Descrizione
Il suscettore di grafite conRivestimento in carburo di silicio, 6 pezziPorta wafer da 6 pollicidi semicera offre eccezionale durata e conduttività termica per applicazioni di crescita epitassiale ad alte prestazioni. Semicera è specializzata in suscettori avanzati progettati per migliorare processi comeSi EpitassiaEEpitassia SiC, garantendo prestazioni affidabili negli ambienti impegnativi dei semiconduttori.
Questo suscettore è specificamente progettato per l'uso conSuscettore MOCVDsistemi e offre compatibilità con vari supporti come PSS Etching Carrier, ICP Etching Carrier e RTP Carrier. È ideale per la produzione di silicio monocristallino e le configurazioni di suscettore epitassiale LED, offrendo versatilità in diverse configurazioni, inclusi i design di suscettore a barile e suscettore a pancake.
Il suscettore in grafite con rivestimento in carburo di silicio supporta anche applicazioni nel settore dell'energia solare attraverso la sua integrazione con parti fotovoltaiche ed eccelle nei processi GaN su epitassia SiC. La sua capacità di supporto per wafer da 6 pollici garantisce un rendimento elevato, rendendolo uno strumento essenziale per i produttori dei settori dei semiconduttori e del fotovoltaico.
Caratteristiche principali
1. Grafite rivestita in SiC ad alta purezza
2. Resistenza al calore e uniformità termica superiori
3. BeneRivestimento in cristallo SiCper una superficie liscia
4. Elevata resistenza alla pulizia chimica
Specifiche principali dei rivestimenti CVD-SIC:
SiC-CVD | ||
Densità | (g/cc) | 3.21 |
Resistenza alla flessione | (MPa) | 470 |
Dilatazione termica | (10-6/K) | 4 |
Conduttività termica | (W/mK) | 300 |
Imballaggio e spedizione
Capacità di fornitura:
10000 pezzo/pezzi al mese
Imballaggio e consegna:
Imballaggio: imballaggio standard e robusto
Poli sacchetto + scatola + cartone + pallet
Porta:
Ningbo/Shenzhen/Shanghai
Tempi di consegna:
Quantità (pezzi) | 1-1000 | >1000 |
Est. Tempo (giorni) | 30 | Da negoziare |