un ruolo fondamentale in processi che vanno dalla sintesi dei materiali alle tecniche analitiche. Tra i vari...Per saperne di più