Il substrato Si di Semicera è un componente essenziale nella produzione di dispositivi a semiconduttore ad alte prestazioni. Progettato a partire da silicio (Si) di elevata purezza, questo substrato offre eccezionale uniformità, stabilità ed eccellente conduttività, rendendolo ideale per un'ampia gamma di applicazioni avanzate nel settore dei semiconduttori. Sia che venga utilizzato nella produzione di Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer o SiN Substrate, il Semicera Si Substrate offre qualità costante e prestazioni superiori per soddisfare le crescenti esigenze dell'elettronica moderna e della scienza dei materiali.
Prestazioni ineguagliabili con elevata purezza e precisione
Il substrato Si di Semicera è prodotto utilizzando processi avanzati che garantiscono elevata purezza e stretto controllo dimensionale. Il substrato funge da base per la produzione di una varietà di materiali ad alte prestazioni, tra cui Epi-Wafer e AlN Wafer. La precisione e l'uniformità del substrato Si lo rendono una scelta eccellente per la creazione di strati epitassiali a film sottile e altri componenti critici utilizzati nella produzione di semiconduttori di prossima generazione. Sia che tu stia lavorando con ossido di gallio (Ga2O3) o altri materiali avanzati, il substrato Si di Semicera garantisce i massimi livelli di affidabilità e prestazioni.
Applicazioni nella produzione di semiconduttori
Nell'industria dei semiconduttori, il substrato Si di Semicera viene utilizzato in un'ampia gamma di applicazioni, tra cui la produzione di wafer Si e substrato SiC, dove fornisce una base stabile e affidabile per la deposizione di strati attivi. Il substrato svolge un ruolo fondamentale nella fabbricazione dei wafer SOI (Silicon On Insulator), essenziali per la microelettronica avanzata e i circuiti integrati. Inoltre, gli Epi-Wafer (wafer epitassiali) costruiti su substrati Si sono parte integrante della produzione di dispositivi semiconduttori ad alte prestazioni come transistor di potenza, diodi e circuiti integrati.
Il substrato Si supporta anche la produzione di dispositivi che utilizzano ossido di gallio (Ga2O3), un promettente materiale ad ampio gap di banda utilizzato per applicazioni ad alta potenza nell'elettronica di potenza. Inoltre, la compatibilità del substrato Si di Semicera con wafer AlN e altri substrati avanzati garantisce che possa soddisfare le diverse esigenze delle industrie high-tech, rendendolo una soluzione ideale per la produzione di dispositivi all'avanguardia nei settori delle telecomunicazioni, automobilistico e industriale. .
Qualità affidabile e costante per applicazioni ad alta tecnologia
Il substrato Si di Semicera è attentamente progettato per soddisfare le rigorose esigenze della fabbricazione di semiconduttori. La sua eccezionale integrità strutturale e le proprietà superficiali di alta qualità lo rendono il materiale ideale per l'uso nei sistemi a cassette per il trasporto dei wafer, nonché per la creazione di strati ad alta precisione nei dispositivi a semiconduttore. La capacità del substrato di mantenere una qualità costante in condizioni di processo variabili garantisce difetti minimi, migliorando la resa e le prestazioni del prodotto finale.
Con la sua conduttività termica superiore, resistenza meccanica ed elevata purezza, il substrato Si di Semicera è il materiale preferito dai produttori che desiderano raggiungere i più alti standard di precisione, affidabilità e prestazioni nella produzione di semiconduttori.
Scegli il substrato Si di Semicera per soluzioni di elevata purezza e prestazioni elevate
Per i produttori dell'industria dei semiconduttori, il substrato Si di Semicera offre una soluzione robusta e di alta qualità per un'ampia gamma di applicazioni, dalla produzione di Si Wafer alla creazione di Epi-Wafer e SOI Wafer. Con purezza, precisione e affidabilità senza pari, questo substrato consente la produzione di dispositivi a semiconduttore all'avanguardia, garantendo prestazioni a lungo termine ed efficienza ottimale. Scegli Semicera per le tue esigenze di substrato Si e confida in un prodotto progettato per soddisfare le esigenze delle tecnologie di domani.
Elementi | Produzione | Ricerca | Manichino |
Parametri di cristallo | |||
Politipo | 4H | ||
Errore di orientamento della superficie | <11-20 >4±0,15° | ||
Parametri Elettrici | |||
Dopante | Azoto di tipo n | ||
Resistività | 0,015-0,025ohm·cm | ||
Parametri meccanici | |||
Diametro | 150,0±0,2 mm | ||
Spessore | 350±25μm | ||
Orientamento piatto primario | [1-100]±5° | ||
Lunghezza piatta primaria | 47,5±1,5 mm | ||
Appartamento secondario | Nessuno | ||
TTV | ≤5μm | ≤10μm | ≤15μm |
LTV | ≤3μm(5mm*5mm) | ≤5μm(5mm*5mm) | ≤10μm(5mm*5mm) |
Arco | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
Ordito | ≤35μm | ≤45μm | ≤55μm |
Rugosità anteriore (Si-face) (AFM) | Ra≤0,2 nm (5μm*5μm) | ||
Struttura | |||
Densità del microtubo | <1 pezzo/cm2 | <10 pezzi/cm2 | <15 pezzi/cm2 |
Impurità metalliche | ≤5E10atomi/cm2 | NA | |
BPD | ≤1500 ciascuno/cm2 | ≤3000 ciascuno/cm2 | NA |
TSD | ≤500 ciascuno/cm2 | ≤1000 ciascuno/cm2 | NA |
Qualità frontale | |||
Fronte | Si | ||
Finitura superficiale | Si-face CMP | ||
Particelle | ≤60 pezzi/wafer (dimensione≥0,3μm) | NA | |
Graffi | ≤5 pezzi/mm. Lunghezza cumulativa ≤Diametro | Lunghezza cumulativa ≤2*Diametro | NA |
Buccia d'arancia/noccioli/macchie/striature/crepe/contaminazione | Nessuno | NA | |
Scheggiature/rientranze/fratture/piastre esagonali sui bordi | Nessuno | ||
Aree di politipo | Nessuno | Area cumulativa ≤ 20% | Area cumulativa ≤ 30% |
Marcatura laser frontale | Nessuno | ||
Indietro Qualità | |||
Finitura posteriore | CMP faccia C | ||
Graffi | ≤5ea/mm,Lunghezza cumulativa≤2*Diametro | NA | |
Difetti sul retro (scheggiature/rientranze sui bordi) | Nessuno | ||
Rugosità della schiena | Ra≤0,2 nm (5μm*5μm) | ||
Marcatura laser sul retro | 1 mm (dal bordo superiore) | ||
Bordo | |||
Bordo | Smussare | ||
Confezione | |||
Confezione | Epi-ready con confezionamento sottovuoto Confezione in cassetta multi-wafer | ||
*Note: "NA" significa nessuna richiesta. Gli articoli non menzionati possono fare riferimento a SEMI-STD. |