I wafer SiC di tipo N da 8 pollici di Semicera sono all'avanguardia nell'innovazione dei semiconduttori, fornendo una solida base per lo sviluppo di dispositivi elettronici ad alte prestazioni. Questi wafer sono progettati per soddisfare le rigorose esigenze delle moderne applicazioni elettroniche, dall'elettronica di potenza ai circuiti ad alta frequenza.
Il drogaggio di tipo N in questi wafer SiC ne migliora la conduttività elettrica, rendendoli ideali per un'ampia gamma di applicazioni, inclusi diodi di potenza, transistor e amplificatori. La conduttività superiore garantisce una perdita di energia minima e un funzionamento efficiente, che sono fondamentali per i dispositivi che funzionano a frequenze e livelli di potenza elevati.
Semicera utilizza tecniche di produzione avanzate per produrre wafer SiC con eccezionale uniformità superficiale e difetti minimi. Questo livello di precisione è essenziale per le applicazioni che richiedono prestazioni costanti e durata, come nei settori aerospaziale, automobilistico e delle telecomunicazioni.
L'integrazione dei wafer SiC di tipo N da 8 pollici di Semicera nella vostra linea di produzione fornisce una base per la creazione di componenti in grado di resistere ad ambienti difficili e alle alte temperature. Questi wafer sono perfetti per applicazioni nella conversione di potenza, nella tecnologia RF e in altri campi impegnativi.
Scegliere i wafer SiC di tipo N da 8 pollici di Semicera significa investire in un prodotto che combina la scienza dei materiali di alta qualità con un'ingegneria precisa. Semicera è impegnata a migliorare le capacità delle tecnologie dei semiconduttori, offrendo soluzioni che migliorano l'efficienza e l'affidabilità dei vostri dispositivi elettronici.
Elementi | Produzione | Ricerca | Manichino |
Parametri di cristallo | |||
Politipo | 4H | ||
Errore di orientamento della superficie | <11-20 >4±0,15° | ||
Parametri Elettrici | |||
Dopante | Azoto di tipo n | ||
Resistività | 0,015-0,025ohm·cm | ||
Parametri meccanici | |||
Diametro | 150,0±0,2 mm | ||
Spessore | 350±25μm | ||
Orientamento piatto primario | [1-100]±5° | ||
Lunghezza piatta primaria | 47,5±1,5 mm | ||
Appartamento secondario | Nessuno | ||
TTV | ≤5μm | ≤10μm | ≤15μm |
LTV | ≤3μm(5mm*5mm) | ≤5μm(5mm*5mm) | ≤10μm(5mm*5mm) |
Arco | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
Ordito | ≤35μm | ≤45μm | ≤55μm |
Rugosità anteriore (Si-face) (AFM) | Ra≤0,2 nm (5μm*5μm) | ||
Struttura | |||
Densità del microtubo | <1 pezzo/cm2 | <10 pezzi/cm2 | <15 pezzi/cm2 |
Impurità metalliche | ≤5E10atomi/cm2 | NA | |
BPD | ≤1500 ciascuno/cm2 | ≤3000 ciascuno/cm2 | NA |
TSD | ≤500 ciascuno/cm2 | ≤1000 ciascuno/cm2 | NA |
Qualità frontale | |||
Fronte | Si | ||
Finitura superficiale | Si-face CMP | ||
Particelle | ≤60 pezzi/wafer (dimensione≥0,3μm) | NA | |
Graffi | ≤5 pezzi/mm. Lunghezza cumulativa ≤Diametro | Lunghezza cumulativa ≤2*Diametro | NA |
Buccia d'arancia/noccioli/macchie/striature/crepe/contaminazione | Nessuno | NA | |
Scheggiature/rientranze/fratture/piastre esagonali sui bordi | Nessuno | ||
Aree di politipo | Nessuno | Area cumulativa ≤ 20% | Area cumulativa ≤ 30% |
Marcatura laser frontale | Nessuno | ||
Indietro Qualità | |||
Finitura posteriore | CMP faccia C | ||
Graffi | ≤5ea/mm,Lunghezza cumulativa≤2*Diametro | NA | |
Difetti sul retro (scheggiature/rientranze sui bordi) | Nessuno | ||
Rugosità della schiena | Ra≤0,2 nm (5μm*5μm) | ||
Marcatura laser sul retro | 1 mm (dal bordo superiore) | ||
Bordo | |||
Bordo | Smussare | ||
Confezione | |||
Confezione | Epi-ready con confezionamento sottovuoto Confezione in cassetta multi-wafer | ||
*Note: "NA" significa nessuna richiesta. Gli articoli non menzionati possono fare riferimento a SEMI-STD. |