Pellicola di silicio

Breve descrizione:

Il Silicon Film di Semicera è un materiale ad alte prestazioni progettato per una varietà di applicazioni avanzate nei settori dei semiconduttori e dell'elettronica. Realizzato in silicio di alta qualità, questo film offre uniformità, stabilità termica e proprietà elettriche eccezionali, rendendolo una soluzione ideale per la deposizione di film sottili, MEMS (sistemi microelettromeccanici) e la fabbricazione di dispositivi a semiconduttore.


Dettagli del prodotto

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La pellicola in silicone di Semicera è un materiale di alta qualità e precisione progettato per soddisfare i severi requisiti dell'industria dei semiconduttori. Realizzata in silicio puro, questa soluzione a film sottile offre eccellente uniformità, elevata purezza ed eccezionali proprietà elettriche e termiche. È ideale per l'uso in varie applicazioni di semiconduttori, inclusa la produzione di Si Wafer, substrato SiC, wafer SOI, substrato SiN ed Epi-Wafer. La pellicola in silicone di Semicera garantisce prestazioni affidabili e costanti, rendendola un materiale essenziale per la microelettronica avanzata.

Qualità e prestazioni superiori per la produzione di semiconduttori

Il film di silicio di Semicera è noto per la sua eccezionale resistenza meccanica, elevata stabilità termica e basso tasso di difetti, tutti aspetti cruciali nella fabbricazione di semiconduttori ad alte prestazioni. Sia che venga utilizzato nella produzione di dispositivi all'ossido di gallio (Ga2O3), wafer AlN o epi-wafer, il film fornisce una solida base per la deposizione di film sottile e la crescita epitassiale. La sua compatibilità con altri substrati semiconduttori come il substrato SiC e i wafer SOI garantisce un'integrazione perfetta nei processi di produzione esistenti, contribuendo a mantenere rendimenti elevati e una qualità del prodotto costante.

Applicazioni nell'industria dei semiconduttori

Nell'industria dei semiconduttori, il film di silicio di Semicera viene utilizzato in un'ampia gamma di applicazioni, dalla produzione di Si Wafer e SOI Wafer a usi più specializzati come la creazione del substrato SiN e dell'Epi-Wafer. L'elevata purezza e precisione di questo film lo rendono essenziale nella produzione di componenti avanzati utilizzati in tutto, dai microprocessori e circuiti integrati ai dispositivi optoelettronici.

Il film di silicio svolge un ruolo fondamentale nei processi dei semiconduttori come la crescita epitassiale, il legame dei wafer e la deposizione di film sottile. Le sue proprietà affidabili sono particolarmente preziose per le industrie che richiedono ambienti altamente controllati, come le camere bianche nelle fabbriche di semiconduttori. Inoltre, la pellicola in silicone può essere integrata nei sistemi a cassette per una gestione e un trasporto efficienti dei wafer durante la produzione.

Affidabilità e coerenza a lungo termine

Uno dei principali vantaggi derivanti dall'utilizzo della pellicola in silicone Semicera è la sua affidabilità a lungo termine. Grazie alla sua eccellente durata e qualità costante, questa pellicola fornisce una soluzione affidabile per ambienti di produzione ad alto volume. Che venga utilizzato in dispositivi a semiconduttore ad alta precisione o in applicazioni elettroniche avanzate, la pellicola in silicone di Semicera garantisce che i produttori possano ottenere prestazioni elevate e affidabilità in un'ampia gamma di prodotti.

Perché scegliere la pellicola in silicone di Semicera?

La pellicola di silicio di Semicera è un materiale essenziale per applicazioni all'avanguardia nell'industria dei semiconduttori. Le sue proprietà ad alte prestazioni, tra cui eccellente stabilità termica, elevata purezza e resistenza meccanica, lo rendono la scelta ideale per i produttori che desiderano raggiungere gli standard più elevati nella produzione di semiconduttori. Dal Si Wafer e dal substrato SiC alla produzione di dispositivi all'ossido di gallio Ga2O3, questo film offre qualità e prestazioni senza pari.

Con Silicon Film di Semicera puoi fidarti di un prodotto che soddisfa le esigenze della moderna produzione di semiconduttori, fornendo una base affidabile per la prossima generazione di elettronica.

Elementi

Produzione

Ricerca

Manichino

Parametri di cristallo

Politipo

4H

Errore di orientamento della superficie

<11-20 >4±0,15°

Parametri Elettrici

Dopante

Azoto di tipo n

Resistività

0,015-0,025ohm·cm

Parametri meccanici

Diametro

150,0±0,2 mm

Spessore

350±25μm

Orientamento piatto primario

[1-100]±5°

Lunghezza piatta primaria

47,5±1,5 mm

Appartamento secondario

Nessuno

TTV

≤5μm

≤10μm

≤15μm

LTV

≤3μm(5mm*5mm)

≤5μm(5mm*5mm)

≤10μm(5mm*5mm)

Arco

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Ordito

≤35μm

≤45μm

≤55μm

Rugosità anteriore (Si-face) (AFM)

Ra≤0,2 nm (5μm*5μm)

Struttura

Densità del microtubo

<1 pezzo/cm2

<10 pezzi/cm2

<15 pezzi/cm2

Impurità metalliche

≤5E10atomi/cm2

NA

BPD

≤1500 ciascuno/cm2

≤3000 ciascuno/cm2

NA

TSD

≤500 ciascuno/cm2

≤1000 ciascuno/cm2

NA

Qualità frontale

Fronte

Si

Finitura superficiale

Si-face CMP

Particelle

≤60 pezzi/wafer (dimensione≥0,3μm)

NA

Graffi

≤5 pezzi/mm. Lunghezza cumulativa ≤Diametro

Lunghezza cumulativa ≤2*Diametro

NA

Buccia d'arancia/noccioli/macchie/striature/crepe/contaminazione

Nessuno

NA

Scheggiature/rientranze/fratture/piastre esagonali sui bordi

Nessuno

Aree di politipo

Nessuno

Area cumulativa ≤ 20%

Area cumulativa ≤ 30%

Marcatura laser frontale

Nessuno

Indietro Qualità

Finitura posteriore

CMP faccia C

Graffi

≤5ea/mm,Lunghezza cumulativa≤2*Diametro

NA

Difetti sul retro (scheggiature/rientranze sui bordi)

Nessuno

Rugosità della schiena

Ra≤0,2 nm (5μm*5μm)

Marcatura laser sul retro

1 mm (dal bordo superiore)

Bordo

Bordo

Smussare

Confezione

Confezione

Epi-ready con confezionamento sottovuoto

Confezione in cassetta multi-wafer

*Note: "NA" significa nessuna richiesta. Gli articoli non menzionati possono fare riferimento a SEMI-STD.

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Wafer SiC

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