Il wafer SiC di tipo N da 6 pollici di Semicera è all'avanguardia nella tecnologia dei semiconduttori. Realizzato per prestazioni ottimali, questo wafer eccelle nelle applicazioni ad alta potenza, alta frequenza e alta temperatura, essenziali per i dispositivi elettronici avanzati.
Il nostro wafer SiC di tipo N da 6 pollici presenta un'elevata mobilità degli elettroni e una bassa resistenza in conduzione, che sono parametri critici per dispositivi di potenza come MOSFET, diodi e altri componenti. Queste proprietà garantiscono un'efficiente conversione dell'energia e una ridotta generazione di calore, migliorando le prestazioni e la durata dei sistemi elettronici.
I rigorosi processi di controllo qualità di Semicera garantiscono che ogni wafer SiC mantenga un'eccellente planarità superficiale e difetti minimi. Questa meticolosa attenzione ai dettagli garantisce che i nostri wafer soddisfino i severi requisiti di settori quali quello automobilistico, aerospaziale e delle telecomunicazioni.
Oltre alle sue proprietà elettriche superiori, il wafer SiC di tipo N offre robusta stabilità termica e resistenza alle alte temperature, rendendolo ideale per ambienti in cui i materiali convenzionali potrebbero guastarsi. Questa capacità è particolarmente preziosa nelle applicazioni che implicano operazioni ad alta frequenza e ad alta potenza.
Scegliendo il wafer SiC di tipo N da 6 pollici di Semicera, stai investendo in un prodotto che rappresenta l'apice dell'innovazione dei semiconduttori. Ci impegniamo a fornire gli elementi costitutivi per dispositivi all'avanguardia, garantendo che i nostri partner in vari settori abbiano accesso ai migliori materiali per i loro progressi tecnologici.
| Elementi | Produzione | Ricerca | Manichino |
| Parametri di cristallo | |||
| Politipo | 4H | ||
| Errore di orientamento della superficie | <11-20 >4±0,15° | ||
| Parametri Elettrici | |||
| Dopante | Azoto di tipo n | ||
| Resistività | 0,015-0,025ohm·cm | ||
| Parametri meccanici | |||
| Diametro | 150,0±0,2 mm | ||
| Spessore | 350±25μm | ||
| Orientamento piatto primario | [1-100]±5° | ||
| Lunghezza piatta primaria | 47,5±1,5 mm | ||
| Appartamento secondario | Nessuno | ||
| TTV | ≤5μm | ≤10μm | ≤15μm |
| LTV | ≤3μm(5mm*5mm) | ≤5μm(5mm*5mm) | ≤10μm(5mm*5mm) |
| Arco | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Ordito | ≤35μm | ≤45μm | ≤55μm |
| Rugosità anteriore (Si-face) (AFM) | Ra≤0,2 nm (5μm*5μm) | ||
| Struttura | |||
| Densità del microtubo | <1 pezzo/cm2 | <10 pezzi/cm2 | <15 pezzi/cm2 |
| Impurità metalliche | ≤5E10atomi/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ciascuno/cm2 | ≤3000 ciascuno/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ciascuno/cm2 | ≤1000 ciascuno/cm2 | NA |
| Qualità frontale | |||
| Fronte | Si | ||
| Finitura superficiale | Si-face CMP | ||
| Particelle | ≤60 pezzi/wafer (dimensione≥0,3μm) | NA | |
| Graffi | ≤5 pezzi/mm. Lunghezza cumulativa ≤Diametro | Lunghezza cumulativa ≤2*Diametro | NA |
| Buccia d'arancia/noccioli/macchie/striature/crepe/contaminazione | Nessuno | NA | |
| Scheggiature/rientranze/fratture/piastre esagonali sui bordi | Nessuno | ||
| Aree di politipo | Nessuno | Area cumulativa ≤ 20% | Area cumulativa ≤ 30% |
| Marcatura laser frontale | Nessuno | ||
| Indietro Qualità | |||
| Finitura posteriore | CMP faccia C | ||
| Graffi | ≤5ea/mm,Lunghezza cumulativa≤2*Diametro | NA | |
| Difetti sul retro (scheggiature/rientranze sui bordi) | Nessuno | ||
| Rugosità della schiena | Ra≤0,2 nm (5μm*5μm) | ||
| Marcatura laser sul retro | 1 mm (dal bordo superiore) | ||
| Bordo | |||
| Bordo | Smussare | ||
| Confezione | |||
| Confezione | Epi-ready con confezionamento sottovuoto Confezione in cassetta multi-wafer | ||
| *Note: "NA" significa nessuna richiesta. Gli articoli non menzionati possono fare riferimento a SEMI-STD. | |||
