Introduzione al rivestimento in carburo di silicio
Il nostro rivestimento in carburo di silicio (SiC) con deposizione chimica in fase vapore (CVD) è uno strato altamente durevole e resistente all'usura, ideale per ambienti che richiedono elevata resistenza alla corrosione e al calore.Rivestimento in carburo di silicioviene applicato in strati sottili su vari substrati attraverso il processo CVD, offrendo caratteristiche prestazionali superiori.
Caratteristiche principali
● -Purezza eccezionale: Vanta una composizione ultra pura di99,99995%, NostroRivestimento SiCriduce al minimo i rischi di contaminazione nelle operazioni sensibili dei semiconduttori.
● -Resistenza superiore: Presenta un'eccellente resistenza sia all'usura che alla corrosione, rendendolo perfetto per ambienti chimici e al plasma impegnativi.
● -Elevata conduttività termica: Garantisce prestazioni affidabili a temperature estreme grazie alle sue eccezionali proprietà termiche.
● -Stabilità dimensionale: Mantiene l'integrità strutturale in un'ampia gamma di temperature, grazie al suo basso coefficiente di dilatazione termica.
● -Durezza migliorata: Con un grado di durezza di40 GPa, il nostro rivestimento SiC resiste a impatti e abrasioni significativi.
● -Finitura superficiale liscia: Fornisce una finitura a specchio, riducendo la generazione di particelle e migliorando l'efficienza operativa.
Applicazioni
Semicera Rivestimenti SiCsono utilizzati in varie fasi della produzione di semiconduttori, tra cui:
●-Fabbricazione di chip LED
●-Produzione di polisilicio
●-Crescita dei cristalli dei semiconduttori
●-Epitassia del silicio e del SiC
●-Ossidazione e diffusione termica (TO&D)
Forniamo componenti rivestiti in SiC realizzati con grafite isostatica ad alta resistenza, carbonio rinforzato con fibra di carbonio e carburo di silicio ricristallizzato 4N, su misura per reattori a letto fluidizzato,Convertitori STC-TCS, riflettori di unità CZ, wafer boat SiC, paddle SiCwafer, tubo wafer SiC e supporti wafer utilizzati nei processi PECVD, epitassia del silicio, MOCVD.
Vantaggi
● -Durata della vita estesa: Riduce significativamente i tempi di fermo delle apparecchiature e i costi di manutenzione, migliorando l'efficienza complessiva della produzione.
● -Qualità migliorata: Raggiunge superfici di elevata purezza necessarie per la lavorazione dei semiconduttori, migliorando così la qualità del prodotto.
● -Maggiore efficienza: Ottimizza i processi termici e CVD, con conseguenti tempi di ciclo più brevi e rendimenti più elevati.
Specifiche tecniche
● -Struttura: FCC fase β policristallina, prevalentemente orientata (111).
● -Densità: 3,21 g/cm³
● -Durezza: Durezza 2500 Vicks (carico 500 g)
● -Resistenza alla frattura: 3,0 MPa·m1/2
● -Coefficiente di dilatazione termica (100–600 °C): 4,3×10-6k-1
● -Modulo elastico(1300 ℃):435 GPa
● -Spessore tipico della pellicola:100 µm
● -Rugosità superficiale:2-10 µm
Dati sulla purezza (misurati mediante spettroscopia di massa con scarica a bagliore)
| Elemento | ppm | Elemento | ppm |
| Li | <0,001 | Cu | <0,01 |
| Be | <0,001 | Zn | <0,05 |
| Al | <0,04 | Ga | <0,01 |
| P | <0,01 | Ge | <0,05 |
| S | <0,04 | As | <0,005 |
| K | <0,05 | In | <0,01 |
| Ca | <0,05 | Sn | <0,01 |
| Ti | <0,005 | Sb | <0,01 |
| V | <0,001 | W | <0,05 |
| Cr | <0,05 | Te | <0,01 |
| Mn | <0,005 | Pb | <0,01 |
| Fe | <0,05 | Bi | <0,05 |
| Ni | <0,01 |
|
