I wafer di silicio Semicera sono realizzati meticolosamente per fungere da base per un'ampia gamma di dispositivi a semiconduttore, dai microprocessori alle celle fotovoltaiche. Questi wafer sono progettati con elevata precisione e purezza, garantendo prestazioni ottimali in varie applicazioni elettroniche.
Prodotti utilizzando tecniche avanzate, i wafer di silicio Semicera presentano un'eccezionale planarità e uniformità, fondamentali per ottenere rendimenti elevati nella fabbricazione di semiconduttori. Questo livello di precisione aiuta a ridurre al minimo i difetti e a migliorare l'efficienza complessiva dei componenti elettronici.
La qualità superiore dei wafer di silicio Semicera è evidente nelle loro caratteristiche elettriche, che contribuiscono a migliorare le prestazioni dei dispositivi a semiconduttore. Con bassi livelli di impurità e un'elevata qualità dei cristalli, questi wafer forniscono la piattaforma ideale per lo sviluppo di componenti elettronici ad alte prestazioni.
Disponibili in varie dimensioni e specifiche, i wafer di silicio Semicera possono essere personalizzati per soddisfare le esigenze specifiche di diversi settori, tra cui informatica, telecomunicazioni ed energia rinnovabile. Sia per la produzione su larga scala che per la ricerca specializzata, questi wafer forniscono risultati affidabili.
Semicera si impegna a sostenere la crescita e l'innovazione del settore dei semiconduttori fornendo wafer di silicio di alta qualità che soddisfano i più elevati standard di settore. Con particolare attenzione alla precisione e all'affidabilità, Semicera consente ai produttori di ampliare i confini della tecnologia, garantendo che i loro prodotti rimangano all'avanguardia sul mercato.
| Elementi | Produzione | Ricerca | Manichino |
| Parametri di cristallo | |||
| Politipo | 4H | ||
| Errore di orientamento della superficie | <11-20 >4±0,15° | ||
| Parametri Elettrici | |||
| Dopante | Azoto di tipo n | ||
| Resistività | 0,015-0,025ohm·cm | ||
| Parametri meccanici | |||
| Diametro | 150,0±0,2 mm | ||
| Spessore | 350±25μm | ||
| Orientamento piatto primario | [1-100]±5° | ||
| Lunghezza piatta primaria | 47,5±1,5 mm | ||
| Appartamento secondario | Nessuno | ||
| TTV | ≤5μm | ≤10μm | ≤15μm |
| LTV | ≤3μm(5mm*5mm) | ≤5μm(5mm*5mm) | ≤10μm(5mm*5mm) |
| Arco | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Ordito | ≤35μm | ≤45μm | ≤55μm |
| Rugosità anteriore (Si-face) (AFM) | Ra≤0,2 nm (5μm*5μm) | ||
| Struttura | |||
| Densità del microtubo | <1 pezzo/cm2 | <10 pezzi/cm2 | <15 pezzi/cm2 |
| Impurità metalliche | ≤5E10atomi/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ciascuno/cm2 | ≤3000 ciascuno/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ciascuno/cm2 | ≤1000 ciascuno/cm2 | NA |
| Qualità frontale | |||
| Fronte | Si | ||
| Finitura superficiale | Si-face CMP | ||
| Particelle | ≤60 pezzi/wafer (dimensione≥0,3μm) | NA | |
| Graffi | ≤5 pezzi/mm. Lunghezza cumulativa ≤Diametro | Lunghezza cumulativa ≤2*Diametro | NA |
| Buccia d'arancia/noccioli/macchie/striature/crepe/contaminazione | Nessuno | NA | |
| Scheggiature/rientranze/fratture/piastre esagonali sui bordi | Nessuno | ||
| Aree di politipo | Nessuno | Area cumulativa ≤ 20% | Area cumulativa ≤ 30% |
| Marcatura laser frontale | Nessuno | ||
| Indietro Qualità | |||
| Finitura posteriore | CMP faccia C | ||
| Graffi | ≤5ea/mm,Lunghezza cumulativa≤2*Diametro | NA | |
| Difetti sul retro (scheggiature/rientranze sui bordi) | Nessuno | ||
| Rugosità della schiena | Ra≤0,2 nm (5μm*5μm) | ||
| Marcatura laser sul retro | 1 mm (dal bordo superiore) | ||
| Bordo | |||
| Bordo | Smussare | ||
| Confezione | |||
| Confezione | Epi-ready con confezionamento sottovuoto Confezione in cassetta multi-wafer | ||
| *Note: "NA" significa nessuna richiesta. Gli articoli non menzionati possono fare riferimento a SEMI-STD. | |||
