Silicio su wafer isolante

Breve descrizione:

Il wafer Silicon On Insulator (SOI) di Semicera fornisce isolamento elettrico e gestione termica eccezionali per applicazioni ad alte prestazioni. Progettati per offrire efficienza e affidabilità superiori dei dispositivi, questi wafer rappresentano la scelta privilegiata per la tecnologia avanzata dei semiconduttori. Scegli Semicera per soluzioni wafer SOI all'avanguardia.


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Il wafer Silicon On Insulator (SOI) di Semicera è all'avanguardia nell'innovazione dei semiconduttori, offrendo un migliore isolamento elettrico e prestazioni termiche superiori. La struttura SOI, costituita da un sottile strato di silicio su un substrato isolante, offre vantaggi fondamentali per i dispositivi elettronici ad alte prestazioni.

I nostri wafer SOI sono progettati per ridurre al minimo la capacità parassita e le correnti di dispersione, essenziali per lo sviluppo di circuiti integrati ad alta velocità e a bassa potenza. Questa tecnologia avanzata garantisce che i dispositivi funzionino in modo più efficiente, con una maggiore velocità e un consumo energetico ridotto, fondamentali per l'elettronica moderna.

Gli avanzati processi produttivi impiegati da Semicera garantiscono la produzione di wafer SOI con eccellente uniformità e consistenza. Questa qualità è vitale per le applicazioni nei settori delle telecomunicazioni, automobilistico ed elettronica di consumo, dove sono richiesti componenti affidabili e ad alte prestazioni.

Oltre ai vantaggi elettrici, i wafer SOI di Semicera offrono un isolamento termico superiore, migliorando la dissipazione del calore e la stabilità nei dispositivi ad alta densità e ad alta potenza. Questa funzionalità è particolarmente utile nelle applicazioni che comportano una significativa generazione di calore e richiedono un'efficace gestione termica.

Scegliendo il Silicon On Insulator Wafer di Semicera, investi in un prodotto che supporta il progresso di tecnologie all'avanguardia. Il nostro impegno per la qualità e l'innovazione garantisce che i nostri wafer SOI soddisfino le rigorose esigenze dell'attuale settore dei semiconduttori, fornendo le basi per i dispositivi elettronici di prossima generazione.

Elementi

Produzione

Ricerca

Manichino

Parametri di cristallo

Politipo

4H

Errore di orientamento della superficie

<11-20 >4±0,15°

Parametri Elettrici

Dopante

Azoto di tipo n

Resistività

0,015-0,025ohm·cm

Parametri meccanici

Diametro

150,0±0,2 mm

Spessore

350±25μm

Orientamento piatto primario

[1-100]±5°

Lunghezza piatta primaria

47,5±1,5 mm

Appartamento secondario

Nessuno

TTV

≤5μm

≤10μm

≤15μm

LTV

≤3μm(5mm*5mm)

≤5μm(5mm*5mm)

≤10μm(5mm*5mm)

Arco

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Ordito

≤35μm

≤45μm

≤55μm

Rugosità anteriore (Si-face) (AFM)

Ra≤0,2 nm (5μm*5μm)

Struttura

Densità del microtubo

<1 pezzo/cm2

<10 pezzi/cm2

<15 pezzi/cm2

Impurità metalliche

≤5E10atomi/cm2

NA

BPD

≤1500 ciascuno/cm2

≤3000 ciascuno/cm2

NA

TSD

≤500 ciascuno/cm2

≤1000 ciascuno/cm2

NA

Qualità frontale

Fronte

Si

Finitura superficiale

Si-face CMP

Particelle

≤60 pezzi/wafer (dimensione≥0,3μm)

NA

Graffi

≤5 pezzi/mm. Lunghezza cumulativa ≤Diametro

Lunghezza cumulativa ≤2*Diametro

NA

Buccia d'arancia/noccioli/macchie/striature/crepe/contaminazione

Nessuno

NA

Scheggiature/rientranze/fratture/piastre esagonali sui bordi

Nessuno

Aree di politipo

Nessuno

Area cumulativa ≤ 20%

Area cumulativa ≤ 30%

Marcatura laser frontale

Nessuno

Indietro Qualità

Finitura posteriore

CMP faccia C

Graffi

≤5ea/mm, lunghezza cumulativa≤2*Diametro

NA

Difetti sul retro (scheggiature/rientranze sui bordi)

Nessuno

Rugosità della schiena

Ra≤0,2 nm (5μm*5μm)

Marcatura laser sul retro

1 mm (dal bordo superiore)

Bordo

Bordo

Smussare

Confezione

Confezione

Epi-ready con confezionamento sottovuoto

Confezione in cassetta multi-wafer

*Note: "NA" significa nessuna richiesta. Gli articoli non menzionati possono fare riferimento a SEMI-STD.

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Wafer SiC

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