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Suscettore wafer con rivestimento CVD TaC in carburo di tantalio

Suscettore wafer con rivestimento CVD TaC in carburo di tantalio Immagine in evidenza
  • Suscettore wafer con rivestimento CVD TaC in carburo di tantalio

Breve descrizione:

Con l'avvento dei wafer in carburo di silicio (SiC) da 8 pollici, i requisiti per vari processi di semiconduttori sono diventati sempre più rigorosi, in particolare per i processi di epitassia in cui le temperature possono superare i 2000 gradi Celsius. I materiali suscettori tradizionali, come la grafite rivestita con carburo di silicio, tendono a sublimare a queste temperature elevate, interrompendo il processo di epitassia. Tuttavia, il carburo di tantalio (TaC) CVD risolve efficacemente questo problema, resistendo a temperature fino a 2300 gradi Celsius e offrendo una maggiore durata. Contatta Semicera's Suscettore wafer con rivestimento CVD TaC in carburo di tantalioper saperne di più sulle nostre soluzioni avanzate.

 


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Semicera fornisce rivestimenti specializzati in carburo di tantalio (TaC) per vari componenti e supporti.Il processo di rivestimento leader di Semicera consente ai rivestimenti in carburo di tantalio (TaC) di raggiungere elevata purezza, stabilità alle alte temperature ed elevata tolleranza chimica, migliorando la qualità del prodotto dei cristalli SIC/GAN e degli strati EPI (Suscettore TaC rivestito in grafite) e prolungare la vita dei componenti chiave del reattore. L'uso del rivestimento TaC in carburo di tantalio serve a risolvere il problema dei bordi e migliorare la qualità della crescita dei cristalli, e Semicera ha risolto in modo rivoluzionario la tecnologia di rivestimento in carburo di tantalio (CVD), raggiungendo il livello avanzato internazionale.

 

Con l'avvento dei wafer in carburo di silicio (SiC) da 8 pollici, i requisiti per vari processi di semiconduttori sono diventati sempre più rigorosi, in particolare per i processi di epitassia in cui le temperature possono superare i 2000 gradi Celsius. I materiali suscettori tradizionali, come la grafite rivestita con carburo di silicio, tendono a sublimare a queste temperature elevate, interrompendo il processo di epitassia. Tuttavia, il carburo di tantalio (TaC) CVD risolve efficacemente questo problema, resistendo a temperature fino a 2300 gradi Celsius e offrendo una maggiore durata. Contatta Semicera's Suscettore wafer con rivestimento CVD TaC in carburo di tantalioper saperne di più sulle nostre soluzioni avanzate.

Dopo anni di sviluppo, Semicera ha conquistato la tecnologia delCVD TaCcon gli sforzi congiunti del dipartimento di ricerca e sviluppo. È facile che si verifichino difetti nel processo di crescita dei wafer SiC, ma dopo l'usoTaC, la differenza è significativa. Di seguito è riportato un confronto tra wafer con e senza TaC, nonché parti di Simicera per la crescita di cristalli singoli.

Rivestimento in carburo di tantalio ad alta efficienza_ migliora l'efficienza della produzione industriale e riduce i costi di manutenzione Immagine in evidenza

Parte Tac per la crescita del monocristallo

Rivestimento antiusura in carburo di tantalio_ Protegge l'attrezzatura dall'usura e dalla corrosione Immagine in evidenza

Grafite con anello rivestito in TaC

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con e senza TaC

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Dopo aver utilizzato TaC (a destra)

Inoltre, SemiceraProdotti rivestiti in TaCmostrano una durata di servizio più lunga e una maggiore resistenza alle alte temperature rispetto aRivestimenti SiC.Misure di laboratorio hanno dimostrato che il nsRivestimenti TaCpuò funzionare costantemente a temperature fino a 2300 gradi Celsius per periodi prolungati. Di seguito sono riportati alcuni esempi dei nostri campioni:

 
3

Suscettore rivestito in TaC

4

Grafite con reattore rivestito in TaC

0(1)
Luogo di lavoro Semicera
Luogo di lavoro Semicera 2
Macchina per attrezzature
Magazzino Semicera
Lavorazione CNN, pulizia chimica, rivestimento CVD
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