Come uno dei componenti principali diAttrezzatura MOCVD, la base in grafite è il supporto e il corpo riscaldante del substrato, che determina direttamente l'uniformità e la purezza del materiale del film, quindi la sua qualità influenza direttamente la preparazione del foglio epitassiale e, allo stesso tempo, con l'aumento del numero di usi e il cambiamento delle condizioni di lavoro, è molto facile da indossare, appartenente ai materiali di consumo.
Sebbene la grafite abbia un'eccellente conduttività termica e stabilità, presenta un buon vantaggio come componente di baseAttrezzatura MOCVD, ma nel processo di produzione, la grafite corroderà la polvere a causa dei residui di gas corrosivi e sostanze organiche metalliche e la durata della base di grafite sarà notevolmente ridotta.Allo stesso tempo, la polvere di grafite che cade causerà inquinamento al chip.
L’emergere della tecnologia di rivestimento può fornire il fissaggio della polvere superficiale, migliorare la conduttività termica e uniformare la distribuzione del calore, che è diventata la tecnologia principale per risolvere questo problema.Base in grafiteAttrezzatura MOCVDambiente di utilizzo, il rivestimento superficiale a base di grafite deve soddisfare le seguenti caratteristiche:
(1) La base in grafite può essere completamente avvolta e la densità è buona, altrimenti è facile che la base in grafite venga corrosa dal gas corrosivo.
(2) La resistenza combinata con la base in grafite è elevata per garantire che il rivestimento non si stacchi facilmente dopo diversi cicli ad alta e bassa temperatura.
(3) Ha una buona stabilità chimica per evitare guasti al rivestimento in condizioni di temperatura elevata e atmosfera corrosiva.
Il SiC presenta i vantaggi di resistenza alla corrosione, elevata conduttività termica, resistenza allo shock termico ed elevata stabilità chimica e può funzionare bene in atmosfera epitassiale GaN.Inoltre, il coefficiente di dilatazione termica del SiC differisce molto poco da quello della grafite, pertanto il SiC è il materiale preferito per il rivestimento superficiale della base di grafite.
Attualmente, il SiC comune è principalmente di tipo 3C, 4H e 6H e gli usi SiC di diversi tipi di cristalli sono diversi.Ad esempio, il 4H-SiC può produrre dispositivi ad alta potenza;6H-SiC è il più stabile e può produrre dispositivi fotoelettrici;A causa della sua struttura simile al GaN, il 3C-SiC può essere utilizzato per produrre uno strato epitassiale GaN e fabbricare dispositivi RF SiC-GaN.3C-SiC è anche comunemente noto comeβ-SiC, e un uso importante diβ-SiC è un film e un materiale di rivestimento, quindiβ-Il SiC è attualmente il materiale principale per il rivestimento.
Orario di pubblicazione: 06-nov-2023