La SemiceraPaletta per wafer a sbalzo SiCè progettato per soddisfare le esigenze della moderna produzione di semiconduttori. Questopala per waferoffre un'eccellente resistenza meccanica e termica, fondamentale per la gestione dei wafer in ambienti ad alta temperatura.
Il design a sbalzo SiC consente il posizionamento preciso del wafer, riducendo il rischio di danni durante la movimentazione. La sua elevata conduttività termica garantisce che il wafer rimanga stabile anche in condizioni estreme, il che è fondamentale per mantenere l'efficienza produttiva.
Oltre ai vantaggi strutturali, Semicera'sPaletta per wafer a sbalzo SiCoffre anche vantaggi in termini di peso e durata. La struttura leggera lo rende più facile da maneggiare e integrare nei sistemi esistenti, mentre il materiale SiC ad alta densità garantisce una lunga durata in condizioni difficili.
| Proprietà fisiche del carburo di silicio ricristallizzato | |
| Proprietà | Valore tipico |
| Temperatura di lavoro (°C) | 1600°C (con ossigeno), 1700°C (ambiente riducente) |
| Contenuto di SiC | > 99,96% |
| Contenuti Si gratuiti | <0,1% |
| Densità apparente | 2,60-2,70 g/cm3 |
| Porosità apparente | < 16% |
| Resistenza alla compressione | > 600MPa |
| Resistenza alla flessione a freddo | 80-90MPa (20°C) |
| Resistenza alla flessione a caldo | 90-100MPa (1400°C) |
| Dilatazione termica @1500°C | 4,7010-6/°C |
| Conduttività termica @1200°C | 23 W/m·K |
| Modulo elastico | 240 GPa |
| Resistenza agli shock termici | Estremamente buono |
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