Substrato SiC semiisolante da 4″ 6″

Breve descrizione:

I substrati SiC semiisolanti sono un materiale semiconduttore ad alta resistività, con una resistività superiore a 100.000Ω·cm. I substrati SiC semiisolanti vengono utilizzati principalmente per produrre dispositivi RF a microonde come dispositivi RF a microonde al nitruro di gallio e transistor ad alta mobilità elettronica (HEMT). Questi dispositivi sono utilizzati principalmente nelle comunicazioni 5G, nelle comunicazioni satellitari, nei radar e in altri campi.

Inviaci un'e-mail

Dettagli del prodotto

Tag dei prodotti

Il substrato SiC semiisolante da 4" 6" di Semicera è un materiale di alta qualità progettato per soddisfare i severi requisiti delle applicazioni di dispositivi RF e di potenza. Il substrato combina l'eccellente conduttività termica e l'elevata tensione di rottura del carburo di silicio con proprietà semiisolanti, rendendolo la scelta ideale per lo sviluppo di dispositivi semiconduttori avanzati.

Il substrato SiC semi-isolante da 4" 6" è prodotto con cura per garantire materiale di elevata purezza e prestazioni semi-isolanti costanti. Ciò garantisce che il substrato fornisca l'isolamento elettrico necessario nei dispositivi RF come amplificatori e transistor, fornendo allo stesso tempo l'efficienza termica richiesta per le applicazioni ad alta potenza. Il risultato è un substrato versatile che può essere utilizzato in un'ampia gamma di prodotti elettronici ad alte prestazioni.

Semicera riconosce l'importanza di fornire substrati affidabili e privi di difetti per applicazioni critiche di semiconduttori. Il nostro substrato SiC semiisolante da 4" 6" è prodotto utilizzando tecniche di produzione avanzate che riducono al minimo i difetti dei cristalli e migliorano l'uniformità del materiale. Ciò consente al prodotto di supportare la produzione di dispositivi con prestazioni, stabilità e durata migliorate.

L'impegno di Semicera per la qualità garantisce che il nostro substrato SiC semiisolante da 4" 6" offra prestazioni affidabili e costanti in un'ampia gamma di applicazioni. Sia che stiate sviluppando dispositivi ad alta frequenza o soluzioni di alimentazione ad alta efficienza energetica, i nostri substrati SiC semiisolanti forniscono le basi per il successo dell'elettronica di prossima generazione.

Parametri di base

Misurare	6 pollici	4 pollici
Diametro	150,0 mm+0 mm/-0,2 mm	100,0 mm+0 mm/-0,5 mm
Orientamento della superficie	{0001}±0,2°
Orientamento piatto primario	/	<1120>±5°
Orientamento secondario piatto	/	Silicone rivolto verso l'alto: 90° in senso orario dal Prime piatto士5°
Lunghezza piatta primaria	/	32,5 mm 士2,0 mm
Lunghezza piatta secondaria	/	18,0 mm士2,0 mm
Orientamento della tacca	<1100>±1,0°	/
Orientamento della tacca	1,0 mm+0,25 mm/-0,00 mm	/
Angolo della tacca	90°+5°/-1°	/
Spessore	500,0um a 25,0um
Tipo conduttivo	Semiisolante

Informazioni sulla qualità del cristallo

Articolo	6 pollici	4 pollici
Resistività	≥1E9Q·cm
Politipo	Nessuno consentito
Densità del microtubo	≤0,5/cm2	≤0,3/cm2
Piastre esagonali mediante luce ad alta intensità	Nessuno consentito
Inclusioni visive di carbonio ad alta	Area cumulativa ≤ 0,05%