Substrato di silicio

Breve descrizione:

I substrati Semicera Silicon sono progettati con precisione per applicazioni ad alte prestazioni nella produzione di elettronica e semiconduttori. Con purezza e uniformità eccezionali, questi substrati sono progettati per supportare processi tecnologici avanzati. Semicera garantisce qualità costante e affidabilità per i vostri progetti più impegnativi.


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I substrati Semicera Silicon sono realizzati per soddisfare le rigorose esigenze dell'industria dei semiconduttori, offrendo qualità e precisione senza precedenti. Questi substrati forniscono una base affidabile per varie applicazioni, dai circuiti integrati alle celle fotovoltaiche, garantendo prestazioni e longevità ottimali.

L'elevata purezza dei substrati di silicio Semicera garantisce difetti minimi e caratteristiche elettriche superiori, fondamentali per la produzione di componenti elettronici ad alta efficienza. Questo livello di purezza aiuta a ridurre la perdita di energia e a migliorare l'efficienza complessiva dei dispositivi a semiconduttore.

Semicera utilizza tecniche di produzione all'avanguardia per produrre substrati di silicio con uniformità e planarità eccezionali. Questa precisione è essenziale per ottenere risultati costanti nella fabbricazione dei semiconduttori, dove anche la più piccola variazione può influire sulle prestazioni e sulla resa del dispositivo.

Disponibili in una varietà di dimensioni e specifiche, i substrati Semicera Silicon soddisfano un'ampia gamma di esigenze industriali. Che tu stia sviluppando microprocessori o pannelli solari all'avanguardia, questi substrati forniscono la flessibilità e l'affidabilità necessarie per la tua applicazione specifica.

Semicera si impegna a supportare l'innovazione e l'efficienza nel settore dei semiconduttori. Fornendo substrati in silicio di alta qualità, consentiamo ai produttori di ampliare i confini della tecnologia, offrendo prodotti che soddisfano le richieste in evoluzione del mercato. Affidati a Semicera per le tue soluzioni elettroniche e fotovoltaiche di nuova generazione.

Elementi

Produzione

Ricerca

Manichino

Parametri di cristallo

Politipo

4H

Errore di orientamento della superficie

<11-20 >4±0,15°

Parametri Elettrici

Dopante

Azoto di tipo n

Resistività

0,015-0,025ohm·cm

Parametri meccanici

Diametro

150,0±0,2 mm

Spessore

350±25μm

Orientamento piatto primario

[1-100]±5°

Lunghezza piatta primaria

47,5±1,5 mm

Appartamento secondario

Nessuno

TTV

≤5μm

≤10μm

≤15μm

LTV

≤3μm(5mm*5mm)

≤5μm(5mm*5mm)

≤10μm(5mm*5mm)

Arco

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Ordito

≤35μm

≤45μm

≤55μm

Rugosità anteriore (Si-face) (AFM)

Ra≤0,2 nm (5μm*5μm)

Struttura

Densità del microtubo

<1 pezzo/cm2

<10 pezzi/cm2

<15 pezzi/cm2

Impurità metalliche

≤5E10atomi/cm2

NA

BPD

≤1500 ciascuno/cm2

≤3000 ciascuno/cm2

NA

TSD

≤500 ciascuno/cm2

≤1000 ciascuno/cm2

NA

Qualità frontale

Fronte

Si

Finitura superficiale

Si-face CMP

Particelle

≤60 pezzi/wafer (dimensione≥0,3μm)

NA

Graffi

≤5 pezzi/mm. Lunghezza cumulativa ≤Diametro

Lunghezza cumulativa ≤2*Diametro

NA

Buccia d'arancia/noccioli/macchie/striature/crepe/contaminazione

Nessuno

NA

Scheggiature/rientranze/fratture/piastre esagonali sui bordi

Nessuno

Aree di politipo

Nessuno

Area cumulativa ≤ 20%

Area cumulativa ≤ 30%

Marcatura laser frontale

Nessuno

Indietro Qualità

Finitura posteriore

CMP faccia C

Graffi

≤5ea/mm,Lunghezza cumulativa≤2*Diametro

NA

Difetti sul retro (scheggiature/rientranze sui bordi)

Nessuno

Rugosità della schiena

Ra≤0,2 nm (5μm*5μm)

Marcatura laser sul retro

1 mm (dal bordo superiore)

Bordo

Bordo

Smussare

Confezione

Confezione

Epi-ready con confezionamento sottovuoto

Confezione in cassetta multi-wafer

*Note: "NA" significa nessuna richiesta. Gli articoli non menzionati possono fare riferimento a SEMI-STD.

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Wafer SiC

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