Wafer SiC HPSI semiisolante da 6 pollici

Breve descrizione:

I wafer SiC HPSI semiisolanti da 6 pollici di Semicera sono progettati per la massima efficienza e affidabilità nell'elettronica ad alte prestazioni. Questi wafer presentano eccellenti proprietà termiche ed elettriche, che li rendono ideali per una varietà di applicazioni, inclusi dispositivi di potenza ed elettronica ad alta frequenza. Scegli Semicera per qualità superiore e innovazione.


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I wafer SiC semiisolanti HPSI da 6 pollici di Semicera sono progettati per soddisfare le rigorose esigenze della moderna tecnologia dei semiconduttori. Con purezza e consistenza eccezionali, questi wafer costituiscono una base affidabile per lo sviluppo di componenti elettronici ad alta efficienza.

Questi wafer SiC HPSI sono noti per la loro eccezionale conduttività termica e isolamento elettrico, che sono fondamentali per ottimizzare le prestazioni dei dispositivi di potenza e dei circuiti ad alta frequenza. Le proprietà semiisolanti aiutano a ridurre al minimo le interferenze elettriche e a massimizzare l'efficienza del dispositivo.

Il processo di produzione di alta qualità impiegato da Semicera garantisce che ogni wafer abbia uno spessore uniforme e difetti superficiali minimi. Questa precisione è essenziale per applicazioni avanzate come dispositivi a radiofrequenza, inverter di potenza e sistemi LED, dove prestazioni e durata sono fattori chiave.

Sfruttando tecniche di produzione all'avanguardia, Semicera fornisce wafer che non solo soddisfano ma superano gli standard del settore. La dimensione da 6 pollici offre flessibilità nell'incremento della produzione, soddisfacendo sia la ricerca che le applicazioni commerciali nel settore dei semiconduttori.

Scegliere i wafer SiC semiisolanti HPSI da 6 pollici di Semicera significa investire in un prodotto che offre qualità e prestazioni costanti. Questi wafer fanno parte dell'impegno di Semicera nel far progredire le capacità della tecnologia dei semiconduttori attraverso materiali innovativi e una meticolosa lavorazione artigianale.

Elementi

Produzione

Ricerca

Manichino

Parametri di cristallo

Politipo

4H

Errore di orientamento della superficie

<11-20 >4±0,15°

Parametri Elettrici

Dopante

Azoto di tipo n

Resistività

0,015-0,025ohm·cm

Parametri meccanici

Diametro

150,0±0,2 mm

Spessore

350±25μm

Orientamento piatto primario

[1-100]±5°

Lunghezza piatta primaria

47,5±1,5 mm

Appartamento secondario

Nessuno

TTV

≤5μm

≤10μm

≤15μm

LTV

≤3μm(5mm*5mm)

≤5μm(5mm*5mm)

≤10μm(5mm*5mm)

Arco

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Ordito

≤35μm

≤45μm

≤55μm

Rugosità anteriore (Si-face) (AFM)

Ra≤0,2 nm (5μm*5μm)

Struttura

Densità del microtubo

<1 pezzo/cm2

<10 pezzi/cm2

<15 pezzi/cm2

Impurità metalliche

≤5E10atomi/cm2

NA

BPD

≤1500 ciascuno/cm2

≤3000 ciascuno/cm2

NA

TSD

≤500 ciascuno/cm2

≤1000 ciascuno/cm2

NA

Qualità frontale

Fronte

Si

Finitura superficiale

Si-face CMP

Particelle

≤60 pezzi/wafer (dimensione≥0,3μm)

NA

Graffi

≤5 pezzi/mm. Lunghezza cumulativa ≤Diametro

Lunghezza cumulativa ≤2*Diametro

NA

Buccia d'arancia/noccioli/macchie/striature/crepe/contaminazione

Nessuno

NA

Scheggiature/rientranze/fratture/piastre esagonali sui bordi

Nessuno

Aree di politipo

Nessuno

Area cumulativa ≤ 20%

Area cumulativa ≤ 30%

Marcatura laser frontale

Nessuno

Indietro Qualità

Finitura posteriore

CMP faccia C

Graffi

≤5ea/mm,Lunghezza cumulativa≤2*Diametro

NA

Difetti sul retro (scheggiature/rientranze sui bordi)

Nessuno

Rugosità della schiena

Ra≤0,2 nm (5μm*5μm)

Marcatura laser sul retro

1 mm (dal bordo superiore)

Bordo

Bordo

Smussare

Confezione

Confezione

Epi-ready con confezionamento sottovuoto

Confezione in cassetta multi-wafer

*Note: "NA" significa nessuna richiesta. Gli articoli non menzionati possono fare riferimento a SEMI-STD.

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Wafer SiC

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