Suscettore in wafer di grafite con rivestimento in SiC

Immagine in evidenza del suscettore del wafer di grafite con rivestimento in SiC

Breve descrizione:

Il susceptor per wafer in grafite con rivestimento SiC di Semicera Semiconductor offre prestazioni termiche e durata superiori per la lavorazione dei wafer. Affidati a Semicera per suscettori avanzati rivestiti in SiC progettati per migliorare l'efficienza e l'affidabilità nelle applicazioni dei semiconduttori.

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Descrizione

I suscettori wafer SiC di Semicorex per MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition) sono progettati per soddisfare le rigorose esigenze dei processi di deposizione epitassiale. Utilizzando carburo di silicio (SiC) di alta qualità, questi suscettori offrono durata e prestazioni senza precedenti in ambienti corrosivi e ad alta temperatura, garantendo la crescita precisa ed efficiente dei materiali semiconduttori.

Caratteristiche principali:

1. Proprietà dei materiali superioriRealizzati in SiC di alta qualità, i nostri suscettori wafer presentano un'eccezionale conduttività termica e resistenza chimica. Queste proprietà consentono loro di resistere alle condizioni estreme dei processi MOCVD, comprese le alte temperature e i gas corrosivi, garantendo longevità e prestazioni affidabili.

2. Precisione nella deposizione epitassialeLa progettazione precisa dei nostri suscettori wafer SiC garantisce una distribuzione uniforme della temperatura sulla superficie del wafer, facilitando una crescita dello strato epitassiale coerente e di alta qualità. Questa precisione è fondamentale per produrre semiconduttori con proprietà elettriche ottimali.

3. Maggiore durataIl robusto materiale SiC offre un'eccellente resistenza all'usura e al degrado, anche in caso di esposizione continua ad ambienti di processo difficili. Questa durabilità riduce la frequenza delle sostituzioni dei suscettori, riducendo al minimo i tempi di inattività e i costi operativi.