Con SemiceraSubstrato InP e CdTe, potete aspettarvi una qualità superiore e una progettazione di precisione per soddisfare le esigenze specifiche dei vostri processi di produzione. Che si tratti di applicazioni fotovoltaiche o di dispositivi a semiconduttore, i nostri substrati sono realizzati per garantire prestazioni, durata e coerenza ottimali. In qualità di fornitore di fiducia, Semicera si impegna a fornire soluzioni di substrati personalizzabili e di alta qualità che guidano l'innovazione nei settori dell'elettronica e delle energie rinnovabili.
Proprietà cristalline ed elettriche✽1
| Tipo | Dopante | EPD（cm–2）（Vedi sotto A.） | Area DF（Esente da difetti）（cm2, Vedi sotto B.） | c/（c cm–3） | Mobilità（y cm2/Vs） | Resistività（y Ω・cm） |
| n | Sn | ≦5×104 ≦1×104 ≦5×103 | ────── | （0,5〜6）×1018 | ────── | ────── |
| n | S | ────── | ≧ 10（59,4%） ≧ 15（87%）.4 | （2〜10）×1018 | ────── | ────── |
| p | Zn | ────── | ≧ 10（59,4%） ≧ 15（87%）. | （3〜6）×1018 | ────── | ────── |
| SI | Fe | ≦5×104 ≦1×104 | ────── | ────── | ────── | ≧1×106 |
| n | nessuno | ≦5×104 | ────── | ≦1×1016 | ≧ 4×103 | ────── |
✽1 Altre specifiche sono disponibili su richiesta.
A.13 Media punti
1. Le densità dei pozzi di attacco delle dislocazioni sono misurate in 13 punti.
2. Viene calcolata la media ponderata dell'area delle densità di dislocazione.
B.DF Misurazione dell'area (in caso di garanzia di area)
1. Vengono conteggiate le densità dei pozzi di attacco di dislocazione di 69 punti mostrate a destra.
2. DF è definita come EPD inferiore a 500 cm–2
3. L'area DF massima misurata con questo metodo è 17,25 cm2
Specifiche comuni dei substrati monocristallini InP
1. Orientamento
Orientamento della superficie (100)±0,2º o (100)±0,05º
L'orientamento superficie off è disponibile su richiesta.
Orientamento del piano OF: (011)±1º o (011)±0,1º IF: (011)±2º
Cleved OF è disponibile su richiesta.
2. È disponibile la marcatura laser basata sullo standard SEMI.
3. Sono disponibili pacchetti individuali e pacchetti in gas N2.
4. È disponibile la soluzione Etch-and-Pack in gas N2.
5. Sono disponibili wafer rettangolari.
Le specifiche sopra riportate corrispondono allo standard JX.
Se sono necessarie altre specifiche, vi preghiamo di contattarci.
Orientamento
