Silicio su wafer isolantidi Semicera sono progettati per soddisfare la crescente domanda di soluzioni di semiconduttori ad alte prestazioni. I nostri wafer SOI offrono prestazioni elettriche superiori e ridotta capacità parassita dei dispositivi, rendendoli ideali per applicazioni avanzate come dispositivi MEMS, sensori e circuiti integrati. L'esperienza di Semicera nella produzione di wafer garantisce che ciascunoWafer SOIfornisce risultati affidabili e di alta qualità per le vostre esigenze tecnologiche di prossima generazione.
NostroSilicio su wafer isolantioffrono un equilibrio ottimale tra efficienza dei costi e prestazioni. Poiché i costi dei wafer soi stanno diventando sempre più competitivi, questi wafer sono ampiamente utilizzati in una vasta gamma di settori, tra cui la microelettronica e l'optoelettronica. Il processo di produzione ad alta precisione di Semicera garantisce un'uniformità e un incollaggio dei wafer superiori, rendendoli adatti a una varietà di applicazioni, dai wafer SOI con cavità ai wafer di silicio standard.
Caratteristiche principali:
•Wafer SOI di alta qualità ottimizzati per prestazioni in MEMS e altre applicazioni.
•Costo competitivo dei wafer soi per le aziende che cercano soluzioni avanzate senza compromettere la qualità.
•Ideale per tecnologie all'avanguardia, offrendo isolamento elettrico ed efficienza migliorati nel silicio su sistemi isolanti.
NostroSilicio su wafer isolantisono progettati per fornire soluzioni ad alte prestazioni, supportando la prossima ondata di innovazione nella tecnologia dei semiconduttori. Sia che tu stia lavorando sulla carieWafer SOI, dispositivi MEMS o componenti in silicio su isolanti, Semicera fornisce wafer che soddisfano gli standard più elevati del settore.
Elementi | Produzione | Ricerca | Manichino |
Parametri di cristallo | |||
Politipo | 4H | ||
Errore di orientamento della superficie | <11-20 >4±0,15° | ||
Parametri Elettrici | |||
Dopante | Azoto di tipo n | ||
Resistività | 0,015-0,025ohm·cm | ||
Parametri meccanici | |||
Diametro | 150,0±0,2 mm | ||
Spessore | 350±25μm | ||
Orientamento piatto primario | [1-100]±5° | ||
Lunghezza piatta primaria | 47,5±1,5 mm | ||
Appartamento secondario | Nessuno | ||
TTV | ≤5μm | ≤10μm | ≤15μm |
LTV | ≤3μm(5mm*5mm) | ≤5μm(5mm*5mm) | ≤10μm(5mm*5mm) |
Arco | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
Ordito | ≤35μm | ≤45μm | ≤55μm |
Rugosità anteriore (Si-face) (AFM) | Ra≤0,2 nm (5μm*5μm) | ||
Struttura | |||
Densità del microtubo | <1 pezzo/cm2 | <10 pezzi/cm2 | <15 pezzi/cm2 |
Impurità metalliche | ≤5E10atomi/cm2 | NA | |
BPD | ≤1500 ciascuno/cm2 | ≤3000 ciascuno/cm2 | NA |
TSD | ≤500 ciascuno/cm2 | ≤1000 ciascuno/cm2 | NA |
Qualità frontale | |||
Fronte | Si | ||
Finitura superficiale | Si-face CMP | ||
Particelle | ≤60 pezzi/wafer (dimensione≥0,3μm) | NA | |
Graffi | ≤5 pezzi/mm. Lunghezza cumulativa ≤Diametro | Lunghezza cumulativa ≤2*Diametro | NA |
Buccia d'arancia/noccioli/macchie/striature/crepe/contaminazione | Nessuno | NA | |
Scheggiature/rientranze/fratture/piastre esagonali sui bordi | Nessuno | ||
Aree di politipo | Nessuno | Area cumulativa ≤ 20% | Area cumulativa ≤ 30% |
Marcatura laser frontale | Nessuno | ||
Indietro Qualità | |||
Finitura posteriore | CMP faccia C | ||
Graffi | ≤5ea/mm,Lunghezza cumulativa≤2*Diametro | NA | |
Difetti sul retro (scheggiature/rientranze sui bordi) | Nessuno | ||
Rugosità della schiena | Ra≤0,2 nm (5μm*5μm) | ||
Marcatura laser sul retro | 1 mm (dal bordo superiore) | ||
Bordo | |||
Bordo | Smussare | ||
Confezione | |||
Confezione | Epi-ready con confezionamento sottovuoto Confezione in cassetta multi-wafer | ||
*Note: "NA" significa nessuna richiesta. Gli articoli non menzionati possono fare riferimento a SEMI-STD. |