Il wafer adesivo LiNbO3 di Semicera è progettato per soddisfare le elevate esigenze della produzione avanzata di semiconduttori. Con le sue proprietà eccezionali, tra cui resistenza all'usura superiore, elevata stabilità termica e purezza eccezionale, questo wafer è ideale per l'uso in applicazioni che richiedono precisione e prestazioni di lunga durata.
Nell'industria dei semiconduttori, i wafer di legame LiNbO3 sono comunemente utilizzati per incollare strati sottili in dispositivi optoelettronici, sensori e circuiti integrati avanzati. Sono particolarmente apprezzati nella fotonica e nei MEMS (sistemi microelettromeccanici) grazie alle loro eccellenti proprietà dielettriche e alla capacità di resistere a condizioni operative difficili. Il wafer di legame LiNbO3 di Semicera è progettato per supportare un legame preciso degli strati, migliorando le prestazioni complessive e l'affidabilità dei dispositivi a semiconduttore.
| Proprietà termiche ed elettriche del LiNbO3 | |
| Punto di fusione | 1250 ℃ |
| Temperatura di Curie | 1140 ℃ |
| Conduttività termica | 38 W/m/K a 25 ℃ |
| Coefficiente di dilatazione termica (@ 25°C) | //a,2.0×10-6/K //c,2.2×10-6/K |
| Resistività | 2×10-6Ω·cm a 200 ℃ |
| Costante dielettrica | εS11/ε0=43, εT11/ε0=78 εS33/ε0=28, εT33/ε0= 2 |
| Costante piezoelettrica | D22=2,04×10-11C/N D33=19,22×10-11C/N |
| Coefficiente elettro-ottico | γT33=32 pm/V, γS33=31 pm/V, γT31=10 pm/V, γS31=20,6 pm/V, γT22=6,8 pm/V, γS22= 15:4/V, |
| Tensione a semionda, CC | 3,03 KV 4,02 KV |
Realizzato utilizzando materiali di alta qualità, il wafer di legame LiNbO3 garantisce un'affidabilità costante anche in condizioni estreme. La sua elevata stabilità termica lo rende particolarmente adatto ad ambienti che comportano temperature elevate, come quelle che si trovano nei processi di epitassia dei semiconduttori. Inoltre, l'elevata purezza del wafer garantisce una contaminazione minima, rendendolo una scelta affidabile per applicazioni critiche di semiconduttori.
Noi di Semicera ci impegniamo a fornire soluzioni leader del settore. Il nostro wafer di legame LiNbO3 offre durata senza pari e capacità ad alte prestazioni per applicazioni che richiedono elevata purezza, resistenza all'usura e stabilità termica. Che si tratti della produzione avanzata di semiconduttori o di altre tecnologie specializzate, questo wafer costituisce un componente essenziale per la produzione di dispositivi all'avanguardia.
