La pellicola in silicone di Semicera è un materiale di alta qualità e precisione progettato per soddisfare i severi requisiti dell'industria dei semiconduttori. Realizzata in silicio puro, questa soluzione a film sottile offre eccellente uniformità, elevata purezza ed eccezionali proprietà elettriche e termiche. È ideale per l'uso in varie applicazioni di semiconduttori, inclusa la produzione di Si Wafer, substrato SiC, wafer SOI, substrato SiN ed Epi-Wafer. La pellicola in silicone di Semicera garantisce prestazioni affidabili e costanti, rendendola un materiale essenziale per la microelettronica avanzata.
Qualità e prestazioni superiori per la produzione di semiconduttori
Il film di silicio di Semicera è noto per la sua eccezionale resistenza meccanica, elevata stabilità termica e basso tasso di difetti, tutti aspetti cruciali nella fabbricazione di semiconduttori ad alte prestazioni. Sia che venga utilizzato nella produzione di dispositivi all'ossido di gallio (Ga2O3), wafer AlN o epi-wafer, il film fornisce una solida base per la deposizione di film sottile e la crescita epitassiale. La sua compatibilità con altri substrati semiconduttori come il substrato SiC e i wafer SOI garantisce un'integrazione perfetta nei processi di produzione esistenti, contribuendo a mantenere rendimenti elevati e una qualità del prodotto costante.
Applicazioni nell'industria dei semiconduttori
Nell'industria dei semiconduttori, il film di silicio di Semicera viene utilizzato in un'ampia gamma di applicazioni, dalla produzione di Si Wafer e SOI Wafer a usi più specializzati come la creazione del substrato SiN e dell'Epi-Wafer. L'elevata purezza e precisione di questo film lo rendono essenziale nella produzione di componenti avanzati utilizzati in tutto, dai microprocessori e circuiti integrati ai dispositivi optoelettronici.
Il film di silicio svolge un ruolo fondamentale nei processi dei semiconduttori come la crescita epitassiale, il legame dei wafer e la deposizione di film sottile. Le sue proprietà affidabili sono particolarmente preziose per le industrie che richiedono ambienti altamente controllati, come le camere bianche nelle fabbriche di semiconduttori. Inoltre, la pellicola in silicone può essere integrata nei sistemi a cassette per una gestione e un trasporto efficienti dei wafer durante la produzione.
Affidabilità e coerenza a lungo termine
Uno dei principali vantaggi derivanti dall'utilizzo della pellicola in silicone Semicera è la sua affidabilità a lungo termine. Grazie alla sua eccellente durata e qualità costante, questa pellicola fornisce una soluzione affidabile per ambienti di produzione ad alto volume. Che venga utilizzato in dispositivi a semiconduttore ad alta precisione o in applicazioni elettroniche avanzate, la pellicola in silicone di Semicera garantisce che i produttori possano ottenere prestazioni elevate e affidabilità in un'ampia gamma di prodotti.
Perché scegliere la pellicola in silicone di Semicera?
La pellicola di silicio di Semicera è un materiale essenziale per applicazioni all'avanguardia nell'industria dei semiconduttori. Le sue proprietà ad alte prestazioni, tra cui eccellente stabilità termica, elevata purezza e resistenza meccanica, lo rendono la scelta ideale per i produttori che desiderano raggiungere gli standard più elevati nella produzione di semiconduttori. Dal Si Wafer e dal substrato SiC alla produzione di dispositivi all'ossido di gallio Ga2O3, questo film offre qualità e prestazioni senza pari.
Con Silicon Film di Semicera puoi fidarti di un prodotto che soddisfa le esigenze della moderna produzione di semiconduttori, fornendo una base affidabile per la prossima generazione di elettronica.
Elementi | Produzione | Ricerca | Manichino |
Parametri di cristallo | |||
Politipo | 4H | ||
Errore di orientamento della superficie | <11-20 >4±0,15° | ||
Parametri Elettrici | |||
Dopante | Azoto di tipo n | ||
Resistività | 0,015-0,025ohm·cm | ||
Parametri meccanici | |||
Diametro | 150,0±0,2 mm | ||
Spessore | 350±25μm | ||
Orientamento piatto primario | [1-100]±5° | ||
Lunghezza piatta primaria | 47,5±1,5 mm | ||
Appartamento secondario | Nessuno | ||
TTV | ≤5μm | ≤10μm | ≤15μm |
LTV | ≤3μm(5mm*5mm) | ≤5μm(5mm*5mm) | ≤10μm(5mm*5mm) |
Arco | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
Ordito | ≤35μm | ≤45μm | ≤55μm |
Rugosità anteriore (Si-face) (AFM) | Ra≤0,2 nm (5μm*5μm) | ||
Struttura | |||
Densità del microtubo | <1 pezzo/cm2 | <10 pezzi/cm2 | <15 pezzi/cm2 |
Impurità metalliche | ≤5E10atomi/cm2 | NA | |
BPD | ≤1500 ciascuno/cm2 | ≤3000 ciascuno/cm2 | NA |
TSD | ≤500 ciascuno/cm2 | ≤1000 ciascuno/cm2 | NA |
Qualità frontale | |||
Fronte | Si | ||
Finitura superficiale | Si-face CMP | ||
Particelle | ≤60 pezzi/wafer (dimensione≥0,3μm) | NA | |
Graffi | ≤5 pezzi/mm. Lunghezza cumulativa ≤Diametro | Lunghezza cumulativa ≤2*Diametro | NA |
Buccia d'arancia/noccioli/macchie/striature/crepe/contaminazione | Nessuno | NA | |
Scheggiature/rientranze/fratture/piastre esagonali sui bordi | Nessuno | ||
Aree di politipo | Nessuno | Area cumulativa ≤ 20% | Area cumulativa ≤ 30% |
Marcatura laser frontale | Nessuno | ||
Indietro Qualità | |||
Finitura posteriore | CMP faccia C | ||
Graffi | ≤5ea/mm,Lunghezza cumulativa≤2*Diametro | NA | |
Difetti sul retro (scheggiature/rientranze sui bordi) | Nessuno | ||
Rugosità della schiena | Ra≤0,2 nm (5μm*5μm) | ||
Marcatura laser sul retro | 1 mm (dal bordo superiore) | ||
Bordo | |||
Bordo | Smussare | ||
Confezione | |||
Confezione | Epi-ready con confezionamento sottovuoto Confezione in cassetta multi-wafer | ||
*Note: "NA" significa nessuna richiesta. Gli articoli non menzionati possono fare riferimento a SEMI-STD. |