Parti della seconda metà per deflettori inferiori nel processo epitassiale

Breve descrizione:

Parti in grafite rivestita in SiC per apparecchiature epitassiali SiC.

Introduzione e utilizzo del prodotto: tubo al quarzo collegato, può far passare il gas per azionare la rotazione della base del vassoio, controllo della temperatura

Ubicazione del dispositivo del prodotto: nella camera di reazione, non a diretto contatto con il wafer

Principali prodotti a valle: dispositivi di potenza

Principale mercato dei terminali: veicoli a nuova energia

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Dettagli del prodotto

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Rivestito in SiCParte mezzaluna in grafiteè un componente chiave utilizzato nei processi di produzione di semiconduttori, in particolare per le apparecchiature epitassiali SiC. Utilizziamo la nostra tecnologia brevettata per realizzare la parte a mezzaluna con purezza estremamente elevata, buona uniformità del rivestimento e durata di servizio eccellente, nonché elevate proprietà di resistenza chimica e stabilità termica.