Lingotto SiC di tipo N da 4″6″ 8″

Breve descrizione:

I lingotti SiC di tipo N da 4", 6" e 8" di Semicera sono la pietra angolare per i dispositivi a semiconduttore ad alta potenza e alta frequenza. Offrendo proprietà elettriche e conduttività termica superiori, questi lingotti sono realizzati per supportare la produzione di componenti elettronici affidabili ed efficienti. Affidati a Semicera per qualità e prestazioni senza pari.


Dettagli del prodotto

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I lingotti SiC di tipo N da 4", 6" e 8" di Semicera rappresentano una svolta nei materiali semiconduttori, progettati per soddisfare le crescenti esigenze dei moderni sistemi elettronici e di potenza. Questi lingotti forniscono una base robusta e stabile per varie applicazioni di semiconduttori, garantendo prestazioni e longevità.

I nostri lingotti SiC di tipo N sono prodotti utilizzando processi di produzione avanzati che ne migliorano la conduttività elettrica e la stabilità termica. Ciò li rende ideali per applicazioni ad alta potenza e ad alta frequenza, come inverter, transistor e altri dispositivi elettronici di potenza in cui l'efficienza e l'affidabilità sono fondamentali.

Il drogaggio preciso di questi lingotti garantisce che offrano prestazioni costanti e ripetibili. Questa coerenza è fondamentale per gli sviluppatori e i produttori che stanno spingendo i confini della tecnologia in campi come quello aerospaziale, automobilistico e delle telecomunicazioni. I lingotti SiC di Semicera consentono la produzione di dispositivi che funzionano in modo efficiente in condizioni estreme.

Scegliere i lingotti SiC di tipo N di Semicera significa integrare materiali in grado di gestire con facilità alte temperature e carichi elettrici elevati. Questi lingotti sono particolarmente adatti per la creazione di componenti che richiedono un'eccellente gestione termica e funzionamento ad alta frequenza, come amplificatori RF e moduli di potenza.

Optando per i lingotti SiC di tipo N da 4", 6" e 8" di Semicera, state investendo in un prodotto che combina proprietà eccezionali del materiale con la precisione e l'affidabilità richieste dalle tecnologie all'avanguardia dei semiconduttori. Semicera continua a guidare il settore fornendo soluzioni innovative che guidano il progresso della produzione di dispositivi elettronici.

Elementi

Produzione

Ricerca

Manichino

Parametri di cristallo

Politipo

4H

Errore di orientamento della superficie

<11-20 >4±0,15°

Parametri Elettrici

Dopante

Azoto di tipo n

Resistività

0,015-0,025ohm·cm

Parametri meccanici

Diametro

150,0±0,2 mm

Spessore

350±25μm

Orientamento piatto primario

[1-100]±5°

Lunghezza piatta primaria

47,5±1,5 mm

Appartamento secondario

Nessuno

TTV

≤5μm

≤10μm

≤15μm

LTV

≤3μm(5mm*5mm)

≤5μm(5mm*5mm)

≤10μm(5mm*5mm)

Arco

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Ordito

≤35μm

≤45μm

≤55μm

Rugosità anteriore (Si-face) (AFM)

Ra≤0,2 nm (5μm*5μm)

Struttura

Densità del microtubo

<1 pezzo/cm2

<10 pezzi/cm2

<15 pezzi/cm2

Impurità metalliche

≤5E10atomi/cm2

NA

BPD

≤1500 ciascuno/cm2

≤3000 ciascuno/cm2

NA

TSD

≤500 ciascuno/cm2

≤1000 ciascuno/cm2

NA

Qualità frontale

Fronte

Si

Finitura superficiale

Si-face CMP

Particelle

≤60 pezzi/wafer (dimensione≥0,3μm)

NA

Graffi

≤5 pezzi/mm. Lunghezza cumulativa ≤Diametro

Lunghezza cumulativa ≤2*Diametro

NA

Buccia d'arancia/noccioli/macchie/striature/crepe/contaminazione

Nessuno

NA

Scheggiature/rientranze/fratture/piastre esagonali sui bordi

Nessuno

Aree di politipo

Nessuno

Area cumulativa ≤ 20%

Area cumulativa ≤ 30%

Marcatura laser frontale

Nessuno

Indietro Qualità

Finitura posteriore

CMP faccia C

Graffi

≤5ea/mm,Lunghezza cumulativa≤2*Diametro

NA

Difetti sul retro (scheggiature/rientranze sui bordi)

Nessuno

Rugosità della schiena

Ra≤0,2 nm (5μm*5μm)

Marcatura laser sul retro

1 mm (dal bordo superiore)

Bordo

Bordo

Smussare

Confezione

Confezione

Epi-ready con confezionamento sottovuoto

Confezione in cassetta multi-wafer

*Note: "NA" significa nessuna richiesta. Gli articoli non menzionati possono fare riferimento a SEMI-STD.

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