Semicerapresenta con orgoglio il suoSubstrati di ossido di gallio da 4 pollici, un materiale innovativo progettato per soddisfare la crescente domanda di dispositivi a semiconduttore ad alte prestazioni. Ossido di gallio (Ga2O3) offrono un bandgap estremamente ampio, rendendoli ideali per l'elettronica di potenza di prossima generazione, l'optoelettronica UV e i dispositivi ad alta frequenza.
Caratteristiche principali:
• Bandgap ultra ampio: ILSubstrati di ossido di gallio da 4 pollicivantano un gap di banda di circa 4,8 eV, consentendo un'eccezionale tolleranza alla tensione e alla temperatura, superando significativamente le prestazioni dei tradizionali materiali semiconduttori come il silicio.
•Alta tensione di rottura: Questi substrati consentono ai dispositivi di funzionare a tensioni e potenze più elevate, rendendoli perfetti per applicazioni ad alta tensione nell'elettronica di potenza.
•Stabilità termica superiore: I substrati di ossido di gallio offrono un'eccellente conduttività termica, garantendo prestazioni stabili in condizioni estreme, ideali per l'uso in ambienti difficili.
•Alta qualità dei materiali: Con una bassa densità di difetti e un'elevata qualità dei cristalli, questi substrati garantiscono prestazioni affidabili e costanti, migliorando l'efficienza e la durata dei dispositivi.
•Applicazione versatile: Adatto per un'ampia gamma di applicazioni, inclusi transistor di potenza, diodi Schottky e dispositivi LED UV-C, consentendo innovazioni sia nel campo dell'alimentazione che in quello optoelettronico.
Esplora il futuro della tecnologia dei semiconduttori con SemiceraSubstrati di ossido di gallio da 4 pollici. I nostri substrati sono progettati per supportare le applicazioni più avanzate, fornendo l'affidabilità e l'efficienza richieste per i dispositivi all'avanguardia di oggi. Affidati a Semicera per la qualità e l'innovazione dei tuoi materiali semiconduttori.
| Elementi | Produzione | Ricerca | Manichino |
| Parametri di cristallo | |||
| Politipo | 4H | ||
| Errore di orientamento della superficie | <11-20 >4±0,15° | ||
| Parametri Elettrici | |||
| Dopante | Azoto di tipo n | ||
| Resistività | 0,015-0,025ohm·cm | ||
| Parametri meccanici | |||
| Diametro | 150,0±0,2 mm | ||
| Spessore | 350±25μm | ||
| Orientamento piatto primario | [1-100]±5° | ||
| Lunghezza piatta primaria | 47,5±1,5 mm | ||
| Appartamento secondario | Nessuno | ||
| TTV | ≤5μm | ≤10μm | ≤15μm |
| LTV | ≤3μm(5mm*5mm) | ≤5μm(5mm*5mm) | ≤10μm(5mm*5mm) |
| Arco | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Ordito | ≤35μm | ≤45μm | ≤55μm |
| Rugosità anteriore (Si-face) (AFM) | Ra≤0,2 nm (5μm*5μm) | ||
| Struttura | |||
| Densità del microtubo | <1 pezzo/cm2 | <10 pezzi/cm2 | <15 pezzi/cm2 |
| Impurità metalliche | ≤5E10atomi/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ciascuno/cm2 | ≤3000 ciascuno/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ciascuno/cm2 | ≤1000 ciascuno/cm2 | NA |
| Qualità frontale | |||
| Fronte | Si | ||
| Finitura superficiale | Si-face CMP | ||
| Particelle | ≤60 pezzi/wafer (dimensione≥0,3μm) | NA | |
| Graffi | ≤5 pezzi/mm. Lunghezza cumulativa ≤Diametro | Lunghezza cumulativa ≤2*Diametro | NA |
| Buccia d'arancia/noccioli/macchie/striature/crepe/contaminazione | Nessuno | NA | |
| Scheggiature/rientranze/fratture/piastre esagonali sui bordi | Nessuno | ||
| Aree di politipo | Nessuno | Area cumulativa ≤ 20% | Area cumulativa ≤ 30% |
| Marcatura laser frontale | Nessuno | ||
| Indietro Qualità | |||
| Finitura posteriore | CMP faccia C | ||
| Graffi | ≤5ea/mm,Lunghezza cumulativa≤2*Diametro | NA | |
| Difetti sul retro (scheggiature/rientranze sui bordi) | Nessuno | ||
| Rugosità della schiena | Ra≤0,2 nm (5μm*5μm) | ||
| Marcatura laser sul retro | 1 mm (dal bordo superiore) | ||
| Bordo | |||
| Bordo | Smussare | ||
| Confezione | |||
| Confezione | Epi-ready con confezionamento sottovuoto Confezione in cassetta multi-wafer | ||
| *Note: "NA" significa nessuna richiesta. Gli articoli non menzionati possono fare riferimento a SEMI-STD. | |||
