I substrati Semicera Silicon sono realizzati per soddisfare le rigorose esigenze dell'industria dei semiconduttori, offrendo qualità e precisione senza precedenti. Questi substrati forniscono una base affidabile per varie applicazioni, dai circuiti integrati alle celle fotovoltaiche, garantendo prestazioni e longevità ottimali.
L'elevata purezza dei substrati di silicio Semicera garantisce difetti minimi e caratteristiche elettriche superiori, fondamentali per la produzione di componenti elettronici ad alta efficienza. Questo livello di purezza aiuta a ridurre la perdita di energia e a migliorare l'efficienza complessiva dei dispositivi a semiconduttore.
Semicera utilizza tecniche di produzione all'avanguardia per produrre substrati di silicio con uniformità e planarità eccezionali. Questa precisione è essenziale per ottenere risultati costanti nella fabbricazione dei semiconduttori, dove anche la più piccola variazione può influire sulle prestazioni e sulla resa del dispositivo.
Disponibili in una varietà di dimensioni e specifiche, i substrati Semicera Silicon soddisfano un'ampia gamma di esigenze industriali. Che tu stia sviluppando microprocessori o pannelli solari all'avanguardia, questi substrati forniscono la flessibilità e l'affidabilità necessarie per la tua applicazione specifica.
Semicera si impegna a supportare l'innovazione e l'efficienza nel settore dei semiconduttori. Fornendo substrati in silicio di alta qualità, consentiamo ai produttori di ampliare i confini della tecnologia, offrendo prodotti che soddisfano le richieste in evoluzione del mercato. Affidati a Semicera per le tue soluzioni elettroniche e fotovoltaiche di nuova generazione.
Elementi | Produzione | Ricerca | Manichino |
Parametri di cristallo | |||
Politipo | 4H | ||
Errore di orientamento della superficie | <11-20 >4±0,15° | ||
Parametri Elettrici | |||
Dopante | Azoto di tipo n | ||
Resistività | 0,015-0,025ohm·cm | ||
Parametri meccanici | |||
Diametro | 150,0±0,2 mm | ||
Spessore | 350±25μm | ||
Orientamento piatto primario | [1-100]±5° | ||
Lunghezza piatta primaria | 47,5±1,5 mm | ||
Appartamento secondario | Nessuno | ||
TTV | ≤5μm | ≤10μm | ≤15μm |
LTV | ≤3μm(5mm*5mm) | ≤5μm(5mm*5mm) | ≤10μm(5mm*5mm) |
Arco | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
Ordito | ≤35μm | ≤45μm | ≤55μm |
Rugosità anteriore (Si-face) (AFM) | Ra≤0,2 nm (5μm*5μm) | ||
Struttura | |||
Densità del microtubo | <1 pezzo/cm2 | <10 pezzi/cm2 | <15 pezzi/cm2 |
Impurità metalliche | ≤5E10atomi/cm2 | NA | |
BPD | ≤1500 ciascuno/cm2 | ≤3000 ciascuno/cm2 | NA |
TSD | ≤500 ciascuno/cm2 | ≤1000 ciascuno/cm2 | NA |
Qualità frontale | |||
Fronte | Si | ||
Finitura superficiale | Si-face CMP | ||
Particelle | ≤60 pezzi/wafer (dimensione≥0,3μm) | NA | |
Graffi | ≤5 pezzi/mm. Lunghezza cumulativa ≤Diametro | Lunghezza cumulativa ≤2*Diametro | NA |
Buccia d'arancia/noccioli/macchie/striature/crepe/contaminazione | Nessuno | NA | |
Scheggiature/rientranze/fratture/piastre esagonali sui bordi | Nessuno | ||
Aree di politipo | Nessuno | Area cumulativa ≤ 20% | Area cumulativa ≤ 30% |
Marcatura laser frontale | Nessuno | ||
Indietro Qualità | |||
Finitura posteriore | CMP faccia C | ||
Graffi | ≤5ea/mm,Lunghezza cumulativa≤2*Diametro | NA | |
Difetti sul retro (scheggiature/rientranze sui bordi) | Nessuno | ||
Rugosità della schiena | Ra≤0,2 nm (5μm*5μm) | ||
Marcatura laser sul retro | 1 mm (dal bordo superiore) | ||
Bordo | |||
Bordo | Smussare | ||
Confezione | |||
Confezione | Epi-ready con confezionamento sottovuoto Confezione in cassetta multi-wafer | ||
*Note: "NA" significa nessuna richiesta. Gli articoli non menzionati possono fare riferimento a SEMI-STD. |