La nostra azienda fornisceRivestimento SiCservizi di processo sulla superficie di grafite, ceramica e altri materiali mediante metodo CVD, in modo che gas speciali contenenti carbonio e silicio possano reagire ad alta temperatura per ottenere molecole di Sic di elevata purezza, che possono essere depositate sulla superficie dei materiali rivestiti per formare unStrato protettivo in SiCper tipo ipnotico a botte.
Caratteristiche principali:
1. Grafite rivestita in SiC ad alta purezza
2. Resistenza al calore e uniformità termica superiori
3. BeneRivestimento in cristallo SiCper una superficie liscia
4. Elevata resistenza alla pulizia chimica
Specifiche principali diRivestimento CVD-SIC
| Proprietà SiC-CVD | ||
| Struttura cristallina | Fase β dell'FCC | |
| Densità | g/cm³ | 3.21 |
| Durezza | Durezza Vickers | 2500 |
| Granulometria | µm | 2~10 |
| Purezza chimica | % | 99.99995 |
| Capacità termica | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Temperatura di sublimazione | ℃ | 2700 |
| Forza flessionale | MPa (RT 4 punti) | 415 |
| Modulo di Young | Gpa (curvatura 4 punti, 1300 ℃) | 430 |
| Dilatazione Termica (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Conduttività termica | (W/mK) | 300 |
-
Barca con wafer in carburo di silicio a semiconduttore
-
Vassoi per perni SiC per processi di incisione ICP nel...
-
Suscettore a barilotto rivestito in carburo di silici...
-
Riscaldatore in grafite rivestito in SiC
-
Polvere di carburo di silicio 6N per crescita PVT SiC
-
Riscaldatore in grafite rivestito in carburo di silicio