Semiceraè entusiasta di offrireSubstrati di ossido di gallio da 2 pollici, un materiale all'avanguardia progettato per migliorare le prestazioni di dispositivi semiconduttori avanzati. Questi substrati, costituiti da ossido di gallio (Ga2O3), presentano un bandgap ultra ampio, che li rende la scelta ideale per applicazioni optoelettroniche ad alta potenza, alta frequenza e UV.
Caratteristiche principali:
• Bandgap ultra ampio: ILSubstrati di ossido di gallio da 2 polliciforniscono un eccezionale bandgap di circa 4,8 eV, consentendo un funzionamento a tensione e temperatura più elevate, superando di gran lunga le capacità dei materiali semiconduttori tradizionali come il silicio.
•Eccezionale tensione di rottura: Questi substrati consentono ai dispositivi di gestire tensioni significativamente più elevate, rendendoli perfetti per l'elettronica di potenza, soprattutto nelle applicazioni ad alta tensione.
•Eccellente conduttività termica: Con una stabilità termica superiore, questi substrati mantengono prestazioni costanti anche in ambienti termici estremi, ideali per applicazioni ad alta potenza e ad alta temperatura.
•Materiale di alta qualità: ILSubstrati di ossido di gallio da 2 pollicioffrono basse densità di difetti e un'elevata qualità cristallina, garantendo prestazioni affidabili ed efficienti dei vostri dispositivi a semiconduttore.
•Applicazioni versatili: Questi substrati sono adatti per una vasta gamma di applicazioni, tra cui transistor di potenza, diodi Schottky e dispositivi LED UV-C, offrendo una solida base per le innovazioni di potenza e optoelettroniche.
Sblocca tutto il potenziale dei tuoi dispositivi a semiconduttore con SemiceraSubstrati di ossido di gallio da 2 pollici. I nostri substrati sono progettati per soddisfare le esigenze esigenti delle applicazioni avanzate di oggi, garantendo prestazioni elevate, affidabilità ed efficienza. Scegli Semicera per materiali semiconduttori all'avanguardia che guidano l'innovazione.
| Elementi | Produzione | Ricerca | Manichino |
| Parametri di cristallo | |||
| Politipo | 4H | ||
| Errore di orientamento della superficie | <11-20 >4±0,15° | ||
| Parametri Elettrici | |||
| Dopante | Azoto di tipo n | ||
| Resistività | 0,015-0,025ohm·cm | ||
| Parametri meccanici | |||
| Diametro | 150,0±0,2 mm | ||
| Spessore | 350±25μm | ||
| Orientamento piatto primario | [1-100]±5° | ||
| Lunghezza piatta primaria | 47,5±1,5 mm | ||
| Appartamento secondario | Nessuno | ||
| TTV | ≤5μm | ≤10μm | ≤15μm |
| LTV | ≤3μm(5mm*5mm) | ≤5μm(5mm*5mm) | ≤10μm(5mm*5mm) |
| Arco | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Ordito | ≤35μm | ≤45μm | ≤55μm |
| Rugosità anteriore (Si-face) (AFM) | Ra≤0,2 nm (5μm*5μm) | ||
| Struttura | |||
| Densità del microtubo | <1 pezzo/cm2 | <10 pezzi/cm2 | <15 pezzi/cm2 |
| Impurità metalliche | ≤5E10atomi/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ciascuno/cm2 | ≤3000 ciascuno/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ciascuno/cm2 | ≤1000 ciascuno/cm2 | NA |
| Qualità frontale | |||
| Fronte | Si | ||
| Finitura superficiale | Si-face CMP | ||
| Particelle | ≤60 pezzi/wafer (dimensione≥0,3μm) | NA | |
| Graffi | ≤5 pezzi/mm. Lunghezza cumulativa ≤Diametro | Lunghezza cumulativa ≤2*Diametro | NA |
| Buccia d'arancia/noccioli/macchie/striature/crepe/contaminazione | Nessuno | NA | |
| Scheggiature/rientranze/fratture/piastre esagonali sui bordi | Nessuno | ||
| Aree di politipo | Nessuno | Area cumulativa ≤ 20% | Area cumulativa ≤ 30% |
| Marcatura laser frontale | Nessuno | ||
| Indietro Qualità | |||
| Finitura posteriore | CMP faccia C | ||
| Graffi | ≤5ea/mm,Lunghezza cumulativa≤2*Diametro | NA | |
| Difetti sul retro (scheggiature/rientranze sui bordi) | Nessuno | ||
| Rugosità della schiena | Ra≤0,2 nm (5μm*5μm) | ||
| Marcatura laser sul retro | 1 mm (dal bordo superiore) | ||
| Bordo | |||
| Bordo | Smussare | ||
| Confezione | |||
| Confezione | Epi-ready con confezionamento sottovuoto Confezione in cassetta multi-wafer | ||
| *Note: "NA" significa nessuna richiesta. Gli articoli non menzionati possono fare riferimento a SEMI-STD. | |||
