Substrati conduttivi e semi-isolanti da 4″ 6″ 8″

Breve descrizione:

Semicera si impegna a fornire substrati semiconduttori di alta qualità, che sono materiali chiave per la produzione di dispositivi semiconduttori. I nostri substrati sono suddivisi in tipologie conduttive e semi-isolanti per soddisfare le esigenze di diverse applicazioni. Comprendendo a fondo le proprietà elettriche dei substrati, Semicera ti aiuta a scegliere i materiali più adatti per garantire prestazioni eccellenti nella produzione di dispositivi. Scegli Semicera, scegli una qualità eccellente che mette al centro affidabilità e innovazione.

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Il materiale monocristallino in carburo di silicio (SiC) ha un'ampia larghezza di banda proibita (~Si 3 volte), elevata conduttività termica (~Si 3,3 volte o GaAs 10 volte), elevata velocità di migrazione della saturazione elettronica (~Si 2,5 volte), elevata degradazione elettrica campo (~Si 10 volte o GaAs 5 volte) e altre caratteristiche eccezionali.

I materiali semiconduttori di terza generazione includono principalmente SiC, GaN, diamante, ecc., poiché la larghezza del gap di banda (Eg) è maggiore o uguale a 2,3 elettronvolt (eV), noti anche come materiali semiconduttori con gap di banda larga. Rispetto ai materiali semiconduttori di prima e seconda generazione, i materiali semiconduttori di terza generazione presentano i vantaggi di elevata conduttività termica, campo elettrico ad alta degradazione, elevato tasso di migrazione degli elettroni saturi ed elevata energia di legame, che possono soddisfare i nuovi requisiti della moderna tecnologia elettronica per un'elevata temperatura, alta potenza, alta pressione, alta frequenza e resistenza alle radiazioni e altre condizioni difficili. Ha importanti prospettive di applicazione nei settori della difesa nazionale, dell'aviazione, dell'aerospaziale, dell'esplorazione petrolifera, dello stoccaggio ottico, ecc. e può ridurre la perdita di energia di oltre il 50% in molti settori strategici come le comunicazioni a banda larga, l'energia solare, la produzione automobilistica, illuminazione a semiconduttori e reti intelligenti e può ridurre il volume delle apparecchiature di oltre il 75%, il che rappresenta una pietra miliare per lo sviluppo della scienza e della tecnologia umana.

Semicera Energy è in grado di fornire ai clienti substrati in carburo di silicio conduttivo (conduttivo), semi-isolante (semi-isolante), HPSI (semi-isolante ad alta purezza); Inoltre possiamo fornire ai clienti lastre epitassiali in carburo di silicio omogenee ed eterogenee; Possiamo inoltre personalizzare la lamiera epitassiale secondo le specifiche esigenze dei clienti, e non è previsto alcun quantitativo minimo d'ordine.

SPECIFICHE DEL WAFER

*n-Pm=tipo n Grado Pm, n-Ps=tipo n Grado Ps, Sl=Semi-isolante

Articolo	8 pollici	6 pollici			4 pollici
Articolo	nP	n-pm	n-Ps	SI	SI
TTV(GBIR)	≤6um	≤6um
Arco(GF3YFCD)-Valore assoluto	≤15μm	≤15μm	≤25μm		≤15μm
Deformazione(GF3YFER)	≤25μm	≤25μm	≤40μm		≤25μm
LTV(SBIR)-10mmx10mm	<2μm
Bordo del wafer	Smussatura

FINITURA SUPERFICIALE

*n-Pm=tipo n Grado Pm, n-Ps=tipo n Grado Ps, Sl=Semi-isolante

Articolo	8 pollici	6 pollici			4 pollici
	nP	n-pm	n-Ps	SI	SI
Finitura superficiale	Lucidatura ottica su doppio lato, Si-Face CMP
Rugosità superficiale	(10um x 10um) Si-FaceRa≤0,2 nm Faccia C Ra ≤ 0,5 nm			(5umx5um) Si-faccia Ra≤0,2 nm Faccia C Ra ≤ 0,5 nm
Chip di bordo	Nessuno consentito (lunghezza e larghezza ≥ 0,5 mm)
Rientri	Nessuno consentito
Graffi (Si-Face)	Qtà.≤5,cumulativo Lunghezza ≤ 0,5×diametro del wafer	Qtà.≤5,cumulativo Lunghezza ≤ 0,5×diametro del wafer			Qtà.≤5,cumulativo Lunghezza ≤ 0,5×diametro del wafer
Crepe	Nessuno consentito
Esclusione dei bordi	3 mm