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Punti chiave del controllo qualità del processo di confezionamento dei semiconduttori
Punti chiave per il controllo della qualità nel processo di imballaggio dei semiconduttoriAttualmente, la tecnologia di processo per l'imballaggio dei semiconduttori è notevolmente migliorata e ottimizzata. Tuttavia, da una prospettiva complessiva, i processi e i metodi per il confezionamento dei semiconduttori non hanno ancora raggiunto la perfezione...Per saperne di più -
Sfide nel processo di confezionamento dei semiconduttori
Le attuali tecniche per l’imballaggio dei semiconduttori stanno gradualmente migliorando, ma la misura in cui vengono adottate apparecchiature e tecnologie automatizzate nell’imballaggio dei semiconduttori determina direttamente la realizzazione dei risultati attesi. Gli attuali processi di confezionamento dei semiconduttori soffrono ancora di...Per saperne di più -
Ricerca e analisi del processo di confezionamento dei semiconduttori
Panoramica del processo dei semiconduttori Il processo dei semiconduttori prevede principalmente l'applicazione di tecnologie di microfabbricazione e pellicola per connettere completamente chip e altri elementi all'interno di varie regioni, come substrati e telai. Ciò facilita l'estrazione dei terminali di piombo e l'incapsulamento con ...Per saperne di più -
Nuove tendenze nel settore dei semiconduttori: l'applicazione della tecnologia del rivestimento protettivo
L’industria dei semiconduttori sta assistendo a una crescita senza precedenti, soprattutto nel campo dell’elettronica di potenza al carburo di silicio (SiC). Con molte fabbriche di wafer su larga scala in fase di costruzione o espansione per soddisfare la crescente domanda di dispositivi SiC nei veicoli elettrici, questo...Per saperne di più -
Quali sono le fasi principali della lavorazione dei substrati SiC?
Le fasi di produzione e lavorazione dei substrati SiC sono le seguenti: 1. Orientamento del cristallo: utilizzo della diffrazione dei raggi X per orientare il lingotto di cristallo. Quando un fascio di raggi X viene diretto sulla faccia del cristallo desiderata, l'angolo del fascio diffratto determina l'orientamento del cristallo...Per saperne di più -
Un materiale importante che determina la qualità della crescita del silicio monocristallino: il campo termico
Il processo di crescita del silicio monocristallino viene effettuato completamente in campo termico. Un buon campo termico favorisce il miglioramento della qualità dei cristalli e presenta un'elevata efficienza di cristallizzazione. La progettazione del campo termico determina in gran parte le variazioni e i cambiamenti...Per saperne di più -
Cos'è la crescita epitassiale?
La crescita epitassiale è una tecnologia che fa crescere un singolo strato cristallino su un substrato monocristallino (substrato) con lo stesso orientamento cristallino del substrato, come se il cristallo originale si fosse esteso verso l'esterno. Questo strato monocristallino appena cresciuto può essere diverso dal substrato in termini di c...Per saperne di più -
Qual è la differenza tra substrato ed epitassia?
Nel processo di preparazione del wafer ci sono due collegamenti fondamentali: uno è la preparazione del substrato e l'altro è l'implementazione del processo epitassiale. Il substrato, un wafer realizzato con cura da materiale semiconduttore monocristallino, può essere inserito direttamente nel processo di produzione del wafer...Per saperne di più -
Presentazione delle caratteristiche versatili dei riscaldatori in grafite
I riscaldatori in grafite sono emersi come strumenti indispensabili in vari settori grazie alle loro eccezionali proprietà e versatilità. Dai laboratori agli ambienti industriali, questi riscaldatori svolgono un ruolo fondamentale in processi che vanno dalla sintesi dei materiali alle tecniche analitiche. Tra i vari...Per saperne di più -
Spiegazione dettagliata dei vantaggi e degli svantaggi dell'incisione a secco e dell'incisione a umido
Nella produzione di semiconduttori, esiste una tecnica chiamata “incisione” durante la lavorazione di un substrato o di una pellicola sottile formata sul substrato. Lo sviluppo della tecnologia dell'incisione ha avuto un ruolo nel realizzare la previsione fatta dal fondatore di Intel Gordon Moore nel 1965 secondo cui "...Per saperne di più -
Presentazione dell'elevata efficienza termica e della stabilità stellare dei riscaldatori al carburo di silicio
I riscaldatori in carburo di silicio (SiC) sono all'avanguardia nella gestione termica nel settore dei semiconduttori. Questo articolo esplora l'eccezionale efficienza termica e la notevole stabilità dei riscaldatori SiC, facendo luce sul loro ruolo cruciale nel garantire prestazioni e affidabilità ottimali nei semicon...Per saperne di più -
Esplorazione delle caratteristiche di elevata resistenza ed elevata durezza delle imbarcazioni wafer in carburo di silicio
Le navicelle wafer in carburo di silicio (SiC) svolgono un ruolo cruciale nell'industria dei semiconduttori, facilitando la produzione di dispositivi elettronici di alta qualità. Questo articolo approfondisce le straordinarie caratteristiche delle navicelle wafer SiC, concentrandosi sulla loro eccezionale resistenza e durezza, ed evidenzia il loro significato...Per saperne di più