Panoramica del prodotto
ILPaddle e supporto per wafer in carburo di silicio (SiC) impregnato di silicioè progettato per soddisfare i requisiti esigenti delle applicazioni di trattamento termico dei semiconduttori. Realizzato in SiC di elevata purezza e migliorato grazie all'impregnazione del silicio, questo prodotto offre una combinazione unica di prestazioni alle alte temperature, eccellente conduttività termica, resistenza alla corrosione ed eccezionale resistenza meccanica.
Integrando la scienza avanzata dei materiali con la produzione di precisione, questa soluzione garantisce prestazioni, affidabilità e durata superiori ai produttori di semiconduttori.
Caratteristiche principali
1.Eccezionale resistenza alle alte temperature
Con un punto di fusione superiore a 2700°C, i materiali SiC sono intrinsecamente stabili a temperature estreme. L'impregnazione del silicio migliora ulteriormente la loro stabilità termica, consentendo loro di resistere a un'esposizione prolungata alle alte temperature senza indebolimento strutturale o degrado delle prestazioni.
2.Conduttività termica superiore
L'eccezionale conduttività termica del SiC impregnato di silicio garantisce una distribuzione uniforme del calore, riducendo lo stress termico durante le fasi critiche della lavorazione. Questa proprietà prolunga la durata dell'apparecchiatura e riduce al minimo i tempi di fermo della produzione, rendendola ideale per il trattamento termico ad alta temperatura.
3.Resistenza all'ossidazione e alla corrosione
Sulla superficie si forma naturalmente un robusto strato di ossido di silicio, che garantisce un'eccezionale resistenza all'ossidazione e alla corrosione. Ciò garantisce affidabilità a lungo termine in ambienti operativi difficili, proteggendo sia il materiale che i componenti circostanti.
4.Elevata resistenza meccanica e resistenza all'usura
Il SiC impregnato di silicio presenta un'eccellente resistenza alla compressione e all'usura, mantenendo la sua integrità strutturale in condizioni di carico elevato e alta temperatura. Ciò riduce il rischio di danni legati all'usura, garantendo prestazioni costanti su cicli di utilizzo prolungati.
Specifiche
| Nome del prodotto | SC-RSiC-Si |
| Materiale | Impregnazione al silicio Carburo di silicio compatto (elevata purezza) |
| Applicazioni | Parti per il trattamento termico dei semiconduttori, Parti per apparecchiature per la produzione di semiconduttori |
| Modulo di consegna | Corpo stampato (corpo sinterizzato) |
| Composizione | Proprietà meccanica | Modulo di Young (GPa) | Resistenza alla flessione (MPa) | ||
| Composizione (vol%) | α-SiC | α-SiC | RT | 370 | 250 |
| 82 | 18 | 800°C | 360 | 220 | |
| Densità apparente (kg/m³) | 3,02×103 | 1200°C | 340 | 220 | |
| Temperatura resistente al calore°C | 1350 | Rapporto di Poisson | 0,18 (RT) | ||
| Proprietà termica | Conducibilità termica (W/(m·K)) | Capacità termica specifica (kJ/(kg·K)) | Coefficiente di dilatazione termica (1/K) | ||
| RT | 220 | 0,7 | RT~700°C | 3,4×10-6 | |
| 700°C | 60 | 1.23 | 700~1200°C | 4,3×10-6 | |
| Contenuto di impurità ((ppm) | |||||||||||||
| Elemento | Fe | Ni | Na | K | Mg | Ca | Cr | Mn | Zn | Cu | Ti | Va | Ai |
| Tasso di contenuto | 3 | <2 | <0,5 | <0,1 | <1 | 5 | 0,3 | <0,1 | <0,1 | <0,1 | <0,3 | <0,3 | 25 |
Applicazioni
▪Elaborazione termica dei semiconduttori:Ideale per processi come la deposizione chimica in fase vapore (CVD), la crescita epitassiale e la ricottura, dove il controllo preciso della temperatura e la durabilità del materiale sono fondamentali.
▪Portawafer e palette:Progettato per contenere e trasportare in modo sicuro i wafer durante i trattamenti termici ad alta temperatura.
▪Ambienti operativi estremi: Adatto per ambienti che richiedono resistenza al calore, all'esposizione chimica e allo stress meccanico.
Vantaggi del SiC impregnato di silicio
La combinazione di carburo di silicio ad elevata purezza e tecnologia avanzata di impregnazione del silicio offre vantaggi prestazionali senza precedenti:
▪Precisione:Migliora la precisione e il controllo dell'elaborazione dei semiconduttori.
▪Stabilità:Resiste ad ambienti difficili senza compromettere la funzionalità.
▪Longevità:Prolunga la durata delle apparecchiature per la produzione di semiconduttori.
▪Efficienza:Migliora la produttività garantendo risultati affidabili e coerenti.
Perché scegliere le nostre soluzioni SiC impregnate di silicio?
At Semicera, siamo specializzati nella fornitura di soluzioni ad alte prestazioni su misura per le esigenze dei produttori di semiconduttori. La nostra pala in carburo di silicio impregnata di silicio e il supporto per wafer sono sottoposti a test rigorosi e garanzia di qualità per soddisfare gli standard del settore. Scegliendo Semicera, avrai accesso a materiali all'avanguardia progettati per ottimizzare i tuoi processi produttivi e migliorare le tue capacità produttive.
Specifiche tecniche
▪Composizione materiale:Carburo di silicio di elevata purezza con impregnazione di silicio.
▪Intervallo di temperatura operativa:Fino a 2700°C.
▪ Conducibilità termica:Eccezionalmente alto per una distribuzione uniforme del calore.
▪Proprietà di resistenza:Resistente all'ossidazione, alla corrosione e all'usura.
▪Applicazioni:Compatibile con vari sistemi di trattamento termico dei semiconduttori.
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