Wafer di legame LiNbO3

Breve descrizione:

Il cristallo di niobato di litio ha eccellenti proprietà elettro-ottiche, acusto-ottiche, piezoelettriche e non lineari. Il cristallo di niobato di litio è un importante cristallo multifunzionale con buone proprietà ottiche non lineari e un ampio coefficiente ottico non lineare; può anche ottenere un adattamento di fase non critico. Come cristallo elettro-ottico, è stato utilizzato come importante materiale per la guida d'onda ottica; come cristallo piezoelettrico, può essere utilizzato per realizzare filtri SAW a media e bassa frequenza, trasduttori ultrasonici ad alta potenza resistenti alle alte temperature, ecc. Anche i materiali drogati di niobato di litio sono ampiamente utilizzati.

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Il wafer adesivo LiNbO3 di Semicera è progettato per soddisfare le elevate esigenze della produzione avanzata di semiconduttori. Con le sue proprietà eccezionali, tra cui resistenza all'usura superiore, elevata stabilità termica e purezza eccezionale, questo wafer è ideale per l'uso in applicazioni che richiedono precisione e prestazioni di lunga durata.

Nell'industria dei semiconduttori, i wafer di legame LiNbO3 sono comunemente utilizzati per incollare strati sottili in dispositivi optoelettronici, sensori e circuiti integrati avanzati. Sono particolarmente apprezzati nella fotonica e nei MEMS (sistemi microelettromeccanici) grazie alle loro eccellenti proprietà dielettriche e alla capacità di resistere a condizioni operative difficili. Il wafer di legame LiNbO3 di Semicera è progettato per supportare un legame preciso degli strati, migliorando le prestazioni complessive e l'affidabilità dei dispositivi a semiconduttore.

Proprietà termiche ed elettriche del LiNbO3
Punto di fusione	1250 ℃
Temperatura di Curie	1140 ℃
Conduttività termica	38 W/m/K a 25 ℃
Coefficiente di dilatazione termica (@ 25°C)	//a,2.0×10^-6/K //c,2.2×10^-6/K
Resistività	2×10^-6Ω·cm a 200 ℃
Costante dielettrica	εS11/ε0=43, εT11/ε0=78 εS33/ε0=28, εT33/ε0= 2
Costante piezoelettrica	D₂₂=2,04×10^-11C/N D₃₃=19,22×10^-11C/N
Coefficiente elettro-ottico	γT₃₃=32 pm/V, γS₃₃=31 pm/V, γT₃₁=10 pm/V, γS₃₁=20,6 pm/V, γT₂₂=6,8 pm/V, γS₂₂= 15,4 pm/V,
Tensione a semionda, CC Campo elettrico // z, luce ⊥ Z; Campo elettrico // xo y, luce ⊥ z	3,03 KV 4,02 KV

Realizzato utilizzando materiali di alta qualità, il wafer di legame LiNbO3 garantisce un'affidabilità costante anche in condizioni estreme. La sua elevata stabilità termica lo rende particolarmente adatto ad ambienti che comportano temperature elevate, come quelle che si trovano nei processi di epitassia dei semiconduttori. Inoltre, l'elevata purezza del wafer garantisce una contaminazione minima, rendendolo una scelta affidabile per applicazioni critiche di semiconduttori.

Noi di Semicera ci impegniamo a fornire soluzioni leader del settore. Il nostro wafer di legame LiNbO3 offre durata senza pari e capacità ad alte prestazioni per applicazioni che richiedono elevata purezza, resistenza all'usura e stabilità termica. Che si tratti della produzione avanzata di semiconduttori o di altre tecnologie specializzate, questo wafer costituisce un componente essenziale per la produzione di dispositivi all'avanguardia.