Wafer SiC di tipo N da 8 pollici

Breve descrizione:

I wafer SiC di tipo N da 8 pollici di Semicera sono progettati per applicazioni all'avanguardia nell'elettronica ad alta potenza e ad alta frequenza. Questi wafer forniscono proprietà elettriche e termiche superiori, garantendo prestazioni efficienti in ambienti difficili. Semicera offre innovazione e affidabilità nei materiali semiconduttori.


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I wafer SiC di tipo N da 8 pollici di Semicera sono all'avanguardia nell'innovazione dei semiconduttori, fornendo una solida base per lo sviluppo di dispositivi elettronici ad alte prestazioni. Questi wafer sono progettati per soddisfare le rigorose esigenze delle moderne applicazioni elettroniche, dall'elettronica di potenza ai circuiti ad alta frequenza.

Il drogaggio di tipo N in questi wafer SiC ne migliora la conduttività elettrica, rendendoli ideali per un'ampia gamma di applicazioni, inclusi diodi di potenza, transistor e amplificatori. La conduttività superiore garantisce una perdita di energia minima e un funzionamento efficiente, che sono fondamentali per i dispositivi che funzionano a frequenze e livelli di potenza elevati.

Semicera utilizza tecniche di produzione avanzate per produrre wafer SiC con eccezionale uniformità superficiale e difetti minimi. Questo livello di precisione è essenziale per le applicazioni che richiedono prestazioni costanti e durata, come nei settori aerospaziale, automobilistico e delle telecomunicazioni.

L'integrazione dei wafer SiC di tipo N da 8 pollici di Semicera nella vostra linea di produzione fornisce una base per la creazione di componenti in grado di resistere ad ambienti difficili e alle alte temperature. Questi wafer sono perfetti per applicazioni nella conversione di potenza, nella tecnologia RF e in altri campi impegnativi.

Scegliere i wafer SiC di tipo N da 8 pollici di Semicera significa investire in un prodotto che combina la scienza dei materiali di alta qualità con un'ingegneria precisa. Semicera è impegnata a migliorare le capacità delle tecnologie dei semiconduttori, offrendo soluzioni che migliorano l'efficienza e l'affidabilità dei vostri dispositivi elettronici.

Elementi

Produzione

Ricerca

Manichino

Parametri di cristallo

Politipo

4H

Errore di orientamento della superficie

<11-20 >4±0,15°

Parametri Elettrici

Dopante

Azoto di tipo n

Resistività

0,015-0,025ohm·cm

Parametri meccanici

Diametro

150,0±0,2 mm

Spessore

350±25μm

Orientamento piatto primario

[1-100]±5°

Lunghezza piatta primaria

47,5±1,5 mm

Appartamento secondario

Nessuno

TTV

≤5μm

≤10μm

≤15μm

LTV

≤3μm(5mm*5mm)

≤5μm(5mm*5mm)

≤10μm(5mm*5mm)

Arco

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Ordito

≤35μm

≤45μm

≤55μm

Rugosità anteriore (Si-face) (AFM)

Ra≤0,2 nm (5μm*5μm)

Struttura

Densità del microtubo

<1 pezzo/cm2

<10 pezzi/cm2

<15 pezzi/cm2

Impurità metalliche

≤5E10atomi/cm2

NA

BPD

≤1500 ciascuno/cm2

≤3000 ciascuno/cm2

NA

TSD

≤500 ciascuno/cm2

≤1000 ciascuno/cm2

NA

Qualità frontale

Fronte

Si

Finitura superficiale

Si-face CMP

Particelle

≤60 pezzi/wafer (dimensione≥0,3μm)

NA

Graffi

≤5 pezzi/mm. Lunghezza cumulativa ≤Diametro

Lunghezza cumulativa ≤2*Diametro

NA

Buccia d'arancia/noccioli/macchie/striature/crepe/contaminazione

Nessuno

NA

Scheggiature/rientranze/fratture/piastre esagonali sui bordi

Nessuno

Aree di politipo

Nessuno

Area cumulativa ≤ 20%

Area cumulativa ≤ 30%

Marcatura laser frontale

Nessuno

Indietro Qualità

Finitura posteriore

CMP faccia C

Graffi

≤5ea/mm, lunghezza cumulativa≤2*Diametro

NA

Difetti sul retro (scheggiature/rientranze sui bordi)

Nessuno

Rugosità della schiena

Ra≤0,2 nm (5μm*5μm)

Marcatura laser sul retro

1 mm (dal bordo superiore)

Bordo

Bordo

Smussare

Confezione

Confezione

Epi-ready con confezionamento sottovuoto

Confezione in cassetta multi-wafer

*Note: "NA" significa nessuna richiesta. Gli articoli non menzionati possono fare riferimento a SEMI-STD.

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