La nostra azienda fornisceRivestimento SiCservizi di processo sulla superficie di grafite, ceramica e altri materiali mediante metodo CVD, in modo che gas speciali contenenti carbonio e silicio possano reagire ad alta temperatura per ottenere molecole di Sic di elevata purezza, che possono essere depositate sulla superficie dei materiali rivestiti per formare unStrato protettivo in SiCper epitassia di tipo ipnotico a botte.
Caratteristiche principali:
1. Grafite rivestita in SiC ad alta purezza
2. Resistenza al calore e uniformità termica superiori
3. BeneRivestimento in cristallo SiCper una superficie liscia
4. Elevata resistenza alla pulizia chimica

Specifiche principali diRivestimento CVD-SIC
Proprietà SiC-CVD | ||
Struttura cristallina | Fase β dell'FCC | |
Densità | g/cm³ | 3.21 |
Durezza | Durezza Vickers | 2500 |
Granulometria | µm | 2~10 |
Purezza chimica | % | 99.99995 |
Capacità termica | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
Temperatura di sublimazione | ℃ | 2700 |
Forza flessionale | MPa (RT 4 punti) | 415 |
Modulo di Young | Gpa (curvatura 4 punti, 1300 ℃) | 430 |
Dilatazione Termica (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
Conduttività termica | (W/mK) | 300 |









-
Semiconduttori in polvere di carburo di silicio ad alta purezza...
-
Portawafer da 6" per Aixtron G5
-
Reattore epitassiale rivestito in SiC ad alta temperatura...
-
Suscettore in grafite con rivestimento in carburo di silicio...
-
Parti della seconda metà per deflettori inferiori in epitassia...
-
Suscettori con base in grafite rivestita in SiC per MOCVD