Il substrato ceramico al nitruro di silicio di Semicera rappresenta l'apice della tecnologia dei materiali avanzati, fornendo un'eccezionale conduttività termica e robuste proprietà meccaniche. Progettato per applicazioni ad alte prestazioni, questo substrato eccelle in ambienti che richiedono una gestione termica affidabile e integrità strutturale.
I nostri substrati ceramici in nitruro di silicio sono progettati per resistere a temperature estreme e condizioni difficili, rendendoli ideali per dispositivi elettronici ad alta potenza e ad alta frequenza. La loro conduttività termica superiore garantisce un'efficiente dissipazione del calore, fondamentale per mantenere le prestazioni e la longevità dei componenti elettronici.
L'impegno di Semicera per la qualità è evidente in ogni substrato ceramico al nitruro di silicio che produciamo. Ogni substrato è prodotto utilizzando processi all'avanguardia per garantire prestazioni costanti e difetti minimi. Questo elevato livello di precisione supporta le rigorose esigenze di settori quali quello automobilistico, aerospaziale e delle telecomunicazioni.
Oltre ai vantaggi termici e meccanici, i nostri substrati offrono eccellenti proprietà di isolamento elettrico, che contribuiscono all'affidabilità complessiva dei vostri dispositivi elettronici. Riducendo le interferenze elettriche e migliorando la stabilità dei componenti, i substrati ceramici al nitruro di silicio di Semicera svolgono un ruolo cruciale nell'ottimizzazione delle prestazioni del dispositivo.
Scegliere il substrato ceramico al nitruro di silicio di Semicera significa investire in un prodotto che offre sia prestazioni elevate che durata. I nostri substrati sono progettati per soddisfare le esigenze delle applicazioni elettroniche avanzate, garantendo che i tuoi dispositivi traggano vantaggio da una tecnologia dei materiali all'avanguardia e da un'eccezionale affidabilità.
| Elementi | Produzione | Ricerca | Manichino |
| Parametri di cristallo | |||
| Politipo | 4H | ||
| Errore di orientamento della superficie | <11-20 >4±0,15° | ||
| Parametri Elettrici | |||
| Dopante | Azoto di tipo n | ||
| Resistività | 0,015-0,025ohm·cm | ||
| Parametri meccanici | |||
| Diametro | 150,0±0,2 mm | ||
| Spessore | 350±25μm | ||
| Orientamento piatto primario | [1-100]±5° | ||
| Lunghezza piatta primaria | 47,5±1,5 mm | ||
| Appartamento secondario | Nessuno | ||
| TTV | ≤5μm | ≤10μm | ≤15μm |
| LTV | ≤3μm(5mm*5mm) | ≤5μm(5mm*5mm) | ≤10μm(5mm*5mm) |
| Arco | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Ordito | ≤35μm | ≤45μm | ≤55μm |
| Rugosità anteriore (Si-face) (AFM) | Ra≤0,2 nm (5μm*5μm) | ||
| Struttura | |||
| Densità del microtubo | <1 pezzo/cm2 | <10 pezzi/cm2 | <15 pezzi/cm2 |
| Impurità metalliche | ≤5E10atomi/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ciascuno/cm2 | ≤3000 ciascuno/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ciascuno/cm2 | ≤1000 ciascuno/cm2 | NA |
| Qualità frontale | |||
| Fronte | Si | ||
| Finitura superficiale | Si-face CMP | ||
| Particelle | ≤60 pezzi/wafer (dimensione≥0,3μm) | NA | |
| Graffi | ≤5 pezzi/mm. Lunghezza cumulativa ≤Diametro | Lunghezza cumulativa ≤2*Diametro | NA |
| Buccia d'arancia/noccioli/macchie/striature/crepe/contaminazione | Nessuno | NA | |
| Scheggiature/rientranze/fratture/piastre esagonali sui bordi | Nessuno | ||
| Aree di politipo | Nessuno | Area cumulativa ≤ 20% | Area cumulativa ≤ 30% |
| Marcatura laser frontale | Nessuno | ||
| Indietro Qualità | |||
| Finitura posteriore | CMP faccia C | ||
| Graffi | ≤5ea/mm, lunghezza cumulativa≤2*Diametro | NA | |
| Difetti sul retro (scheggiature/rientranze sui bordi) | Nessuno | ||
| Rugosità della schiena | Ra≤0,2 nm (5μm*5μm) | ||
| Marcatura laser sul retro | 1 mm (dal bordo superiore) | ||
| Bordo | |||
| Bordo | Smussare | ||
| Confezione | |||
| Confezione | Epi-ready con confezionamento sottovuoto Confezione in cassetta multi-wafer | ||
| *Note: "NA" significa nessuna richiesta. Gli articoli non menzionati possono fare riferimento a SEMI-STD. | |||
