Il wafer SOI (Silicon On Insulator) di Semicera è progettato per fornire isolamento elettrico e prestazioni termiche superiori. Questa innovativa struttura wafer, caratterizzata da uno strato di silicio su uno strato isolante, garantisce prestazioni migliorate del dispositivo e un consumo energetico ridotto, rendendolo ideale per una varietà di applicazioni high-tech.
I nostri wafer SOI offrono vantaggi eccezionali per i circuiti integrati riducendo al minimo la capacità parassita e migliorando la velocità e l'efficienza del dispositivo. Ciò è fondamentale per l'elettronica moderna, dove prestazioni elevate ed efficienza energetica sono essenziali sia per le applicazioni di consumo che per quelle industriali.
Semicera utilizza tecniche di produzione avanzate per produrre wafer SOI con qualità e affidabilità costanti. Questi wafer forniscono un eccellente isolamento termico, rendendoli adatti all'uso in ambienti in cui la dissipazione del calore è un problema, come nei dispositivi elettronici ad alta densità e nei sistemi di gestione dell'alimentazione.
L'uso di wafer SOI nella fabbricazione di semiconduttori consente lo sviluppo di chip più piccoli, più veloci e più affidabili. L'impegno di Semicera nell'ingegneria di precisione garantisce che i nostri wafer SOI soddisfino gli elevati standard richiesti per le tecnologie all'avanguardia in campi come le telecomunicazioni, l'automotive e l'elettronica di consumo.
Scegliere il SOI Wafer di Semicera significa investire in un prodotto che supporta l'avanzamento delle tecnologie elettroniche e microelettroniche. I nostri wafer sono progettati per fornire prestazioni e durata migliorate, contribuendo al successo dei vostri progetti high-tech e garantendovi di rimanere all'avanguardia nell'innovazione.
| Elementi | Produzione | Ricerca | Manichino |
| Parametri di cristallo | |||
| Politipo | 4H | ||
| Errore di orientamento della superficie | <11-20 >4±0,15° | ||
| Parametri Elettrici | |||
| Dopante | Azoto di tipo n | ||
| Resistività | 0,015-0,025ohm·cm | ||
| Parametri meccanici | |||
| Diametro | 150,0±0,2 mm | ||
| Spessore | 350±25μm | ||
| Orientamento piatto primario | [1-100]±5° | ||
| Lunghezza piatta primaria | 47,5±1,5 mm | ||
| Appartamento secondario | Nessuno | ||
| TTV | ≤5μm | ≤10μm | ≤15μm |
| LTV | ≤3μm(5mm*5mm) | ≤5μm(5mm*5mm) | ≤10μm(5mm*5mm) |
| Arco | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Ordito | ≤35μm | ≤45μm | ≤55μm |
| Rugosità anteriore (Si-face) (AFM) | Ra≤0,2 nm (5μm*5μm) | ||
| Struttura | |||
| Densità del microtubo | <1 pezzo/cm2 | <10 pezzi/cm2 | <15 pezzi/cm2 |
| Impurità metalliche | ≤5E10atomi/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ciascuno/cm2 | ≤3000 ciascuno/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ciascuno/cm2 | ≤1000 ciascuno/cm2 | NA |
| Qualità frontale | |||
| Fronte | Si | ||
| Finitura superficiale | Si-face CMP | ||
| Particelle | ≤60 pezzi/wafer (dimensione≥0,3μm) | NA | |
| Graffi | ≤5 pezzi/mm. Lunghezza cumulativa ≤Diametro | Lunghezza cumulativa ≤2*Diametro | NA |
| Buccia d'arancia/noccioli/macchie/striature/crepe/contaminazione | Nessuno | NA | |
| Scheggiature/rientranze/fratture/piastre esagonali sui bordi | Nessuno | ||
| Aree di politipo | Nessuno | Area cumulativa ≤ 20% | Area cumulativa ≤ 30% |
| Marcatura laser frontale | Nessuno | ||
| Indietro Qualità | |||
| Finitura posteriore | CMP faccia C | ||
| Graffi | ≤5ea/mm,Lunghezza cumulativa≤2*Diametro | NA | |
| Difetti sul retro (scheggiature/rientranze sui bordi) | Nessuno | ||
| Rugosità della schiena | Ra≤0,2 nm (5μm*5μm) | ||
| Marcatura laser sul retro | 1 mm (dal bordo superiore) | ||
| Bordo | |||
| Bordo | Smussare | ||
| Confezione | |||
| Confezione | Epi-ready con confezionamento sottovuoto Confezione in cassetta multi-wafer | ||
| *Note: "NA" significa nessuna richiesta. Gli articoli non menzionati possono fare riferimento a SEMI-STD. | |||
