I substrati wafer lucidati a doppio lato SiC semiisolanti ad alta purezza (HPSI) da 4 pollici di Semicera sono realizzati per soddisfare le esigenti richieste dell'industria dei semiconduttori. Questi substrati sono progettati con planarità e purezza eccezionali, offrendo una piattaforma ottimale per dispositivi elettronici all'avanguardia.
Questi wafer SiC HPSI si distinguono per le loro proprietà superiori di conduttività termica e isolamento elettrico, che li rendono una scelta eccellente per applicazioni ad alta frequenza e ad alta potenza. Il processo di lucidatura su entrambi i lati garantisce una ruvidità superficiale minima, fondamentale per migliorare le prestazioni e la longevità del dispositivo.
L'elevata purezza dei wafer SiC di Semicera riduce al minimo i difetti e le impurità, garantendo tassi di rendimento e affidabilità del dispositivo più elevati. Questi substrati sono adatti per un'ampia gamma di applicazioni, inclusi dispositivi a microonde, elettronica di potenza e tecnologie LED, dove precisione e durata sono essenziali.
Con particolare attenzione all'innovazione e alla qualità, Semicera utilizza tecniche di produzione avanzate per produrre wafer che soddisfano i severi requisiti dell'elettronica moderna. La lucidatura su due lati non solo migliora la resistenza meccanica ma facilita anche una migliore integrazione con altri materiali semiconduttori.
Scegliendo i substrati wafer lucidati su entrambi i lati HPSI SiC semiisolanti ad alta purezza da 4 pollici di Semicera, i produttori possono sfruttare i vantaggi di una migliore gestione termica e isolamento elettrico, aprendo la strada allo sviluppo di dispositivi elettronici più efficienti e potenti. Semicera continua a guidare il settore con il suo impegno per la qualità e il progresso tecnologico.
| Elementi | Produzione | Ricerca | Manichino |
| Parametri di cristallo | |||
| Politipo | 4H | ||
| Errore di orientamento della superficie | <11-20 >4±0,15° | ||
| Parametri Elettrici | |||
| Dopante | Azoto di tipo n | ||
| Resistività | 0,015-0,025ohm·cm | ||
| Parametri meccanici | |||
| Diametro | 150,0±0,2 mm | ||
| Spessore | 350±25μm | ||
| Orientamento piatto primario | [1-100]±5° | ||
| Lunghezza piatta primaria | 47,5±1,5 mm | ||
| Appartamento secondario | Nessuno | ||
| TTV | ≤5μm | ≤10μm | ≤15μm |
| LTV | ≤3μm(5mm*5mm) | ≤5μm(5mm*5mm) | ≤10μm(5mm*5mm) |
| Arco | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Ordito | ≤35μm | ≤45μm | ≤55μm |
| Rugosità anteriore (Si-face) (AFM) | Ra≤0,2 nm (5μm*5μm) | ||
| Struttura | |||
| Densità del microtubo | <1 pezzo/cm2 | <10 pezzi/cm2 | <15 pezzi/cm2 |
| Impurità metalliche | ≤5E10atomi/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ciascuno/cm2 | ≤3000 ciascuno/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ciascuno/cm2 | ≤1000 ciascuno/cm2 | NA |
| Qualità frontale | |||
| Fronte | Si | ||
| Finitura superficiale | Si-face CMP | ||
| Particelle | ≤60 pezzi/wafer (dimensione≥0,3μm) | NA | |
| Graffi | ≤5 pezzi/mm. Lunghezza cumulativa ≤Diametro | Lunghezza cumulativa ≤2*Diametro | NA |
| Buccia d'arancia/noccioli/macchie/striature/crepe/contaminazione | Nessuno | NA | |
| Scheggiature/rientranze/fratture/piastre esagonali sui bordi | Nessuno | ||
| Aree di politipo | Nessuno | Area cumulativa ≤ 20% | Area cumulativa ≤ 30% |
| Marcatura laser frontale | Nessuno | ||
| Indietro Qualità | |||
| Finitura posteriore | CMP faccia C | ||
| Graffi | ≤5ea/mm,Lunghezza cumulativa≤2*Diametro | NA | |
| Difetti sul retro (scheggiature/rientranze sui bordi) | Nessuno | ||
| Rugosità della schiena | Ra≤0,2 nm (5μm*5μm) | ||
| Marcatura laser sul retro | 1 mm (dal bordo superiore) | ||
| Bordo | |||
| Bordo | Smussare | ||
| Confezione | |||
| Confezione | Epi-ready con confezionamento sottovuoto Confezione in cassetta multi-wafer | ||
| *Note: "NA" significa nessuna richiesta. Gli articoli non menzionati possono fare riferimento a SEMI-STD. | |||
