Substrato 4H-SiC di tipo P fuori angolo da 2~6 pollici a 4°

I substrati 4H-SiC di tipo P con angolo fuori angolo di 4° da 2~6 pollici di Semicera sono progettati per soddisfare le crescenti esigenze dei produttori di dispositivi RF e di potenza ad alte prestazioni. L'orientamento fuori angolo di 4° garantisce una crescita epitassiale ottimizzata, rendendo questo substrato una base ideale per una gamma di dispositivi a semiconduttore, inclusi MOSFET, IGBT e diodi.

Questo substrato 4H-SiC di tipo P da 2~6 pollici e 4° fuori angolo presenta eccellenti proprietà del materiale, tra cui elevata conduttività termica, eccellenti prestazioni elettriche e straordinaria stabilità meccanica. L'orientamento fuori angolo aiuta a ridurre la densità del microtubo e promuove strati epitassiali più lisci, il che è fondamentale per migliorare le prestazioni e l'affidabilità del dispositivo semiconduttore finale.

I substrati 4H-SiC di tipo P fuori angolo da 2~6 pollici 4° di Semicera sono disponibili in una varietà di diametri, che vanno da 2 pollici a 6 pollici, per soddisfare le diverse esigenze di produzione. I nostri substrati sono progettati con precisione per fornire livelli di drogaggio uniformi e caratteristiche superficiali di alta qualità, garantendo che ciascun wafer soddisfi le rigorose specifiche richieste per le applicazioni elettroniche avanzate.

L'impegno di Semicera per l'innovazione e la qualità garantisce che i nostri substrati 4H-SiC di tipo P fuori angolo da 2~6 pollici e 4° offrano prestazioni costanti in un'ampia gamma di applicazioni, dall'elettronica di potenza ai dispositivi ad alta frequenza. Questo prodotto fornisce una soluzione affidabile per la prossima generazione di semiconduttori ad alta efficienza energetica e ad alte prestazioni, supportando i progressi tecnologici in settori quali quello automobilistico, delle telecomunicazioni e delle energie rinnovabili.