Rivestimento TaC CVD

 

Introduzione al rivestimento CVD TaC:

 

Il rivestimento CVD TaC è una tecnologia che utilizza la deposizione chimica da fase vapore per depositare un rivestimento di carburo di tantalio (TaC) sulla superficie di un substrato. Il carburo di tantalio è un materiale ceramico ad alte prestazioni con eccellenti proprietà meccaniche e chimiche. Il processo CVD genera un film uniforme di TaC sulla superficie del substrato attraverso la reazione del gas.

 

Caratteristiche principali:

 

Eccellente durezza e resistenza all'usura: Il carburo di tantalio ha una durezza estremamente elevata e il rivestimento CVD TaC può migliorare significativamente la resistenza all'usura del substrato. Ciò rende il rivestimento ideale per applicazioni in ambienti ad alta usura, come utensili da taglio e stampi.

Stabilità alle alte temperature: I rivestimenti TaC proteggono i componenti critici del forno e del reattore a temperature fino a 2200°C, dimostrando una buona stabilità. Mantiene la stabilità chimica e meccanica in condizioni di temperatura estreme, rendendolo adatto per lavorazioni ad alta temperatura e applicazioni in ambienti ad alta temperatura.

Eccellente stabilità chimica: Il carburo di tantalio ha una forte resistenza alla corrosione verso la maggior parte degli acidi e degli alcali e il rivestimento CVD TaC può prevenire efficacemente danni al substrato in ambienti corrosivi.

Alto punto di fusione: Il carburo di tantalio ha un punto di fusione elevato (circa 3880°C), consentendo l'utilizzo del rivestimento CVD TaC in condizioni di temperatura estremamente elevata senza sciogliersi o degradarsi.

Eccellente conduttività termica: Il rivestimento TaC ha un'elevata conduttività termica, che aiuta a dissipare efficacemente il calore nei processi ad alta temperatura e a prevenire il surriscaldamento locale.

 

Potenziali applicazioni:

 

• Componenti del reattore CVD epitassiale in nitruro di gallio (GaN) e carburo di silicio, inclusi supporti wafer, antenne paraboliche, soffioni doccia, soffitti e suscettori

• Componenti per la crescita dei cristalli di carburo di silicio, nitruro di gallio e nitruro di alluminio (AlN), inclusi crogioli, supporti per semi, anelli guida e filtri

• Componenti industriali tra cui elementi riscaldanti a resistenza, ugelli di iniezione, anelli di mascheratura e maschere di brasatura

 

Funzionalità dell'applicazione:

 

• Stabile alla temperatura sopra i 2000°C, consentendo il funzionamento a temperature estreme
•Resistente all'idrogeno (Hz), all'ammoniaca (NH3), al monosilano (SiH4) e al silicio (Si), fornendo protezione in ambienti chimici difficili
• La sua resistenza agli shock termici consente cicli operativi più rapidi
• La grafite ha una forte adesione, garantendo una lunga durata e nessuna delaminazione del rivestimento.
• Purezza ultraelevata per eliminare impurità o contaminanti non necessari
• Copertura del rivestimento conforme con tolleranze dimensionali strette

 

Specifiche tecniche:

 

Preparazione di rivestimenti densi di carburo di tantalio mediante CVD:

 Rivestimento in carburo di tantalio mediante metodo CVD

Rivestimento TAC con elevata cristallinità ed eccellente uniformità:

 Rivestimento TAC con elevata cristallinità ed eccellente uniformità

 

 

RIVESTIMENTO CVD TAC Parametri Tecnici_Semicera:

 

Proprietà fisiche del rivestimento TaC
Densità 14,3 (g/cm³)
Concentrazione di massa 8×1015/cm
Emissività specifica 0,3
Coefficiente di dilatazione termica 6.310-6/K
Durezza (HK) 2000 Hong Kong
Resistività di massa 4,5 ohm-cm
Resistenza 1x10-5Ohm*cm
Stabilità termica <2500 ℃
Mobilità 237 cm2/Vs
La dimensione della grafite cambia -10~-20um
Spessore del rivestimento Valore tipico ≥20um (35um+10um)

 

Quelli sopra riportati sono valori tipici.