Grandi sconti per gli elementi riscaldanti Sic del riscaldatore ceramico al silicio del laboratorio universitario

Elementi riscaldanti Sic del riscaldatore ceramico al silicio del laboratorio universitario di grande sconto Immagine in evidenza

Breve descrizione:

WeiTai Tecnologia Energetica Co., Ltd. è un fornitore leader di ceramica semiconduttrice avanzata e l'unico produttore in Cina in grado di fornire contemporaneamente ceramica al carburo di silicio di elevata purezza (in particolare ilRicristallizzato SiC) e rivestimento CVD SiC.Inoltre, la nostra azienda è impegnata anche in campi ceramici come allumina, nitruro di alluminio, zirconio e nitruro di silicio, ecc.

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Diventare il palcoscenico per realizzare i sogni dei nostri dipendenti!Per costruire un team più felice, più unito e più esperto!Per raggiungere un vantaggio reciproco dei nostri clienti, fornitori, della società e di noi stessi per gli elementi riscaldanti Sic del riscaldatore ceramico al silicio del Big Discount University Lab, consideriamo la massima qualità più che la quantità.Prima dell'esportazione nei capelli viene effettuato un rigoroso controllo di qualità durante il trattamento secondo gli standard eccellenti internazionali.
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Caratteristiche principali del riscaldatore in grafite:

1. uniformità della struttura riscaldante.

2. buona conduttività elettrica e carico elettrico elevato.

3. resistenza alla corrosione.

4. inossidabilità.

5. elevata purezza chimica.

6. elevata resistenza meccanica.

Il vantaggio è l'efficienza energetica, l'alto valore e la bassa manutenzione.Siamo in grado di produrre crogioli in grafite antiossidante e di lunga durata, stampi in grafite e tutte le parti del riscaldatore in grafite.

Principali parametri del riscaldatore in grafite

Specifica tecnica	Semicera-M3
Densità apparente (g/cm3)	≥1,85
Contenuto di ceneri (PPM)	≤500
Durezza Shore	≥45
Resistenza specifica (μ.Ω.m)	≤12
Resistenza alla flessione (Mpa)	≥40
Resistenza alla compressione (Mpa)	≥70
Massimo.Granulometria (μm)	≤43
Coefficiente di dilatazione termica Mm/°C	≤4,4*10-6

Riscaldatore del substrato MOCVD_ Elementi riscaldanti per MOCVD
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