Silicio su wafer isolanti

Breve descrizione:

I wafer Silicon-on-Insulator di Semicera forniscono soluzioni ad alte prestazioni per applicazioni avanzate di semiconduttori. Ideali per MEMS, sensori e microelettronica, questi wafer forniscono un eccellente isolamento elettrico e una bassa capacità parassita. Semicera garantisce una produzione di precisione, offrendo una qualità costante per una gamma di tecnologie innovative. Non vediamo l'ora di essere il vostro partner a lungo termine in Cina.


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Silicio su wafer isolantidi Semicera sono progettati per soddisfare la crescente domanda di soluzioni di semiconduttori ad alte prestazioni. I nostri wafer SOI offrono prestazioni elettriche superiori e ridotta capacità parassita dei dispositivi, rendendoli ideali per applicazioni avanzate come dispositivi MEMS, sensori e circuiti integrati. L'esperienza di Semicera nella produzione di wafer garantisce che ciascunoWafer SOIfornisce risultati affidabili e di alta qualità per le vostre esigenze tecnologiche di prossima generazione.

NostroSilicio su wafer isolantioffrono un equilibrio ottimale tra efficienza dei costi e prestazioni. Poiché i costi dei wafer soi stanno diventando sempre più competitivi, questi wafer sono ampiamente utilizzati in una vasta gamma di settori, tra cui la microelettronica e l'optoelettronica. Il processo di produzione ad alta precisione di Semicera garantisce un'uniformità e un incollaggio dei wafer superiori, rendendoli adatti a una varietà di applicazioni, dai wafer SOI con cavità ai wafer di silicio standard.

Caratteristiche principali:

Wafer SOI di alta qualità ottimizzati per prestazioni in MEMS e altre applicazioni.

Costo competitivo dei wafer soi per le aziende che cercano soluzioni avanzate senza compromettere la qualità.

Ideale per tecnologie all'avanguardia, offrendo isolamento elettrico ed efficienza migliorati nel silicio su sistemi isolanti.

NostroSilicio su wafer isolantisono progettati per fornire soluzioni ad alte prestazioni, supportando la prossima ondata di innovazione nella tecnologia dei semiconduttori. Sia che tu stia lavorando sulla carieWafer SOI, dispositivi MEMS o componenti in silicio su isolanti, Semicera fornisce wafer che soddisfano gli standard più elevati del settore.

Elementi

Produzione

Ricerca

Manichino

Parametri di cristallo

Politipo

4H

Errore di orientamento della superficie

<11-20 >4±0,15°

Parametri Elettrici

Dopante

Azoto di tipo n

Resistività

0,015-0,025ohm·cm

Parametri meccanici

Diametro

150,0±0,2 mm

Spessore

350±25μm

Orientamento piatto primario

[1-100]±5°

Lunghezza piatta primaria

47,5±1,5 mm

Appartamento secondario

Nessuno

TTV

≤5μm

≤10μm

≤15μm

LTV

≤3μm(5mm*5mm)

≤5μm(5mm*5mm)

≤10μm(5mm*5mm)

Arco

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Ordito

≤35μm

≤45μm

≤55μm

Rugosità anteriore (Si-face) (AFM)

Ra≤0,2 nm (5μm*5μm)

Struttura

Densità del microtubo

<1 pezzo/cm2

<10 pezzi/cm2

<15 pezzi/cm2

Impurità metalliche

≤5E10atomi/cm2

NA

BPD

≤1500 ciascuno/cm2

≤3000 ciascuno/cm2

NA

TSD

≤500 ciascuno/cm2

≤1000 ciascuno/cm2

NA

Qualità frontale

Fronte

Si

Finitura superficiale

Si-face CMP

Particelle

≤60 pezzi/wafer (dimensione≥0,3μm)

NA

Graffi

≤5 pezzi/mm. Lunghezza cumulativa ≤Diametro

Lunghezza cumulativa ≤2*Diametro

NA

Buccia d'arancia/noccioli/macchie/striature/crepe/contaminazione

Nessuno

NA

Scheggiature/rientranze/fratture/piastre esagonali sui bordi

Nessuno

Aree di politipo

Nessuno

Area cumulativa ≤ 20%

Area cumulativa ≤ 30%

Marcatura laser frontale

Nessuno

Indietro Qualità

Finitura posteriore

CMP faccia C

Graffi

≤5ea/mm,Lunghezza cumulativa≤2*Diametro

NA

Difetti sul retro (scheggiature/rientranze sui bordi)

Nessuno

Rugosità della schiena

Ra≤0,2 nm (5μm*5μm)

Marcatura laser sul retro

1 mm (dal bordo superiore)

Bordo

Bordo

Smussare

Confezione

Confezione

Epi-ready con confezionamento sottovuoto

Confezione in cassetta multi-wafer

*Note: "NA" significa nessuna richiesta. Gli articoli non menzionati possono fare riferimento a SEMI-STD.

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Wafer SiC

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