Il wafer di legame LiNbO3 da 6 pollici di Semicera è progettato per soddisfare i rigorosi standard dell'industria dei semiconduttori, offrendo prestazioni senza precedenti sia negli ambienti di ricerca che di produzione. Che si tratti di optoelettronica di fascia alta, MEMS o di imballaggi avanzati per semiconduttori, questo wafer di collegamento offre l'affidabilità e la durata necessarie per lo sviluppo di tecnologie all'avanguardia.
Nell'industria dei semiconduttori, il wafer di legame LiNbO3 da 6 pollici è ampiamente utilizzato per l'incollaggio di strati sottili in dispositivi optoelettronici, sensori e sistemi microelettromeccanici (MEMS). Le sue eccezionali proprietà lo rendono un componente prezioso per applicazioni che richiedono una precisa integrazione a livello, come nella fabbricazione di circuiti integrati (IC) e dispositivi fotonici. L'elevata purezza del wafer garantisce che il prodotto finale mantenga prestazioni ottimali, riducendo al minimo il rischio di contaminazione che potrebbe influire sull'affidabilità del dispositivo.
| Proprietà termiche ed elettriche del LiNbO3 | |
| Punto di fusione | 1250 ℃ |
| Temperatura di Curie | 1140 ℃ |
| Conduttività termica | 38 W/m/K a 25 ℃ |
| Coefficiente di dilatazione termica (@ 25°C) | //a,2.0×10-6/K //c,2.2×10-6/K |
| Resistività | 2×10-6Ω·cm a 200 ℃ |
| Costante dielettrica | εS11/ε0=43, εT11/ε0=78 εS33/ε0=28, εT33/ε0= 2 |
| Costante piezoelettrica | D22=2,04×10-11C/N D33=19,22×10-11C/N |
| Coefficiente elettro-ottico | γT33=32 pm/V, γS33=31 pm/V, γT31=10 pm/V, γS31=20,6 pm/V, γT22=6,8 pm/V, γS22= 15,4 pm/V, |
| Tensione a semionda, CC | 3,03 KV 4,02 KV |
Il wafer di bonding LiNbO3 da 6 pollici di Semicera è progettato specificamente per applicazioni avanzate nei settori dei semiconduttori e dell'optoelettronica. Conosciuto per la sua resistenza all'usura superiore, l'elevata stabilità termica e l'eccezionale purezza, questo wafer di collegamento è ideale per la produzione di semiconduttori ad alte prestazioni, offrendo affidabilità e precisione di lunga durata anche in condizioni difficili.
Realizzato con una tecnologia all'avanguardia, il wafer di legame LiNbO3 da 6 pollici garantisce una contaminazione minima, che è fondamentale per i processi di produzione di semiconduttori che richiedono elevati livelli di purezza. La sua eccellente stabilità termica gli consente di resistere a temperature elevate senza compromettere l'integrità strutturale, rendendolo una scelta affidabile per applicazioni di incollaggio ad alta temperatura. Inoltre, l'eccezionale resistenza all'usura del wafer garantisce prestazioni costanti anche dopo un uso prolungato, garantendo una lunga durata e riducendo la necessità di sostituzioni frequenti.
