Piastra di supporto del piedistallo con rivestimento in carburo di tantalio

Breve descrizione:

La piastra di supporto del suscettore rivestita in carburo di tantalio di Semicera è progettata per l'uso nell'epitassia del carburo di silicio e nella crescita dei cristalli. Fornisce un supporto stabile in ambienti ad alta temperatura, corrosivi o ad alta pressione, essenziali per questi processi avanzati. Comunemente utilizzato in reattori ad alta pressione, strutture di forni e apparecchiature chimiche, garantisce prestazioni e stabilità del sistema. L'innovativa tecnologia di rivestimento di Semicera garantisce qualità e affidabilità superiori per applicazioni ingegneristiche impegnative.

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Piastra di supporto del suscettore rivestita in carburo di tantalioè un suscettore o struttura di supporto ricoperta da un sottile strato dicarburo di tantalio. Questo rivestimento può essere formato sulla superficie del suscettore mediante tecniche quali la deposizione fisica da fase vapore (PVD) o la deposizione chimica da fase vapore (CVD), conferendo al suscettore le proprietà superiori dicarburo di tantalio.

Semicera fornisce rivestimenti specializzati in carburo di tantalio (TaC) per vari componenti e supporti.Il processo di rivestimento leader di Semicera consente ai rivestimenti in carburo di tantalio (TaC) di raggiungere elevata purezza, stabilità alle alte temperature ed elevata tolleranza chimica, migliorando la qualità del prodotto dei cristalli SIC/GAN e degli strati EPI (Suscettore TaC rivestito in grafite) e prolungare la vita dei componenti chiave del reattore. L'uso del rivestimento TaC in carburo di tantalio serve a risolvere il problema dei bordi e migliorare la qualità della crescita dei cristalli, e Semicera ha risolto in modo rivoluzionario la tecnologia di rivestimento in carburo di tantalio (CVD), raggiungendo il livello avanzato internazionale.

Dopo anni di sviluppo, Semicera ha conquistato la tecnologia delCVD TaCcon gli sforzi congiunti del dipartimento di ricerca e sviluppo. È facile che si verifichino difetti nel processo di crescita dei wafer SiC, ma dopo l'usoTaC, la differenza è significativa. Di seguito è riportato un confronto tra wafer con e senza TaC, nonché parti di Simicera per la crescita di cristalli singoli.

Le caratteristiche principali delle piastre di supporto base rivestite in carburo di tantalio includono:

1. Stabilità alle alte temperature: il carburo di tantalio ha un'eccellente stabilità alle alte temperature, rendendo la piastra di supporto base rivestita adatta alle esigenze di supporto in ambienti di lavoro ad alta temperatura.

2. Resistenza alla corrosione: il rivestimento in carburo di tantalio ha una buona resistenza alla corrosione, può resistere alla corrosione chimica e all'ossidazione e prolungare la durata della base.

3. Elevata durezza e resistenza all'usura: l'elevata durezza del rivestimento in carburo di tantalio conferisce alla piastra di supporto base una buona resistenza all'usura, adatta per occasioni che richiedono un'elevata resistenza all'usura.

4. Stabilità chimica: il carburo di tantalio ha un'elevata stabilità a una varietà di sostanze chimiche, consentendo alla piastra di supporto della base rivestita di funzionare bene in alcuni ambienti corrosivi.

Rivestimento in carburo di tantalio ad alta efficienza_ migliora l'efficienza della produzione industriale e riduce i costi di manutenzione Immagine in evidenza

Parte Tac per la crescita del monocristallo

Rivestimento antiusura in carburo di tantalio_ Protegge l'attrezzatura dall'usura e dalla corrosione Immagine in evidenza

Grafite con anello rivestito in TaC

con e senza TaC

Dopo aver utilizzato TaC (a destra)

Inoltre, SemiceraProdotti rivestiti in TaCmostrano una durata di servizio più lunga e una maggiore resistenza alle alte temperature rispetto aRivestimenti SiC.Misure di laboratorio hanno dimostrato che il nsRivestimenti TaCpuò funzionare costantemente a temperature fino a 2300 gradi Celsius per periodi prolungati. Di seguito sono riportati alcuni esempi dei nostri campioni: