Wafer boat in carburo di silicio ricristallizzato di grandi dimensioni

Breve descrizione:

Semicera Energy Technology Co., Ltd. è un'impresa high-tech con sede in Cina, siamo produttori e fornitori di barche in cristallo di carburo di silicio ricristallizzato per l'industria dei semiconduttori.


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Proprietà del carburo di silicio ricristallizzato

Il carburo di silicio ricristallizzato (R-SiC) è un materiale ad alte prestazioni con una durezza seconda solo al diamante, che si forma ad alta temperatura superiore a 2000 ℃. Conserva molte eccellenti proprietà del SiC, come resistenza alle alte temperature, forte resistenza alla corrosione, eccellente resistenza all'ossidazione, buona resistenza agli shock termici e così via.

● Eccellenti proprietà meccaniche. Il carburo di silicio ricristallizzato ha una maggiore resistenza e rigidità rispetto alla fibra di carbonio, un'elevata resistenza agli urti, può offrire buone prestazioni in ambienti a temperature estreme e può fornire migliori prestazioni di controbilanciamento in una varietà di situazioni. Inoltre, ha anche una buona flessibilità e non si danneggia facilmente con allungamenti e piegature, il che migliora notevolmente le sue prestazioni.

● Elevata resistenza alla corrosione. Il carburo di silicio ricristallizzato ha un'elevata resistenza alla corrosione su una varietà di mezzi, può prevenire l'erosione di una varietà di mezzi corrosivi, può mantenere le sue proprietà meccaniche per lungo tempo, ha una forte adesione, quindi ha una maggiore durata. Inoltre, ha anche una buona stabilità termica, può adattarsi a un certo intervallo di variazioni di temperatura e migliorare il suo effetto applicativo.

● La sinterizzazione non si ritira. Poiché il processo di sinterizzazione non si restringe, nessuno stress residuo causerà deformazioni o screpolature del prodotto e sarà possibile preparare parti con forme complesse e alta precisione.

Parametri tecnici:

foto 2

Scheda materiale

材料Materiale

R-SiC

使用温度Temperatura di lavoro (°C)

1600°C (氧化气氛Ambiente ossidante)

1700°C (还原气氛Ambiente riducente)

SiC含量Contenuto di SiC (%)

>99

自由含量Contenuto di Si libero (%)

<0,1

体积密度Densità apparente (g/cm3)

2,60-2,70

气孔率Porosità apparente (%)

<16

抗压强度Resistenza allo schiacciamento (MPa)

>600

常温抗弯强度Resistenza alla flessione a freddo (MPa)

80-90 (20°C)

高温抗弯强度Resistenza alla flessione a caldo (MPa)

90-100 (1400°C)

热膨胀系数

Coefficiente di dilatazione termica @1500°C (10-6/°C)

4,70

导热系数Conduttività termica @1200°C (W/mK)

23

杨氏模量Modulo elastico (GPa)

240

抗热震性Resistenza agli shock termici

okEstremamente buono

Barchetta in cristallo al carburo di silicio (2)
Barchetta in cristallo al carburo di silicio (3)
Barchetta in cristallo al carburo di silicio (4)
Barca del wafer del carburo di silicio (5)
Barca del wafer del carburo di silicio (4)
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