Di SemiceraPalette in SiCsono progettati per un'espansione termica minima, garantendo stabilità e precisione nei processi in cui l'accuratezza dimensionale è fondamentale. Ciò li rende ideali per le applicazioni in cuiwafersono sottoposti a ripetuti cicli di riscaldamento e raffreddamento, poiché la navicella wafer mantiene la sua integrità strutturale, garantendo prestazioni costanti.
Incorporando Semicerapalette di diffusione in carburo di silicionella vostra linea di produzione miglioreranno l'affidabilità del processo, grazie alle loro proprietà termiche e chimiche superiori. Queste palette sono perfette per i processi di diffusione, ossidazione e ricottura, garantendo che i wafer vengano maneggiati con cura e precisione durante ogni fase.
L'innovazione è al centro di SemiceraPaletta SiCprogetto. Queste palette sono realizzate su misura per adattarsi perfettamente alle apparecchiature per semiconduttori esistenti, garantendo una maggiore efficienza di movimentazione. La struttura leggera e il design ergonomico non solo migliorano il trasporto dei wafer, ma riducono anche i tempi di inattività operativa, con conseguente produzione ottimizzata.
| Proprietà fisiche del carburo di silicio ricristallizzato | |
| Proprietà | Valore tipico |
| Temperatura di lavoro (°C) | 1600°C (con ossigeno), 1700°C (ambiente riducente) |
| Contenuto di SiC | > 99,96% |
| Contenuti Si gratuiti | <0,1% |
| Densità apparente | 2,60-2,70 g/cm3 |
| Porosità apparente | < 16% |
| Resistenza alla compressione | > 600MPa |
| Resistenza alla flessione a freddo | 80-90MPa (20°C) |
| Resistenza alla flessione a caldo | 90-100MPa (1400°C) |
| Dilatazione termica @1500°C | 4,7010-6/°C |
| Conduttività termica @1200°C | 23 W/m·K |
| Modulo elastico | 240 GPa |
| Resistenza agli shock termici | Estremamente buono |
