Wafer SOI in silicio su isolante

Breve descrizione:

Il wafer SOI (Silicon On Insulator) di Semicera fornisce isolamento elettrico e prestazioni eccezionali per applicazioni avanzate di semiconduttori. Progettati per un'efficienza termica ed elettrica superiore, questi wafer sono ideali per circuiti integrati ad alte prestazioni. Scegli Semicera per qualità e affidabilità nella tecnologia wafer SOI.


Dettagli del prodotto

Tag dei prodotti

Il wafer SOI (Silicon On Insulator) di Semicera è progettato per fornire isolamento elettrico e prestazioni termiche superiori. Questa innovativa struttura wafer, caratterizzata da uno strato di silicio su uno strato isolante, garantisce prestazioni migliorate del dispositivo e un consumo energetico ridotto, rendendolo ideale per una varietà di applicazioni high-tech.

I nostri wafer SOI offrono vantaggi eccezionali per i circuiti integrati riducendo al minimo la capacità parassita e migliorando la velocità e l'efficienza del dispositivo. Ciò è fondamentale per l'elettronica moderna, dove prestazioni elevate ed efficienza energetica sono essenziali sia per le applicazioni di consumo che per quelle industriali.

Semicera utilizza tecniche di produzione avanzate per produrre wafer SOI con qualità e affidabilità costanti. Questi wafer forniscono un eccellente isolamento termico, rendendoli adatti all'uso in ambienti in cui la dissipazione del calore è un problema, come nei dispositivi elettronici ad alta densità e nei sistemi di gestione dell'alimentazione.

L'uso di wafer SOI nella fabbricazione di semiconduttori consente lo sviluppo di chip più piccoli, più veloci e più affidabili. L'impegno di Semicera nell'ingegneria di precisione garantisce che i nostri wafer SOI soddisfino gli elevati standard richiesti per le tecnologie all'avanguardia in campi come le telecomunicazioni, l'automotive e l'elettronica di consumo.

Scegliere il SOI Wafer di Semicera significa investire in un prodotto che supporta l'avanzamento delle tecnologie elettroniche e microelettroniche. I nostri wafer sono progettati per fornire prestazioni e durata migliorate, contribuendo al successo dei vostri progetti high-tech e garantendovi di rimanere all'avanguardia nell'innovazione.

Elementi

Produzione

Ricerca

Manichino

Parametri di cristallo

Politipo

4H

Errore di orientamento della superficie

<11-20 >4±0,15°

Parametri Elettrici

Dopante

Azoto di tipo n

Resistività

0,015-0,025ohm·cm

Parametri meccanici

Diametro

150,0±0,2 mm

Spessore

350±25μm

Orientamento piatto primario

[1-100]±5°

Lunghezza piatta primaria

47,5±1,5 mm

Appartamento secondario

Nessuno

TTV

≤5μm

≤10μm

≤15μm

LTV

≤3μm(5mm*5mm)

≤5μm(5mm*5mm)

≤10μm(5mm*5mm)

Arco

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Ordito

≤35μm

≤45μm

≤55μm

Rugosità anteriore (Si-face) (AFM)

Ra≤0,2 nm (5μm*5μm)

Struttura

Densità del microtubo

<1 pezzo/cm2

<10 pezzi/cm2

<15 pezzi/cm2

Impurità metalliche

≤5E10atomi/cm2

NA

BPD

≤1500 ciascuno/cm2

≤3000 ciascuno/cm2

NA

TSD

≤500 ciascuno/cm2

≤1000 ciascuno/cm2

NA

Qualità frontale

Fronte

Si

Finitura superficiale

Si-face CMP

Particelle

≤60 pezzi/wafer (dimensione≥0,3μm)

NA

Graffi

≤5 pezzi/mm. Lunghezza cumulativa ≤Diametro

Lunghezza cumulativa ≤2*Diametro

NA

Buccia d'arancia/noccioli/macchie/striature/crepe/contaminazione

Nessuno

NA

Scheggiature/rientranze/fratture/piastre esagonali sui bordi

Nessuno

Aree di politipo

Nessuno

Area cumulativa ≤ 20%

Area cumulativa ≤ 30%

Marcatura laser frontale

Nessuno

Indietro Qualità

Finitura posteriore

CMP faccia C

Graffi

≤5ea/mm, lunghezza cumulativa≤2*Diametro

NA

Difetti sul retro (scheggiature/rientranze sui bordi)

Nessuno

Rugosità della schiena

Ra≤0,2 nm (5μm*5μm)

Marcatura laser sul retro

1 mm (dal bordo superiore)

Bordo

Bordo

Smussare

Confezione

Confezione

Epi-ready con confezionamento sottovuoto

Confezione in cassetta multi-wafer

*Note: "NA" significa nessuna richiesta. Gli articoli non menzionati possono fare riferimento a SEMI-STD.

tech_1_2_size
Wafer SiC

  • Precedente:
  • Prossimo: