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Elemento riscaldante elettrico Sic in carburo di silicio ceramico a doppia spirale con sconto ordinario

Elemento riscaldante Sic in ceramica a doppia spirale elettrica scontata ordinaria Immagine in evidenza
  • Elemento riscaldante elettrico Sic in carburo di silicio ceramico a doppia spirale con sconto ordinario

Breve descrizione:

Il carburo di silicio è un nuovo tipo di ceramica con prestazioni ad alto costo ed eccellenti proprietà del materiale.Grazie a caratteristiche quali elevata resistenza e durezza, resistenza alle alte temperature, ottima conduttività termica e resistenza alla corrosione chimica, il carburo di silicio può resistere quasi a tutti i mezzi chimici.Pertanto, il SiC è ampiamente utilizzato nell'estrazione petrolifera, nella chimica, nei macchinari e nello spazio aereo, anche nell'energia nucleare e l'esercito ha le sue esigenze speciali sul SIC.Alcune normali applicazioni che possiamo offrire sono gli anelli di tenuta per pompe, valvole, armature protettive, ecc.


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Vantaggi

Resistenza all'ossidazione ad alta temperatura
Eccellente resistenza alla corrosione
Buona resistenza all'abrasione
Alto coefficiente di conducibilità termica
Autolubrificazione, bassa densità
Elevata durezza
Progettazione personalizzata.

HGF (2)
HGF (1)

Applicazioni

-Campo resistente all'usura: boccola, piastra, ugello di sabbiatura, rivestimento del ciclone, cilindro di macinazione, ecc...
-Campo ad alta temperatura: lastra siC, tubo del forno di tempra, tubo radiante, crogiolo, elemento riscaldante, rullo, trave, scambiatore di calore, tubo dell'aria fredda, ugello del bruciatore, tubo di protezione della termocoppia, barca SiC, struttura del carrello del forno, setter, ecc.
-Semiconduttore in carburo di silicio: barca wafer SiC, mandrino sic, pagaia sic, cassetta sic, tubo di diffusione sic, forcella wafer, piastra di aspirazione, guida, ecc.
-Campo di tenuta in carburo di silicio: tutti i tipi di anelli di tenuta, cuscinetti, boccole, ecc.
-Campo fotovoltaico: pala a sbalzo, cilindro di macinazione, rullo in carburo di silicio, ecc.
-Campo di batterie al litio

CIALDA (1)

CIALDA (2)

Proprietà fisiche del SiC

Proprietà Valore Metodo
Densità 3,21 g/cc Galleggiante e dimensioni
Calore specifico 0,66 J/g°K Flash laser pulsato
Resistenza alla flessione 450 MPa560 MPa Curva a 4 punti, curva RT4 punti, 1300°
Resistenza alla frattura 2,94MPa·m1/2 Microindentazione
Durezza 2800 Vicker's, carico da 500 g
Modulo elastico Modulo di Young 450 GPa430 GPa Curvatura 4 pt, curvatura RT4 pt, 1300 °C
Dimensione del grano 2 – 10 µm SEM

Proprietà termiche del SiC

Conduttività termica 250 W/m²K Metodo flash laser, RT
Dilatazione Termica (CTE) 4,5x10-6°K Temperatura ambiente fino a 950 °C, dilatometro alla silice

Parametri tecnici

Articolo Unità Dati
RBSiC(SiSiC) NBSiC SSiC RSiC OSiC
Contenuto di SiC % 85 75 99 99,9 ≥99
Contenuto di silicio libero % 15 0 0 0 0
Temperatura massima di servizio ℃ 1380 1450 1650 1620 1400
Densità g/cm3 3.02 2,75-2,85 3.08-3.16 2,65-2,75 2,75-2,85
Porosità aperta % 0 13-15 0 15-18 7-8
Resistenza alla flessione 20 ℃ Мpa 250 160 380 100 /
Resistenza alla flessione 1200 ℃ Мpa 280 180 400 120 /
Modulo di elasticità 20℃ GP 330 580 420 240 /
Modulo di elasticità 1200℃ GP 300 / / 200 /
Conduttività termica 1200 ℃ W/mK 45 19.6 100-120 36.6 /
Coefficiente di espansione termica K-1X10-6 4.5 4.7 4.1 4.69 /
HV Kg/mqm2 2115 / 2800 / /

Il rivestimento CVD in carburo di silicio sulla superficie esterna dei prodotti ceramici in carburo di silicio ricristallizzato può raggiungere una purezza superiore al 99,9999% per soddisfare le esigenze dei clienti dell'industria dei semiconduttori.

Immagini

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