Il materiale monocristallino in carburo di silicio (SiC) ha un'ampia larghezza di banda proibita (~Si 3 volte), elevata conduttività termica (~Si 3,3 volte o GaAs 10 volte), elevata velocità di migrazione della saturazione elettronica (~Si 2,5 volte), elevata degradazione elettrica campo (~Si 10 volte o GaAs 5 volte) e altre caratteristiche eccezionali.
I materiali semiconduttori di terza generazione includono principalmente SiC, GaN, diamante, ecc., poiché la larghezza del gap di banda (Eg) è maggiore o uguale a 2,3 elettronvolt (eV), noti anche come materiali semiconduttori con gap di banda larga. Rispetto ai materiali semiconduttori di prima e seconda generazione, i materiali semiconduttori di terza generazione presentano i vantaggi di elevata conduttività termica, campo elettrico ad alta degradazione, elevato tasso di migrazione degli elettroni saturi ed elevata energia di legame, che possono soddisfare i nuovi requisiti della moderna tecnologia elettronica per un'elevata temperatura, alta potenza, alta pressione, alta frequenza e resistenza alle radiazioni e altre condizioni difficili. Ha importanti prospettive di applicazione nei settori della difesa nazionale, dell'aviazione, dell'aerospaziale, dell'esplorazione petrolifera, dello stoccaggio ottico, ecc. e può ridurre la perdita di energia di oltre il 50% in molti settori strategici come le comunicazioni a banda larga, l'energia solare, la produzione automobilistica, illuminazione a semiconduttori e reti intelligenti e può ridurre il volume delle apparecchiature di oltre il 75%, il che rappresenta una pietra miliare per lo sviluppo della scienza e della tecnologia umana.
Semicera Energy è in grado di fornire ai clienti substrati in carburo di silicio conduttivo (conduttivo), semi-isolante (semi-isolante), HPSI (semi-isolante ad alta purezza); Inoltre possiamo fornire ai clienti lastre epitassiali in carburo di silicio omogenee ed eterogenee; Possiamo inoltre personalizzare la lamiera epitassiale secondo le specifiche esigenze dei clienti, e non è previsto alcun quantitativo minimo d'ordine.
SPECIFICHE DEL WAFER
*n-Pm=tipo n Grado Pm, n-Ps=tipo n Grado Ps, Sl=Semi-isolante
| Articolo | 8 pollici | 6 pollici | 4 pollici | ||
| nP | n-pm | n-Ps | SI | SI | |
| TTV(GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
| Arco(GF3YFCD)-Valore assoluto | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
| Deformazione(GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
| LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
| Bordo del wafer | Smussatura | ||||
FINITURA SUPERFICIALE
*n-Pm=tipo n Grado Pm, n-Ps=tipo n Grado Ps, Sl=Semi-isolante
| Articolo | 8 pollici | 6 pollici | 4 pollici | ||
| nP | n-pm | n-Ps | SI | SI | |
| Finitura superficiale | Lucidatura ottica su doppio lato, Si-Face CMP | ||||
| Rugosità superficiale | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0,2 nm Faccia C Ra ≤ 0,5 nm | (5umx5um) Si-faccia Ra≤0,2 nm Faccia C Ra ≤ 0,5 nm | |||
| Chip di bordo | Nessuno consentito (lunghezza e larghezza ≥ 0,5 mm) | ||||
| Rientri | Nessuno consentito | ||||
| Graffi (Si-Face) | Qtà.≤5,cumulativo Lunghezza ≤ 0,5×diametro del wafer | Qtà.≤5,cumulativo Lunghezza ≤ 0,5×diametro del wafer | Qtà.≤5,cumulativo Lunghezza ≤ 0,5×diametro del wafer | ||
| Crepe | Nessuno consentito | ||||
| Esclusione dei bordi | 3 mm | ||||
