Substrato SiC conduttivo di tipo n da 8 pollici

Breve descrizione:

Il substrato SiC di tipo n da 8 pollici è un substrato monocristallo avanzato di carburo di silicio (SiC) di tipo n con un diametro compreso tra 195 e 205 mm e uno spessore compreso tra 300 e 650 micron. Questo substrato ha un'elevata concentrazione di drogaggio e un profilo di concentrazione attentamente ottimizzato, fornendo prestazioni eccellenti per una varietà di applicazioni di semiconduttori.


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Il substrato SiC conduttivo di tipo n da 8 pollici offre prestazioni senza precedenti per i dispositivi elettronici di potenza, fornendo un'eccellente conduttività termica, un'elevata tensione di rottura e una qualità eccellente per applicazioni avanzate di semiconduttori. Semicera fornisce soluzioni leader del settore con il suo substrato SiC conduttivo di tipo n da 8 pollici progettato.

Il substrato SiC conduttivo di tipo n da 8 pollici di Semicera è un materiale all'avanguardia progettato per soddisfare le crescenti esigenze dell'elettronica di potenza e delle applicazioni di semiconduttori ad alte prestazioni. Il substrato combina i vantaggi del carburo di silicio e della conduttività di tipo n per offrire prestazioni ineguagliabili in dispositivi che richiedono elevata densità di potenza, efficienza termica e affidabilità.

Il substrato SiC conduttivo di tipo n da 8 pollici di Semicera è realizzato con cura per garantire qualità e consistenza superiori. Presenta un'eccellente conduttività termica per un'efficiente dissipazione del calore, che lo rende ideale per applicazioni ad alta potenza come inverter di potenza, diodi e transistor. Inoltre, l'elevata tensione di rottura di questo substrato garantisce che possa resistere a condizioni impegnative, fornendo una piattaforma robusta per l'elettronica ad alte prestazioni.

Semicera riconosce il ruolo fondamentale svolto dal substrato SiC conduttivo di tipo n da 8 lnch nel progresso della tecnologia dei semiconduttori. I nostri substrati sono prodotti utilizzando processi all'avanguardia per garantire una densità minima di difetti, che è fondamentale per lo sviluppo di dispositivi efficienti. Questa attenzione ai dettagli consente prodotti che supportano la produzione di elettronica di prossima generazione con prestazioni e durata più elevate.

Il nostro substrato SiC conduttivo di tipo n da 8 pollici è inoltre progettato per soddisfare le esigenze di un'ampia gamma di applicazioni, dal settore automobilistico alle energie rinnovabili. La conduttività di tipo n fornisce le proprietà elettriche necessarie per sviluppare dispositivi di potenza efficienti, rendendo questo substrato un componente chiave nella transizione verso tecnologie più efficienti dal punto di vista energetico.

Noi di Semicera ci impegniamo a fornire substrati che guidano l'innovazione nella produzione di semiconduttori. Il substrato SiC conduttivo di tipo n da 8 pollici è una testimonianza della nostra dedizione alla qualità e all'eccellenza, garantendo che i nostri clienti ricevano il miglior materiale possibile per le loro applicazioni.

Parametri di base

Misurare 8 pollici
Diametro 200,0 mm+0 mm/-0,2 mm
Orientamento della superficie fuori asse:4° verso <1120>士0,5°
Orientamento della tacca <1100>士1°
Angolo della tacca 90°+5°/-1°
Profondità della tacca 1 mm+0,25 mm/-0 mm
Appartamento secondario /
Spessore 500,0±25,0um/350,0±25,0um
Politipo 4H
Tipo conduttivo tipo n

 

8lnch tipo n sic Substrato-2
Wafer SiC

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