Lingotto SiC semiisolante da 4″ 6″ ad alta purezza

Breve descrizione:

I lingotti SiC semiisolanti da 4"6" ad alta purezza di Semicera sono meticolosamente realizzati per applicazioni elettroniche e optoelettroniche avanzate. Caratterizzati da conduttività termica e resistività elettrica superiori, questi lingotti forniscono una base solida per dispositivi ad alte prestazioni. Semicera garantisce qualità e affidabilità costanti in ogni prodotto.


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I lingotti SiC semiisolanti da 4"6" ad alta purezza di Semicera sono progettati per soddisfare i rigorosi standard dell'industria dei semiconduttori. Questi lingotti sono prodotti con particolare attenzione alla purezza e alla consistenza, rendendoli la scelta ideale per applicazioni ad alta potenza e ad alta frequenza dove le prestazioni sono fondamentali.

Le proprietà uniche di questi lingotti SiC, tra cui l'elevata conduttività termica e l'eccellente resistività elettrica, li rendono particolarmente adatti per l'uso nell'elettronica di potenza e nei dispositivi a microonde. La loro natura semi-isolante consente un'efficace dissipazione del calore e un'interferenza elettrica minima, portando a componenti più efficienti e affidabili.

Semicera utilizza processi di produzione all'avanguardia per produrre lingotti con qualità cristallina e uniformità eccezionali. Questa precisione garantisce che ogni lingotto possa essere utilizzato in modo affidabile in applicazioni sensibili, come amplificatori ad alta frequenza, diodi laser e altri dispositivi optoelettronici.

Disponibili nelle dimensioni da 4 e 6 pollici, i lingotti SiC di Semicera offrono la flessibilità necessaria per varie scale di produzione e requisiti tecnologici. Che si tratti di ricerca e sviluppo o di produzione di massa, questi lingotti offrono le prestazioni e la durata richieste dai moderni sistemi elettronici.

Scegliendo i lingotti SiC semiisolanti ad alta purezza di Semicera, stai investendo in un prodotto che combina la scienza dei materiali avanzata con una competenza produttiva senza precedenti. Semicera si impegna a supportare l'innovazione e la crescita dell'industria dei semiconduttori, offrendo materiali che consentono lo sviluppo di dispositivi elettronici all'avanguardia.

Elementi

Produzione

Ricerca

Manichino

Parametri di cristallo

Politipo

4H

Errore di orientamento della superficie

<11-20 >4±0,15°

Parametri Elettrici

Dopante

Azoto di tipo n

Resistività

0,015-0,025ohm·cm

Parametri meccanici

Diametro

150,0±0,2 mm

Spessore

350±25μm

Orientamento piatto primario

[1-100]±5°

Lunghezza piatta primaria

47,5±1,5 mm

Appartamento secondario

Nessuno

TTV

≤5μm

≤10μm

≤15μm

LTV

≤3μm(5mm*5mm)

≤5μm(5mm*5mm)

≤10μm(5mm*5mm)

Arco

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Ordito

≤35μm

≤45μm

≤55μm

Rugosità anteriore (Si-face) (AFM)

Ra≤0,2 nm (5μm*5μm)

Struttura

Densità del microtubo

<1 pezzo/cm2

<10 pezzi/cm2

<15 pezzi/cm2

Impurità metalliche

≤5E10atomi/cm2

NA

BPD

≤1500 ciascuno/cm2

≤3000 ciascuno/cm2

NA

TSD

≤500 ciascuno/cm2

≤1000 ciascuno/cm2

NA

Qualità frontale

Fronte

Si

Finitura superficiale

Si-face CMP

Particelle

≤60 pezzi/wafer (dimensione≥0,3μm)

NA

Graffi

≤5 pezzi/mm. Lunghezza cumulativa ≤Diametro

Lunghezza cumulativa ≤2*Diametro

NA

Buccia d'arancia/noccioli/macchie/striature/crepe/contaminazione

Nessuno

NA

Scheggiature/rientranze/fratture/piastre esagonali sui bordi

Nessuno

Aree di politipo

Nessuno

Area cumulativa ≤ 20%

Area cumulativa ≤ 30%

Marcatura laser frontale

Nessuno

Indietro Qualità

Finitura posteriore

CMP faccia C

Graffi

≤5ea/mm,Lunghezza cumulativa≤2*Diametro

NA

Difetti sul retro (scheggiature/rientranze sui bordi)

Nessuno

Rugosità della schiena

Ra≤0,2 nm (5μm*5μm)

Marcatura laser sul retro

1 mm (dal bordo superiore)

Bordo

Bordo

Smussare

Confezione

Confezione

Epi-ready con confezionamento sottovuoto

Confezione in cassetta multi-wafer

*Note: "NA" significa nessuna richiesta. Gli articoli non menzionati possono fare riferimento a SEMI-STD.

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Wafer SiC

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