Wafer di silicio

Breve descrizione:

I wafer di silicio Semicera sono la pietra angolare dei moderni dispositivi a semiconduttore e offrono purezza e precisione senza pari. Progettati per soddisfare le rigorose esigenze delle industrie high-tech, questi wafer garantiscono prestazioni affidabili e qualità costante. Affidati a Semicera per le tue applicazioni elettroniche all'avanguardia e soluzioni tecnologiche innovative.


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I wafer di silicio Semicera sono realizzati meticolosamente per fungere da base per un'ampia gamma di dispositivi a semiconduttore, dai microprocessori alle celle fotovoltaiche. Questi wafer sono progettati con elevata precisione e purezza, garantendo prestazioni ottimali in varie applicazioni elettroniche.

Prodotti utilizzando tecniche avanzate, i wafer di silicio Semicera presentano un'eccezionale planarità e uniformità, fondamentali per ottenere rendimenti elevati nella fabbricazione di semiconduttori. Questo livello di precisione aiuta a ridurre al minimo i difetti e a migliorare l'efficienza complessiva dei componenti elettronici.

La qualità superiore dei wafer di silicio Semicera è evidente nelle loro caratteristiche elettriche, che contribuiscono a migliorare le prestazioni dei dispositivi a semiconduttore. Con bassi livelli di impurità e un'elevata qualità dei cristalli, questi wafer forniscono la piattaforma ideale per lo sviluppo di componenti elettronici ad alte prestazioni.

Disponibili in varie dimensioni e specifiche, i wafer di silicio Semicera possono essere personalizzati per soddisfare le esigenze specifiche di diversi settori, tra cui informatica, telecomunicazioni ed energia rinnovabile. Sia per la produzione su larga scala che per la ricerca specializzata, questi wafer forniscono risultati affidabili.

Semicera si impegna a sostenere la crescita e l'innovazione del settore dei semiconduttori fornendo wafer di silicio di alta qualità che soddisfano i più elevati standard di settore. Con particolare attenzione alla precisione e all'affidabilità, Semicera consente ai produttori di ampliare i confini della tecnologia, garantendo che i loro prodotti rimangano all'avanguardia sul mercato.

Elementi

Produzione

Ricerca

Manichino

Parametri di cristallo

Politipo

4H

Errore di orientamento della superficie

<11-20 >4±0,15°

Parametri Elettrici

Dopante

Azoto di tipo n

Resistività

0,015-0,025ohm·cm

Parametri meccanici

Diametro

150,0±0,2 mm

Spessore

350±25μm

Orientamento piatto primario

[1-100]±5°

Lunghezza piatta primaria

47,5±1,5 mm

Appartamento secondario

Nessuno

TTV

≤5μm

≤10μm

≤15μm

LTV

≤3μm(5mm*5mm)

≤5μm(5mm*5mm)

≤10μm(5mm*5mm)

Arco

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Ordito

≤35μm

≤45μm

≤55μm

Rugosità anteriore (Si-face) (AFM)

Ra≤0,2 nm (5μm*5μm)

Struttura

Densità del microtubo

<1 pezzo/cm2

<10 pezzi/cm2

<15 pezzi/cm2

Impurità metalliche

≤5E10atomi/cm2

NA

BPD

≤1500 ciascuno/cm2

≤3000 ciascuno/cm2

NA

TSD

≤500 ciascuno/cm2

≤1000 ciascuno/cm2

NA

Qualità frontale

Fronte

Si

Finitura superficiale

Si-face CMP

Particelle

≤60 pezzi/wafer (dimensione≥0,3μm)

NA

Graffi

≤5 pezzi/mm. Lunghezza cumulativa ≤Diametro

Lunghezza cumulativa ≤2*Diametro

NA

Buccia d'arancia/noccioli/macchie/striature/crepe/contaminazione

Nessuno

NA

Scheggiature/rientranze/fratture/piastre esagonali sui bordi

Nessuno

Aree di politipo

Nessuno

Area cumulativa ≤ 20%

Area cumulativa ≤ 30%

Marcatura laser frontale

Nessuno

Indietro Qualità

Finitura posteriore

CMP faccia C

Graffi

≤5ea/mm, lunghezza cumulativa≤2*Diametro

NA

Difetti sul retro (scheggiature/rientranze sui bordi)

Nessuno

Rugosità della schiena

Ra≤0,2 nm (5μm*5μm)

Marcatura laser sul retro

1 mm (dal bordo superiore)

Bordo

Bordo

Smussare

Confezione

Confezione

Epi-ready con confezionamento sottovuoto

Confezione in cassetta multi-wafer

*Note: "NA" significa nessuna richiesta. Gli articoli non menzionati possono fare riferimento a SEMI-STD.

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Wafer SiC

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