Suscettore in grafite MOCVD con rivestimento TaC

Breve descrizione:

Il suscettore in grafite MOCVD rivestito in TaC di Semicera è progettato per un'elevata durabilità e un'eccezionale resistenza alle alte temperature, che lo rendono perfetto per le applicazioni di epitassia MOCVD. Questo suscettore migliora l'efficienza e la qualità nella produzione di LED Deep UV. Prodotto con precisione, Semicera garantisce prestazioni e affidabilità di prim'ordine in ogni prodotto.


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 Rivestimento TaCè un materiale di rivestimento importante, solitamente preparato su una base di grafite mediante la tecnologia MOCVD (Metal Organic Chemical Vapour Deposition). Questo rivestimento ha proprietà eccellenti, come elevata durezza, eccellente resistenza all'usura, resistenza alle alte temperature e stabilità chimica ed è adatto per varie applicazioni ingegneristiche ad alta richiesta.

La tecnologia MOCVD è una tecnologia di crescita di film sottile comunemente utilizzata che deposita la pellicola composta desiderata sulla superficie del substrato facendo reagire precursori metallo-organici con gas reattivi ad alte temperature. Durante la preparazioneRivestimento TaCSelezionando appropriati precursori metallo-organici e fonti di carbonio, controllando le condizioni di reazione e i parametri di deposizione, è possibile depositare un film di TaC uniforme e denso su una base di grafite.

 

Semicera fornisce rivestimenti specializzati in carburo di tantalio (TaC) per vari componenti e supporti.Il processo di rivestimento leader di Semicera consente ai rivestimenti in carburo di tantalio (TaC) di raggiungere elevata purezza, stabilità alle alte temperature ed elevata tolleranza chimica, migliorando la qualità del prodotto dei cristalli SIC/GAN e degli strati EPI (Suscettore TaC rivestito in grafite) e prolungare la vita dei componenti chiave del reattore. L'uso del rivestimento TaC in carburo di tantalio serve a risolvere il problema dei bordi e migliorare la qualità della crescita dei cristalli, e Semicera ha risolto in modo rivoluzionario la tecnologia di rivestimento in carburo di tantalio (CVD), raggiungendo il livello avanzato internazionale.

 

Dopo anni di sviluppo, Semicera ha conquistato la tecnologia delCVD TaCcon gli sforzi congiunti del dipartimento di ricerca e sviluppo. È facile che si verifichino difetti nel processo di crescita dei wafer SiC, ma dopo l'usoTaC, la differenza è significativa. Di seguito è riportato un confronto tra wafer con e senza TaC, nonché parti di Simicera per la crescita di cristalli singoli.

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con e senza TaC

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Dopo aver utilizzato TaC (a destra)

Inoltre, SemiceraProdotti rivestiti in TaCmostrano una durata di servizio più lunga e una maggiore resistenza alle alte temperature rispetto aRivestimenti SiC.Misure di laboratorio hanno dimostrato che il nsRivestimenti TaCpuò funzionare costantemente a temperature fino a 2300 gradi Celsius per periodi prolungati. Di seguito sono riportati alcuni esempi dei nostri campioni:

 
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Luogo di lavoro Semicera
Luogo di lavoro Semicera 2
Macchina per attrezzature
Magazzino Semicera
Lavorazione CNN, pulizia chimica, rivestimento CVD
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