Carburo di silicio (SiC) sfuso CVD
Panoramica:CVDcarburo di silicio sfuso (SiC)è un materiale molto ricercato nelle apparecchiature di incisione al plasma, nelle applicazioni di trattamento termico rapido (RTP) e in altri processi di produzione di semiconduttori. Le sue eccezionali proprietà meccaniche, chimiche e termiche lo rendono un materiale ideale per applicazioni tecnologiche avanzate che richiedono elevata precisione e durata.
Applicazioni del SiC sfuso CVD:Il SiC sfuso è fondamentale nell'industria dei semiconduttori, in particolare nei sistemi di incisione al plasma, dove componenti come anelli di messa a fuoco, soffioni a gas, anelli perimetrali e piastre beneficiano dell'eccezionale resistenza alla corrosione e conduttività termica del SiC. Il suo utilizzo si estende aRTPgrazie alla capacità del SiC di resistere a rapide fluttuazioni di temperatura senza un degrado significativo.
Oltre alle attrezzature per l'incisione, CVDSiC sfusoè preferito nei forni a diffusione e nei processi di crescita dei cristalli, dove sono richieste elevata stabilità termica e resistenza agli ambienti chimici difficili. Queste caratteristiche rendono il SiC il materiale preferito per le applicazioni più richieste che coinvolgono alte temperature e gas corrosivi, come quelli contenenti cloro e fluoro.
Vantaggi dei componenti SiC sfusi CVD:
•Alta densità:Con una densità di 3,2 g/cm³,SiC sfuso CVDi componenti sono altamente resistenti all'usura e agli urti meccanici.
•Conduttività termica superiore:Offrendo una conduttività termica di 300 W/m·K, il SiC sfuso gestisce in modo efficiente il calore, rendendolo ideale per i componenti esposti a cicli termici estremi.
•Eccezionale resistenza chimica:La bassa reattività del SiC con i gas di attacco, compresi i prodotti chimici a base di cloro e fluoro, garantisce una durata prolungata dei componenti.
•Resistività regolabile: SiC sfusi CVDla resistività può essere personalizzata nell'intervallo 10⁻²–10⁴ Ω-cm, rendendolo adattabile a specifiche esigenze di incisione e produzione di semiconduttori.
•Coefficiente di dilatazione termica:Con un coefficiente di espansione termica di 4,8 x 10⁻⁶/°C (25–1000°C), il SiC sfuso CVD resiste agli shock termici, mantenendo la stabilità dimensionale anche durante cicli rapidi di riscaldamento e raffreddamento.
•Durabilità nel plasma:L'esposizione al plasma e ai gas reattivi è inevitabile nei processi dei semiconduttori, maSiC sfuso CVDoffre una resistenza superiore alla corrosione e al degrado, riducendo la frequenza di sostituzione e i costi di manutenzione complessivi.
Specifiche tecniche:
•Diametro:Maggiore di 305 mm
•Resistività:Regolabile entro 10⁻²–10⁴ Ω-cm
•Densità:3,2 g/cm³
•Conducibilità termica:300 W/m·K
•Coefficiente di dilatazione termica:4,8 x 10⁻⁶/°C (25–1000°C)
Personalizzazione e Flessibilità:ASemicera Semiconduttore, comprendiamo che ogni applicazione di semiconduttori può richiedere specifiche diverse. Ecco perché i nostri componenti SiC sfusi CVD sono completamente personalizzabili, con resistività regolabile e dimensioni su misura per soddisfare le esigenze delle vostre apparecchiature. Che tu stia ottimizzando i tuoi sistemi di incisione al plasma o cercando componenti durevoli nei processi RTP o di diffusione, il nostro SiC sfuso CVD offre prestazioni senza pari.
